一种单晶炉下轴保护装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及单晶炉设备技术领域，具体为一种单晶炉下轴保护装置，包括托杆，托杆安装在单晶炉下轴上，托杆的外侧上部安装有底加，底加的下方设置有防漏护板，防漏护板的底部安装有副石墨电极。该单晶炉下轴保护装置中，通过托杆保护环可以减少单晶炉内的硅熔体在拉晶时的液面晃动及因溅硅而导致的下轴波纹管烫穿而造成的单晶炉漏气，可有效降低拉晶过程中的液面晃动及波纹管烫穿的异常事故，托杆保护环为活动式设计，托杆保护环缩小了热场和托杆保护环的距离，使得溅硅被托杆保护环所阻挡，溅硅不会直接落入下轴波纹管中，从而降低了下轴波纹管被溅硅烫穿的概率，大大减少单晶炉漏气事件的发生及更换下轴波纹管的维修费用。费用。费用。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉下轴保护装置


[0001]本技术涉及单晶炉设备
，具体地说，涉及一种单晶炉下轴保护装置。

技术介绍

[0002]在现有单晶炉结构下，单晶炉托杆通过螺丝和单晶炉下轴连接在一起，通过单晶炉下轴的升降来实现单晶炉内的坩埚等的升降及旋转，实现单晶的拉制。单晶炉下轴具有升降功能，因此单晶炉下轴上需具备密封波纹管，使得单晶炉下轴在升降及旋转时，能保持单晶炉内的真空度。同时，为了能正常拉晶，固定在单晶炉下轴上的托杆和单晶炉内的热场部件要具有一定的距离。
[0003]如托杆和热场部件的距离过小，沉积在托杆上的固体硅小颗粒会和单晶炉内的热场部件进行摩擦，使得在坩埚升降及旋转过程中，造成坩埚内的液面晃动，无法拉晶。而如果托杆和单晶炉内的热场部件的距离过大，则会存在溅硅从缝隙中掉落而烫坏波纹管，从而造成单晶炉漏气而无法正常拉晶的异常情况。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种单晶炉下轴保护装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供了一种单晶炉下轴保护装置，包括托杆，所述托杆安装在单晶炉下轴上，所述托杆的外侧上部安装有底加，所述底加的下方设置有防漏护板，所述防漏护板的底部安装有副石墨电极，所述托杆的中部外侧套设有托杆保护环，所述托杆保护环的外径满足能够自由穿过底加，所述托杆从托杆保护环的中心穿过，进而和单晶炉下轴装配一起。
[0006]作为优选，所述托杆的外侧套设有托杆护筒。
[0007]作为优选，所述防漏护板、安装在副石墨电极、底加、托杆护筒位于单晶炉内部。
[0008]作为优选，所述托杆护筒的内壁与托杆的外壁之间缝隙小于10mm。
[0009]作为优选，所述托杆保护环与托杆护筒同心设置，且安装在防漏护板的上方。
[0010]作为优选，所述托杆保护环的内径比托杆的外径大5
‑
6mm。
[0011]作为优选，所述托杆保护环的上沿楔形设计，总厚度8
‑
10mm，所述托杆保护环材质为等静压石墨。
[0012]与现有技术相比，本技术的有益效果：
[0013]该单晶炉下轴保护装置中，通过托杆保护环可以减少单晶炉内的硅熔体在拉晶时的液面晃动及因溅硅而导致的下轴波纹管烫穿而造成的单晶炉漏气，可有效降低拉晶过程中的液面晃动及波纹管烫穿的异常事故，托杆保护环为活动式设计，即使被硅液粘住，托杆保护环可随托杆一起移动，不会造成液面晃动，同时，保护其他热场部件不与托杆发生摩擦，使完成正常拉晶，托杆保护环缩小了热场和托杆保护环的距离，使得溅硅被托杆保护环所阻挡，溅硅不会直接落入下轴波纹管中，从而降低了下轴波纹管被溅硅烫穿的概率，大大
减少单晶炉漏气事件的发生及更换下轴波纹管的维修费用。
附图说明
[0014]图1为本技术的整体结构示意图；
[0015]图2为本技术的俯视结构示意图。
[0016]图中各个标号意义为：
[0017]1、托杆；11、托杆护筒；2、单晶炉下轴；3、托杆保护环；4、底加；5、防漏护板；6、副石墨电极；7、电加热丝。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0020]本技术提供一种单晶炉下轴保护装置，如图1
‑
图2所示，包括托杆1，托杆1安装在单晶炉下轴2上，托杆1的外侧上部安装有底加4，底加4的下方设置有防漏护板5，防漏护板5的底部安装有副石墨电极6，托杆1的中部外侧套设有托杆保护环3，托杆保护环3的外径满足能够自由穿过底加4，托杆1从托杆保护环3的中心穿过，进而和单晶炉下轴2装配一起。
[0021]本实施例中，托杆1的外侧套设有托杆护筒11，用于托杆1的防护。
[0022]具体的，防漏护板5、安装在副石墨电极6、底加4、托杆护筒11位于单晶炉内部。
[0023]进一步的，如图1所示，托杆护筒11的内壁与托杆1的外壁之间缝隙W小于10mm，一般控制在10mm左右，如W过小，在托杆1上沉积的固体硅小颗粒在托杆升降及旋转过程中，会和托杆护筒11发生摩擦，由于托杆护筒11被装配在热场中，即已被固定，无法移动，故摩擦会导致托杆产生晃动，从而造成托杆1上的坩埚中的熔硅液面晃动，使得无法拉晶；
[0024]单晶炉在加料化料过程中，会产生溅硅，如W过大，溅硅从该缝隙中落入单晶炉下轴2的波纹管的概率增加，溅硅和波纹管接触后，高温会烫穿波纹管，造成炉台漏气，使得无法拉晶，为了平衡液面晃动和波纹管烫穿事故的发生率，目前W一般控制在10mm左右。在实际拉晶过程中，以上两种事故均无法得到有效的避免，事故时有发生。
[0025]具体的，托杆保护环3与托杆护筒11同心设置，且安装在防漏护板5的上方。
[0026]进一步的，托杆保护环3的内径比托杆1的外径大5
‑
6mm。
[0027]进一步的，托杆保护环3的上沿楔形设计，总厚度8
‑
10mm，托杆保护环3材质为等静压石墨。
[0028]值得注意的是，托杆保护环3为活动式设计，可在一定的范围内活动，同时，托杆保
护环3和托杆1的单边距离为2.5
‑
3mm，如在拉晶过程中，托杆1上存在固态硅颗粒，导致托杆保护环3和托杆1粘在一起，由于托杆保护环3为可移动式，并且可以从底加4中心穿过，因此，随着托杆1的升降及旋转，会带着托杆保护环3一起升降及旋转，不会造成液面晃动的情况，同时托杆保护环3可保护其他热场部件不与托杆1发生摩擦。
[0029]如在拉晶过程中，存在溅硅，由于托杆保护环3和托杆1的单边距离为2.5
‑
3mm，溅硅落在托杆保护环3上，而不会直接落入下轴波纹管中，可大大降低下轴波纹管被烫穿的概率。因此，通过本技术方案，新设计的托杆保护环3可有效降低拉晶过程中的液面晃动及波纹管烫穿的异常事故。
[0030]以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本技术的优选例，并不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉下轴保护装置，包括托杆(1)，所述托杆(1)安装在单晶炉下轴(2)上，其特征在于：所述托杆(1)的外侧上部安装有底加(4)，所述底加(4)的下方设置有防漏护板(5)，所述防漏护板(5)的底部安装有副石墨电极(6)，所述托杆(1)的中部外侧套设有托杆保护环(3)，所述托杆保护环(3)的外径满足能够自由穿过底加(4)，所述托杆(1)从托杆保护环(3)的中心穿过，进而和单晶炉下轴(2)装配一起。2.根据权利要求1所述的单晶炉下轴保护装置，其特征在于：所述托杆(1)的外侧套设有托杆护筒(11)。3.根据权利要求2所述的单晶炉下轴保护装置，其特征在于：所述防漏护板(5)、安装在副石墨电极(6)、底加(4)、托...

【专利技术属性】
技术研发人员：李安君，许堃，吴超慧，朱厚军，罗昌萍，
申请(专利权)人：宇泽半导体云南有限公司，
类型：新型
国别省市：