用于生长氧化铝/氧化硅和非晶硅薄膜的连续式生产设备制造技术

本发明专利技术公开了一种用于生长氧化铝/氧化硅和非晶硅薄膜的连续式生产设备，由平板式PEALD功能模块与射频/微波PECVD功能模块合并构成，该设备包括硅片传输机构和沿传输方向依次设置的上料腔、第一预热腔、原子层沉积工艺腔、第一缓存腔、过渡腔、第二预热腔、化学气相沉积工艺腔和下料腔，第二缓存腔、下料腔。相邻腔室之间均设有真空隔离阀，上料腔、第一预热腔、原子层沉积工艺腔、第一缓存腔构成平板式PEALD功能模块，过渡腔、第二预热腔、化学气相沉积工艺腔、第二缓存腔、下料腔构成PECVD功能模块。本发明专利技术将平板式PEALD功能模块和射频/微波PECVD功能模块二者合并在一台设备上、可以满足两种薄膜的生长要求。满足两种薄膜的生长要求。满足两种薄膜的生长要求。

【技术实现步骤摘要】
用于生长氧化铝/氧化硅和非晶硅薄膜的连续式生产设备


[0001]本专利技术涉及硅太阳能电池生产设备，尤其涉及一种用于生长氧化铝/氧化硅和非晶硅薄膜的连续式生产设备。

技术介绍

[0002]制备高效晶硅太阳能电池需要在硅片上生长氧化铝/氧化硅薄膜以及非晶硅薄膜，氧化铝/氧化硅薄膜为极薄薄膜(可小于3nm)，而非晶硅薄膜为较厚薄膜(可大于150nm)。对于两种薄膜的制备，目前主要有两种方式：一种是采用2道工序，先在一台设备上完成氧化铝/氧化硅薄膜的制备，然后取出硅片送到另一台设备或同一台设备的另一个工位进行非晶硅薄膜的制备。由于在两个工序或两台设备之间传送硅片时，要将硅片从真空环境的工艺腔体取出暴露在大气环境，容易造成污染，使得膜层质量发生变化，同时由于需要两台设备，占地面积大，所需作业人员多、硅片上下料机构多。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种将平板式PEALD功能模块和射频/微波PECVD功能模块二者合并在一台设备上、可以满足两种薄膜的生长的用于生长氧化铝/氧化硅和非晶硅薄膜的连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于生长氧化铝/氧化硅和非晶硅薄膜的连续式生产设备，其特征在于：所述连续式生产设备由平板式PEALD功能模块与射频/微波PECVD功能模块合并构成，所述连续式生产设备包括硅片传输机构和沿硅片传输机构传输方向依次设置的上料腔(1)、第一预热腔(2)、原子层沉积工艺腔(3)、第一缓存腔(4)、过渡腔(5)、第二预热腔(6)、化学气相沉积工艺腔(7)、第二缓存腔(8)和下料腔(9)，相邻腔室之间均设有真空隔离阀，所述原子层沉积工艺腔(3)内采用等离子体增强原子层沉积的方式生长氧化铝/氧化硅薄膜，所述化学气相沉积工艺腔(7)内采用等离子体增强化学气相沉积的方式生长非晶硅薄膜，所述等离子体增强化学气相沉积方式中等离子体的产生有射频激发和微波激发两种方法，所述上料腔(1)、第一预热腔(2)、原子层沉积工艺腔(3)、第一缓存腔(4)构成所述平板式PEALD功能模块，所述过渡腔(5)、第二预热腔(6)、化学气相沉积工艺腔(7)、第二缓存腔(8)、下料腔(9)构成所述射频/微波PECVD功能模块。2.根据权利要求1所述的用于生长氧化铝/氧化硅和非晶硅薄膜的连续式生产设备，其特征在于：所述硅片传输机构上设有放置硅片的载板，所述载板通过滚轮支撑组件在硅片传输机构上前进。3.根据权利要求1所述的用于生长氧化铝/氧化硅和非晶硅薄膜的连续式生产设备，其特征在于：所述化学气相沉积工艺腔(7)内沉积方式为大面积喷淋极板射频放电产生等离子体配合载板升降确定极板间距的静态沉积薄膜方式。4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈特超，苏卫中，唐电，陈臻阳，吴易龙，赵忠，
申请(专利权)人：湖南红太阳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：