将漏电器装置并入到电容器配置中以减少单元干扰的方法及并入漏电器装置的电容器配置制造方法及图纸

一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件具有导电柱的行。所述导电柱通过间隙彼此间隔开。漏电器装置材料在所述间隙中的至少一些内延伸。绝缘材料沿着所述导电柱的侧壁。导电结构在所述导电柱之上。所述导电结构具有延伸到所述间隙中的至少一些中的向下突出部。所述漏电器装置材料被配置为沿着所述向下突出部的侧面的片段且从所述侧面延伸到所述导电柱中的一或多个。一些实施例包含形成集成组合件的方法。合件的方法。合件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】将漏电器装置并入到电容器配置中以减少单元干扰的方法及并入漏电器装置的电容器配置
[0001]相关专利数据
[0002]本申请要求于2020年7月20日提交的美国专利申请序列号16/933,134的优先权和权益，其公开内容以引用的方式并入本文中。


[0003]集成组合件(例如，集成存储器)。将漏电器装置并入到电容器配置中以减少单元干扰的方法。并入有漏电器装置的电容器配置。包括漏电器装置的存储器阵列。

技术介绍

[0004]计算机和其它电子系统(例如，数字电视、数码相机、蜂窝式电话等)通常具有一或多个存储器装置以存储信息。逐渐地，存储器装置的大小得到减小以实现较高密度的存储容量。即使当实现了增加的密度时，消费者通常要求存储器装置也使用较少功率同时维持存储在存储器装置上的数据的高速存取和可靠性。
[0005]存储器单元的电介质材料内(通过电介质材料)的泄漏可能至少由于这可能使得难以可靠地存储数据且可能另外浪费功率而成问题。随着电路系统被缩放到越来越小的尺寸，泄漏可能变得越来越难以控制。
[0006]将需要开发出缓解或甚至防止非所要泄漏的架构；并且开发出用于制造此类架构的方法。
附图说明
[0007]图1和1A是区实例组合件在实例方法的实例处理阶段处的图解视图。图1是俯视图，并且图1A是沿着图1的线A
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A的横截面侧视图。
[0008]图2和2A是图1和1A的区在图1和1A的实例处理阶段之后的实例处理阶段处的图解视图。图2是俯视图，并且图2A是沿着图2的线A
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A的横截面侧视图。
[0009]图3和3A是图1和1A的区在图2和2A的实例处理阶段之后的实例处理阶段处的图解视图。图3是俯视图，并且图3A是沿着图3的线A
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A的横截面侧视图。
[0010]图4和4A是图1和1A的区在图3和3A的实例处理阶段之后的实例处理阶段处的图解视图。图4是俯视图，并且图4A是沿着图4的线A
‑
A的横截面侧视图。
[0011]图5和5A是图1和1A的区在图4和4A的实例处理阶段之后的实例处理阶段处的图解视图。图5是俯视图，并且图5A是沿着图5的线A
‑
A的横截面侧视图。
[0012]图6和6A是图1和1A的区在图5和5A的实例处理阶段之后的实例处理阶段处的图解视图。图6是沿着图6A的线B
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B的俯视图，并且图6A是沿着图6的线A
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A的横截面侧视图。
[0013]图7
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7B是图1和1A的区在图6和6A的实例处理阶段之后的实例处理阶段处的图解视图。图7是沿着图7A和7B的线B
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B的俯视图，并且图7A是沿着图7的线A
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A的横截面侧视图，且图7B是沿着图7的线C
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C的横截面侧视图。图7B的底部在比图7A的底部更高的位置处被截
断。
[0014]图8和8A是图1和1A的区在图7
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7B的实例处理阶段之后的实例处理阶段处的图解视图。图8是沿着图8A的线B
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B的俯视图，并且图8A是沿着图8的线A
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A的横截面侧视图。
[0015]图9和9A是图1和1A的区在图8和8A的实例处理阶段之后的实例处理阶段处的图解视图。图9是沿着图9A的线B
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B的俯视图，并且图9A是沿着图9的线A
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A的横截面侧视图。
[0016]图10
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12是图9A的区在图9A的实例依序处理阶段之后的实例依序处理阶段处的横截面侧视图。
[0017]图13是通过图1
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12的处理形成的实例组合件的区的图解俯视图。
[0018]图14和14A是实例组合件的区的图解视图。图14是沿着图14A的线B
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B的俯视图，并且图14A是沿着图14的线A
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A的横截面侧视图。
[0019]图15和16是图14A的区在图14A的实例依序处理阶段之后的实例依序处理阶段处的横截面侧视图。
[0020]图17是实例存储器单元的图解示意图。
[0021]图18是实例存储器阵列的区的图解示意图。
具体实施方式
[0022]一些实施例包含漏电器装置的利用以减少沿着电容器的底部电极的电荷累积。漏电器装置可将底部电极耦合到导电板。导电板可沿着电容器的顶部电极，并且可用于将顶部电极电耦合到彼此。漏电器装置可具有导电性(或替代地，电阻)，其经定制以使得过量电荷能够从底部电极排出到导电板，同时不允许底部电极与导电板之间的成问题的短路。因此，漏电器装置可被配置成使得能够在非所要电荷累积的情况下从底部电极放电。放电可被视为过量电荷泄漏，并且因此实现此类放电的装置可被称作漏电器装置。过量电荷从底部电极的泄漏是本文中所提及的一种类型的泄漏。另一且非常不同的泄漏形式是电荷通过电容器绝缘材料(电介质材料)的成问题的泄漏，其在
技术介绍
章节中提及，并且其可能导致来自包括电容器绝缘材料的存储器装置的数据损失。一些应用可利用漏电器装置以实现过量电荷从底部电极的放电，并且由此缓解(或甚至防止)可能导致电荷通过电容器绝缘材料的成问题的泄漏的条件。
[0023]许多(如果不是大部分)主存储器单元干扰机制是由于在单元底部(CB)电节点处的电势的累积。此干扰机制可特别适用于铁电RAM(FERAM)。然而，其它类型的电子装置也可受益于本文中所提供的标的物。在CB电节点处的电势的累积可能导致通过存储器单元的绝缘材料的非所要泄漏。
[0024]在一些实施例中，存储器阵列中的存储器单元中的每一个可被编程成表示单个位中的“0”或“1”的二进制值的两个数据状态中的一个。此类单元有时被称为单层级单元(SLC)。在这些类型的单元上的各种操作是在半导体和相关技术中独立地已知的。
[0025]无论存储器单元布置如何，上文所论述的主要干扰机制可由于不同的因素而产生。举例来说，由于例如板干扰、存取晶体管泄漏、单元到单元交互的因素和/或其它因素，单元底部节点上的电荷可能上升。如果存储器单元中的绝缘材料显著地泄漏，则单元的状态可能受到不利地影响。
[0026]在本文中所描述的各种实施例中，漏电器装置被引入到存储器阵列中以防止在与
个别存储器单元相关联的电容器的底部节点处的电势的累积。参考图1
‑
18描述实例实施例。
[0027]参考图1和1A，组合件(设备)10包括布置在阵列14内的多个存取装置12。数字线(DL1
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DL4)沿着第一方向(说明为x轴方向)跨越阵列延伸，并且字线(WL1
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WL4)沿着第二方向(说明为y轴方向)延伸。在一些实施例中，第一方向和第二方向中的一个可被称作行方向且另一个可被称作列方向。举例来说，在一些实施例中，字线可被视为沿着行方向延伸，而数字线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成组合件，其包括：竖直延伸的导电柱的行；所述导电柱通过间隙彼此间隔开；漏电器装置材料在所述间隙中的至少一些内；绝缘材料，其沿着所述导电柱的侧壁；以及导电结构，其在所述导电柱之上；所述导电结构具有延伸到所述间隙中的至少一些中的向下突出部；所述漏电器装置材料被配置为沿着所述向下突出部的侧面且从所述侧面延伸到所述导电柱中的一或多个的水平延伸的片段。2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述漏电器装置材料沿着所述导电柱的上部区。3.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述漏电器装置材料沿着所述导电柱的下部区。4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述绝缘材料在所述导电柱之上。5.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述绝缘材料不在所述导电柱之上。6.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述绝缘材料是铁电绝缘材料。7.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述漏电器装置材料包括Ti、Ni和Nb中的一或多种与Ge、Si、O、N和C中的一或多种的组合。8.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述漏电器装置材料包括Si、Ge、SiN、TiSiN、TiO、TiN、NiO、NiON和TiON中的一或多种；其中化学式指示主要组分而非特定化学计量。9.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述漏电器装置材料包括钛、氧和氮。10.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述漏电器装置材料竖直地包夹在下部电介质材料与上部电介质材料之间。11.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述上部电介质材料和所述下部电介质材料是相对于彼此不同的组合物。12.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述上部电介质材料和所述下部电介质材料是彼此相同的组合物。13.根据权利要求12所述的集成组合件，其中所述上部电介质材料和所述下部电介质材料包括氮化硅。14.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述导电柱与存取装置耦合，并且其中所述存取装置在所述导电柱之下。15.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述导电柱、所述导电结构和所述绝缘材料一起被配置为存储器阵列的电容器。16.根据权利要求15所述的集成组合件，其中所述电容器是铁电电容器。17.一种集成组合件，其包括：导电柱的行；所述导电柱通过间隙彼此间隔开；所述间隙在第一间隙与第二间隙之间交替；所述第一间隙具有在相邻柱之间延伸的漏电器装置材料，并且所述第二间隙中不具有所述漏电器装置材料；绝缘材料，其沿着所述导电柱的侧壁；以及导电结构，其在所述导电柱之上且具有分别延伸到所述第一间隙和所述第二间隙中的
第一向下突出部和第二向下突出部；所述第一向下突出部延伸穿过所述漏电器装置材料且直接抵靠所述漏电器装置材料；所述第二向下突出部比所述第一向下突出部延伸得更远以比所述第一向下突出部更深。18.根据权利要求17所述的集成组合件，其中所述柱中的每一个与所述第一向下突出部中的三个相邻。19.根据权利要求18所述的集成组合件，其中：从俯视图来看所述柱被布置成四个一组；所述组中的每一个具有中心区，所述中心区与所述组中的四个柱大致等距；并且所述第二向下突出部与所述中心区大体上竖直地对准。20.根据权利要求17所述的集成组合件，其中所述漏电器装置材料竖直地包夹在下部电介质材料与上部电介质材料之间。21.根据权利要求17所述的集成组合件，其中所述上部电介质材料和所述下部电介质材料是相对于彼此不同的组合物。22.根据权利要求17所述的集成组合件，其中所述上部电介质材...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：