用来掺杂硅晶片的气体混合物的分配设备和方法技术

披露了一种用于将气体混合物输送到硅晶片掺杂单元的设备，该设备包括：掺杂剂气体(1)源；载气(2)源；连接到该掺杂剂气体容器(1)和载气(2)源的混合装置(3)；第一流量调节构件(41)和第二流量调节构件(42)，用于调节流向混合装置(3)的掺杂剂气体(1)和载气(2)的流量；控制单元(5)，用于控制第一和第二流量调节器构件(41，42)以调整第一流量设定点(D1)和第二流量设定点(D2)的比例，所述比例是根据混合物中的掺杂剂气体(1)和/或载气(2)的至少一个目标含量(C1，C2)确定的；缓冲罐(7)；输送管线(6)，用于将混合物以消耗流量(DC)输送到掺杂单元(10)；至少一个测量传感器(8)，用于测量物理量并且提供第一测量信号，该物理量的变化表示消耗流量(DC)的变化；该控制单元(5)连接到传感器(8)并且被配置为基于第一测量信号来产生第一控制信号，这些流量调节构件(41，42)被配置为响应于第一控制信号来调整第一和第二流量设定点(D1，D2)。D2)。D2)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用来掺杂硅晶片的气体混合物的分配设备和方法
[0001]本专利技术涉及一种用于输送旨在被用于掺杂硅晶片的单元所使用的气体混合物的设备。该设备能够将混合物直接输送到使用地点，并且还能够根据消耗单元所消耗的流量来调整该设备所生产的混合物的流量。本专利技术还涉及用于掺杂硅晶片的组件，该组件包括这样的设备。
[0002]特别地，根据本专利技术的设备和方法旨在输送纯气体混合物或气体预混合物这些混合物，特别是输送所谓的载气和所谓的掺杂剂气体的混合物。
[0003]应注意，表述“掺杂单元”可以延伸到单一掺杂单元和被并行地供应气体混合物的几种实体，特别是布置在分支箱下游的几种实体。
[0004]本专利技术特别适用于半导体生产过程中硅晶片的掺杂。
[0005]在制造用于电子器件的集成电路的过程中，制造半导体的技术主要是基于通过在其中插入所谓的掺杂元素来对包含硅原子的基体进行本征改性，以使硅成为半导电的。已知的掺杂元素是例如锗、磷、砷、锑、硼、镓、铝。
[0006]在最常用的掺杂工艺中，例如用磷或硼进行的工艺中，将硅晶片放入炉中并达到通常在800℃至1200本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于输送适合并旨在用于硅晶片掺杂单元的气体混合物的设备，所述设备包括：
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掺杂剂气体(1)源，
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载气(2)源，
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混合器装置(3)，该混合器装置流体连接到掺杂剂气体(1)容器和该载气(2)源，所述混合器装置(3)被配置为在出口(33)处产生包含该掺杂剂气体和该载气的气体混合物，
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第一流量调节器构件(41)和第二流量调节器构件(42)，所述流量调节器构件被配置为分别根据第一流量设定点(D1)和第二流量设定点(D2)来调节流向该混合器装置(3)的掺杂剂气体(1)的流量和载气(2)的流量，该第一流量设定点和该第二流量设定点定义了在操作中该混合器装置(3)的出口(33)处的该气体混合物的生产流量(DP)，
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控制单元(5)，该控制单元被配置为控制该第一流量调节器构件和该第二流量调节器构件(41，42)以调整该第一流量设定点(D1)和该第二流量设定点(D2)相对于该生产流量(DP)的相应比例，所述相应比例是根据该气体混合物中的掺杂剂气体(1)和/或载气(2)的至少一个目标含量(C1，C2)确定的，
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缓冲罐(7)，该缓冲罐通过出口管道(23)一方面连接到该混合器装置(3)的出口(33)并且另一方面连接到输送管线(6)，该输送管线(6)被配置为将该气体混合物以表示该气体混合物的可变消耗的消耗流量(DC)输送到硅晶片掺杂单元(10)，
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至少一个测量传感器(8)，该测量传感器被配置为测量物理量并且提供所述物理量的第一测量信号，该物理量的变化表示由该输送管线(6)输送的消耗流量(DC)的变化，该控制单元(5)连接到该测量传感器(8)并且被配置为从该第一测量信号来产生第一控制信号，所述流量调节器构件(41，42)被配置为响应于所述第一控制信号来调整该第一流量设定点(D1)和该第二流量设定点(D2)。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，该设备包括第一分析单元(13)，该第一分析单元布置在该缓冲罐(7)的下游并且被配置为分析由该供应管线(6)输送的气体混合物中的掺杂剂气体(1)和/或载气(2)的至少一个相应含量。3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，该设备包括在第一采样点(36a)处将该第一分析单元(13)连接到该供应管线(6)的第一采样管道(36)和在第一返回点(37a)处将该第一分析单元(13)连接到该供应管线(6)的第一返回管线(37)，该返回点(37a)位于该供应管线(6)上的该第一采样点(36a)的下游，减压阀(51)安装在该第一采样点(36a)与该第一返回点(37a)之间的供应管线(6)上，优选地该减压阀(51)安装在该测量传感器(8)的上游。4.根据前述权利要求之一所述的设备，其特征在于，该设备包括第二分析单元(14)，该第二分析单元被配置为测量在该混合器装置(3)的第一出口(33)处产生的气体混合物中的掺杂剂气体(1)和/或载气(2)的至少一个含量，并且从而至少提供第二测量信号，该控制单元(5)连接到该第二分析单元(14)并且被配置为从该第二测量信号来产生第二控制信号并响应于所述第二控制信号而修改该第一流量设定点(D1)和/或该第二流量设定点(D2)相对于该生产流量(DP)的比例。5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，该设备包括在第二采样点(34a)处将该第二分析单元(14)连接到该出口管线(23)的第二采样管道(34)和在第二返回点(35a)处将该第二分析单元(14)连接到该出口管线(23)的第二返回管线(35)，该返回点(35a)位于该出
口管线(23)上的该第二采样点(34a)的下游，背压调节器(52)安装在该出口管线(23)上、在该第二采样点(34a)与该第二返回点(35a)之间。6.根据前述权利要求之一所述的设备，其特征在于，该设备被配置为输送掺杂剂气体(1)含量在0.0001％至50％之间、优选地在0.05％至30％(按体积计的％)之间的混合物。7.根据前述权...

【专利技术属性】
技术研发人员：V，
申请(专利权)人：液化空气电子系统公司，
类型：发明
国别省市：