本发明专利技术公开了一种用于降低系统误差对磁共振成像影响的方法及装置，包括：确定自旋回波的不同梯度的第一脉冲预设位置和第二脉冲预设位置；在所述第一脉冲预设位置和第二脉冲预设位置，在施加弥散梯度的基础上，同时施加大小相等、方向相反的幅度值；根据幅度值计算任一梯度产生的涡流，根据施加在第二脉冲预设位置的幅度值小于弥散梯度值，确定幅度值产生的涡流变小；通过施加在第二脉冲预设位置的幅度值小于弥散梯度值且方向相反，抵消弥散梯度产生的剩磁；基于涡流变小和剩磁变小，从而降低弥散梯度导致的系统误差对磁共振成像影响。低弥散梯度导致的系统误差对磁共振成像影响。低弥散梯度导致的系统误差对磁共振成像影响。
【技术实现步骤摘要】
一种用于降低系统误差对磁共振成像影响的方法及装置
[0001]本专利技术涉及磁共振成像
，具体涉及一种用于降低系统误差对磁共振成像影响的方法及装置。
技术介绍
[0002]弥散加权成像是一种新的磁共振成像技术，通过利用水分子运动弥散特性，在施加弥散梯度后，氢质子在梯度方向上表现出不同的信号幅度。由于不同组织的弥散系数不同，因此可以通过信号强度区分出不同组织。
[0003]弥散加权成像是的快速自旋回波具有扫描速度快，对匀场条件要求低，运动伪影小的特点，在弥散加权成像中使用，可以有效降低平面回波类图像的变形和伪影。快速自旋回波本身也有一些缺点，由于系统很难达到理论的理想状态，大量的聚相脉冲和梯度，导致回波链中的信号相位存在差异，体现在图像出现不可忽视的伪影。
技术实现思路
[0004]针对上述问题，本专利技术提供一种用于降低系统误差对磁共振成像影响的方法，包括：
[0005]确定自旋回波的不同梯度的第一脉冲预设位置和第二脉冲预设位置；
[0006]在所述第一脉冲预设位置和第二脉冲预设位置，在施加弥散梯度的基础上，同时施加大小相等、方向相反的幅度值；
[0007]根据幅度值计算任一梯度产生的涡流，根据施加在第二脉冲预设位置的幅度值小于弥散梯度值，确定幅度值产生的涡流变小；通过施加在第二脉冲预设位置的幅度值小于弥散梯度值且方向相反，抵消弥散梯度产生的剩磁；基于涡流变小和剩磁变小，从而降低弥散梯度导致的系统误差对磁共振成像影响。
[0008]进一步的，还包括：/>[0009]通过第一脉冲预设位置和第二脉冲预设位置施加的幅度值，将受激回波移出成像空间，从而降低弥散梯度导致的系统误差对磁共振成像影响。
[0010]进一步的，确定自旋回波的不同梯度的第一脉冲预设位置和第二脉冲预设位置，包括：
[0011]第一脉冲预设位置为第一个弥散梯度前，第二脉冲预设位置为最后一个弥散梯度后。
[0012]进一步的，所述幅度值小于所述弥散梯度值。
[0013]进一步的，计算任一梯度产生的涡流，具体计算公式为：
[0014][0015]其中，g为梯度产生的涡流，G为梯度，为卷积符，e(t)为用于计算涡流相应函数。
[0016]进一步的，根据施加在第二脉冲预设位置的幅度值小于弥散梯度值，确定幅度值
产生的涡流变小，包括：
[0017]根据涡流的计算公式，施加在第二脉冲预设位置的幅度值梯度小于弥散梯度，从而确定幅度值产生的涡流变小。
[0018]本专利技术同时提供一种用于降低系统误差对磁共振成像影响的装置，包括：
[0019]预设位置确定单元，用于确定自旋回波的不同梯度的第一脉冲预设位置和第二脉冲预设位置；
[0020]幅度值施加单元，用于在所述第一脉冲预设位置和第二脉冲预设位置，在施加弥散梯度的基础上，同时施加大小相等、方向相反的幅度值；
[0021]影响降低单元，用于根据幅度值计算任一梯度产生的涡流，根据施加在第二脉冲预设位置的幅度值小于弥散梯度值，确定幅度值产生的涡流变小；通过施加在第二脉冲预设位置的幅度值小于弥散梯度值且方向相反，抵消弥散梯度产生的剩磁；基于涡流变小和剩磁变小，从而降低弥散梯度导致的系统误差对磁共振成像影响。
[0022]进一步的，还包括：
[0023]受激回波移出单元，用于通过第一脉冲预设位置和第二脉冲预设位置施加的幅度值，将受激回波移出成像空间，从而降低弥散梯度导致的系统误差对磁共振成像影响。
[0024]进一步的，预设位置确定单元，包括：
[0025]预设位置确定子单元，用于确定第一脉冲预设位置为第一个弥散梯度前，第二脉冲预设位置为最后一个弥散梯度后。
[0026]进一步的，影响降低单元，包括：
[0027]涡流变小确定子单元，用于根据涡流的计算公式，施加在第二脉冲预设位置的幅度值梯度小于弥散梯度，从而确定幅度值产生的涡流变小。
[0028]本专利技术提供一种用于降低系统误差对磁共振成像影响的方法及装置，在第一脉冲预设位置和第二脉冲预设位置，在施加弥散梯度的基础上，同时施加大小相等、方向相反的幅度值；由于幅度值比弥散梯度小，dG/dt变小，可以有效的降低梯度上升沿和下降沿带来的涡流影响；正反梯度切换可以一定程度的抵消剩磁对图像的影响；由于施加的弥散梯度1，2梯度很小，在b＝0的图像中，可以选择性的不关闭这两个梯度，在第二个180
°
聚相脉冲后，受激回波信号受到这两个梯度的散相作用，后续回波信号中，与弥散梯度存在相同，不会在图像空间产生受激回波，保持了信号的一致性。
附图说明
[0029]图1是本专利技术提供的一种用于降低系统误差对磁共振成像影响的方法的流程示意图；
[0030]图2是本专利技术涉及的利用双聚相射频脉冲减少系统产生的涡流效应的时序图；
[0031]图3是本专利技术涉及的弥散梯度施加位置；
[0032]图4是本专利技术涉及的磁共振图像处理处理前后的对比图；
[0033]图5是本专利技术提供的一种用于降低系统误差对磁共振成像影响的装置的结构示意图。
具体实施方式
[0034]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。
[0035]在文章Reduction of eddy
‑
current
‑
induced distortion in diffusion MRI using a twice
‑
refocused spin echo中，提出可以利用双聚相射频脉冲减少系统产生的涡流效应，提高图像质量，如图2所示。此方法能一定程度消除涡流的影响，但是从公式(1)中可以发现，涡流只与梯度变化相关，
[0036][0037]其中，g为梯度产生的涡流，G为梯度，为卷积符，e(t)为用于计算涡流相应函数。
[0038]此方式对上升沿下降沿影响较小，效果有限。并且，此种方式梯度，会导致b＝0时产生受激回波，对图像信号值产生影响，最终影响ADC的准确性。
[0039]为了解决上述提到的各种问题，本专利技术提供一种用于降低系统误差对磁共振成像影响的方法，如图1所示，包括如下步骤：
[0040]步骤S101，确定自旋回波的不同梯度的第一脉冲预设位置和第二脉冲预设位置。
[0041]如图3所示，第一脉冲预设位置为第一个弥散梯度前，即图3箭头1所示位置，第二脉冲预设位置为最后一个弥散梯度后，即图3箭头2所示位置。
[0042]步骤S102，在所述第一脉冲预设位置和第二脉冲预设位置，在施加弥散梯度的基础上，同时施加大小相等、方向相反的幅度值。
[0043]在图3所示位置添加弥散梯度1和2，1和2的大小相等，正负相反，然后在施加弥散梯度的基础上，同本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于降低系统误差对磁共振成像影响的方法，其特征在于，包括：确定自旋回波的不同梯度的第一脉冲预设位置和第二脉冲预设位置；在所述第一脉冲预设位置和第二脉冲预设位置，在施加弥散梯度的基础上，同时施加大小相等、方向相反的幅度值；根据幅度值计算任一梯度产生的涡流，根据施加在第二脉冲预设位置的幅度值小于弥散梯度值，确定幅度值产生的涡流变小；通过施加在第二脉冲预设位置的幅度值小于弥散梯度值且方向相反，抵消弥散梯度产生的剩磁；基于涡流变小和剩磁变小，从而降低弥散梯度导致的系统误差对磁共振成像影响。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：通过第一脉冲预设位置和第二脉冲预设位置施加的幅度值，将受激回波移出成像空间，从而降低弥散梯度导致的系统误差对磁共振成像影响。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定自旋回波的不同梯度的第一脉冲预设位置和第二脉冲预设位置，包括：第一脉冲预设位置为第一个弥散梯度前，第二脉冲预设位置为最后一个弥散梯度后。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述幅度值小于所述弥散梯度值。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，计算任一梯度产生的涡流，具体计算公式为：其中，g为梯度产生的涡流，G为梯度，为卷积符，e(t)为用于计算涡流相应函数。6.根据权要求1或4所述的方法，其特征在于，根据施加在第二脉冲预设位置的幅度值小于弥散梯度值，确定幅度值产生的涡流变小，包括：根据涡流的...
【专利技术属性】
技术研发人员：张春光，王亚南，王义槐，张放，曹丽霞，
申请(专利权)人：佛山瑞加图医疗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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