【技术实现步骤摘要】
用于分析结晶缺陷的Cu
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Decoration评价系统
[0001]本专利技术涉及硅片加工
,具体涉及一种用于分析结晶缺陷的Cu
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Decoration评价系统。
技术介绍
[0002]随着对半导体集成电路和硅片的需求不断增加,硅片行业对硅片的质量要求也变得更加严格。晶成长过程中可能发生的缺陷有COP、FPD、OISF、LDP、BMD。晶体成长缺陷COP(crystal oriented particle),以前满足于Low
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COP, 但现在要求无COP缺陷的COP
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free水平,相比之前品质要求更加严格。
[0003]半导体集成电路的工艺从100nm以上的水平逐渐发展为20 nm以下超细微水平。在这种情况下,虽然对COP
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Free硅片有要求,但要想晶棒在整体区间中达到完全无COP,存在技术上的局限性。因此,有必要对发生COP缺陷的区间进行检查和判定,筛选出不良的硅片。
[0004]现有方法工序为1)Ingot Growing结晶成长;2)Slicing切片;3)Lapping研磨;4)Polishing抛光;5)Cleaning清洁洗净;6)Particle Counter颗粒浓度。工序6才进行最终检查阶段发现Particle Counter,对制造成本会增加。最终检查阶段进行COP缺陷检查时,使用日本Hitachi或美国KLA检查设备,以nm为单位来检查细微的particle,并共同使用LASER ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于分析结晶缺陷的Cu
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Decoration评价系统,其特征在于如下操作步骤:第一步:硅片进行结晶成长过程,接着取样品;第二步:对硅片样品进行化学药品预加工,在电解桶(1)下端放置硅片(6),电解桶(1)与硅片(6)间形成氧化膜(5),硅片(6)下端为Omic contact奥姆接触层(7),电解桶(1)内装少量的电解液(4),电解液(4)内有与Omic contact奥姆接触层(7)侧端电路连通的相对
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电极(2)和基准
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电极(3);含铜的电解液与硅片的表面发生化学还原反应,此时的化学反应式1(还原)为Cu(2+) + 2e(
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)
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> Cu/Sio(2);另外,含铜的电解液在电极的表面发生化学氧化反应;此时的化学反应式2(氧化) 为Cu
ꢀ‑‑
> Cu(2+)(电解液,anelectrolyte solution) + 2e(
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);第三步:为了Cu
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Decoration,需要维持一定的电压,相对
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电极(2)用于电流流动,基准
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电极(3)用于测量电压;保持基准
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电极(3)和相相对
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电极(2)之间的电压,获得铜(cu)吸附在有COP缺陷的表面上的结果;第四步:通过表面检查确认COP缺陷位置,存在缺陷的特定位置或特定区域会成长为肉眼观察到的缺陷,或使用Camera和传感器进行自动检查,并且完成分析缺陷的区域和密度。2.根据权利要求1所述的用于分析结晶缺陷的Cu
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Decoration评价系统,其特征在于:化学反应式1(还原)相当于在硅片的SiO2表面上的铜还原及吸附的反应;化学反应式2(氧化)相当于在相对
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电极(2)中铜发生氧化反应,基准
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电极(3)可使用Ag / Agcl(银或氯化银)。3.根据权利要求1所述的用于分析结晶缺陷的Cu
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Decoration评价系统,其特征在于:电解液(4)为超纯水、乙醇CH3CH2OH、甲醇CH3OH或(CH3)2CHOH。4.根据权利要求1所述的用于分析结晶缺陷的Cu...
【专利技术属性】
技术研发人员:金太薰,
申请(专利权)人:杭州中欣晶圆半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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