一种大功率双定向耦合器主腔体制造技术

本实用新型专利技术提供一种大功率双定向耦合器主腔体，其具有装配简单，结构紧凑，体积小和功率容量大的特点；采用不规则的耦合方槽，提高了大功率双定向耦合器的性能指标，耦合器主腔体的上盖板装配槽的下方设置有上阶梯耦合方槽，下盖板装配槽的上方设置有下阶梯耦合方槽；耦合器主腔体的两端分别设置有第一连接器装配槽和第二连接器装配槽，第一连接器装配槽和第二连接器装配槽的中心位置贯穿设置有信号主通道腔，信号主通道腔的两端为圆柱腔，其中位于第一连接器装配槽位置的为第一圆柱腔，位于第二连接器装配槽位置的为第二圆柱腔，信号主通道腔的中部为从第一连接器装配槽到第二连接器装配槽方向依次向上的阶梯状腔体。二连接器装配槽方向依次向上的阶梯状腔体。二连接器装配槽方向依次向上的阶梯状腔体。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率双定向耦合器主腔体


[0001]本技术涉及微波宽带大功率双定向耦合器领域，具体而言，涉及一种大功率双定向耦合器主腔体。

技术介绍

[0002]现有的同轴单定向耦合器如图6所示。从图中可以看出，其采用了方同轴线结构。要形成双定向耦合器，只能将两个单定向耦合器级联起来，或者在主路耦合内导体的另外一侧添加副路耦合内导体。此外在内部耦合腔体尺寸严格限制的条件下，耦合内导体之间有隔板，用于降低耦合输出的能量。
[0003]现有的定向耦合器存在如下缺陷：
[0004]1)尽管耦合器内部存在隔板结构，可以减少耦合器的尺寸。但是由于隔板的存在，降低了耦合器的功率容量；
[0005]2)由于耦合器的主传输线采用方导体，而连接器的内导体是圆行的，两者之间的相互匹配较困难，设计仿真难度较大；
[0006]3)传统的大功率双定向耦合器采用横截面均匀的腔体结构，内部尺寸较大，无法在更高的微波频段使用。

技术实现思路

[0007]本技术的目的在于提供一种大功率双定向耦合器主腔体，其具有装配简单，结构紧凑，体积小和功率容量大的特点；采用不规则的耦合方槽，提高了大功率双定向耦合器的性能指标。
[0008]本技术的实施例是这样实现的：
[0009]一种大功率双定向耦合器主腔体，该耦合器主腔体整体呈长方体，耦合器主腔体的顶部和底部分别设置有上盖板装配槽和下盖板装配槽，上盖板装配槽的下方设置有上阶梯耦合方槽，下盖板装配槽的上方设置有下阶梯耦合方槽；耦合器主腔体的两端分别设置有第一连接器装配槽和第二连接器装配槽，第一连接器装配槽和第二连接器装配槽的中心位置贯穿设置有信号主通道腔，信号主通道腔的两端为圆柱腔，其中位于第一连接器装配槽位置的为第一圆柱腔，位于第二连接器装配槽位置的为第二圆柱腔，信号主通道腔的中部为从第一连接器装配槽到第二连接器装配槽方向依次向上的阶梯状腔体。
[0010]在本技术的较佳实施例中，上述第一圆柱腔中装配有主内导体。
[0011]在本技术的较佳实施例中，上述主内导体为一光滑圆杆状导体。
[0012]在本技术的较佳实施例中，上述上阶梯耦合器方槽中深度最大的方槽与第一圆柱腔对接，方槽和第一圆柱腔之间的连接处设置有倒角过渡。
[0013]在本技术的较佳实施例中，上述上阶梯耦合器方槽从第一圆柱腔始到第二圆柱腔止的耦合方槽深度依次减小。
[0014]在本技术的较佳实施例中，上述下阶梯耦合器方槽中深度最大的方槽与第二
圆柱腔对接，方槽和第二圆柱腔之间的连接处设置有倒角过渡。
[0015]在本技术的较佳实施例中，上述下阶梯耦合器方槽从第一圆柱腔始到第二圆柱腔止的耦合方槽深度依次增大。
[0016]在本技术的较佳实施例中，上述上阶梯耦合器方槽从第一圆柱腔始到第二圆柱腔止的方槽宽度依次减小。
[0017]在本技术的较佳实施例中，上述下阶梯耦合器方槽从第一圆柱腔始到第二圆柱腔止的方槽宽度依次减小。
[0018]本技术实施例的有益效果是：在本技术中的大功率双定向耦合器主腔体在两端设置有圆柱腔，圆柱腔用于连接主内导体，圆腔圆杆做为大功率信号的主通道，且圆杆光滑无台阶，进一步提高了耦合器的功率容量；同时大功率双定向耦合器主腔体的上下面采用了不规则的耦合方槽，有效地缩短了大功率双定向耦合器的横截面尺寸，使得大功率双定向耦合器主腔体具有结构紧凑，体积小和功率容量大的特点。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0020]图1为本技术实施例的大功率双定向耦合器主腔体整体结构示意图1；
[0021]图2为本技术实施例大功率双定向耦合器主腔体整体结构示意图2；
[0022]图3为本技术实施例的大功率双定向耦合器主腔体正视结构示意图；
[0023]图4为本技术实施例的大功率双定向耦合器主腔体俯视结构示意图；
[0024]图5为本技术实施例的大功率双定向耦合器主腔体左视结构示意图；
[0025]图6为同轴单定向耦合器结构示意图。
[0026]图标：耦合器主腔体100、上盖板装配槽110、下盖板装配槽120、上阶梯耦合方槽130、下阶梯耦合方槽140、第一连接器装配槽150、第二连接器装配槽160、信号主通道腔170、第一圆柱腔171、第二圆柱腔172、阶梯状腔体173、主内导体180。
具体实施方式
[0027]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0028]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0029]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0030]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0031]此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
[0032]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0033]第一实施例
[0034]请参见图1...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率双定向耦合器主腔体，其特征在于，所述耦合器主腔体整体呈长方体，所述耦合器主腔体的顶部和底部分别设置有上盖板装配槽和下盖板装配槽，所述上盖板装配槽的下方设置有上阶梯耦合方槽，所述下盖板装配槽的上方设置有下阶梯耦合方槽；所述耦合器主腔体的两端分别设置有第一连接器装配槽和第二连接器装配槽，所述第一连接器装配槽和所述第二连接器装配槽的中心位置贯穿设置有信号主通道腔，所述信号主通道腔的两端为圆柱腔，其中位于第一连接器装配槽位置的为第一圆柱腔，位于第二连接器装配槽位置的为第二圆柱腔，所述信号主通道腔的中部为从所述第一连接器装配槽到所述第二连接器装配槽方向依次向上的阶梯状腔体。2.根据权利要求1所述的大功率双定向耦合器主腔体，其特征在于，所述第一圆柱腔中装配有主内导体。3.根据权利要求2所述的大功率双定向耦合器主腔体，其特征在于，所述主内导体为一光滑圆杆状导体。4.根据权利要求1所述的大功率双定向耦合器主腔体，其特征在于，所述上阶梯...

【专利技术属性】
技术研发人员：王杰，
申请(专利权)人：成都齐联微波科技有限公司，
类型：新型
国别省市：