陶瓷覆铜板及功率模块组件制造技术

本申请提出一种陶瓷覆铜板及功率模块组件，所述陶瓷覆铜板包括陶瓷层和设于所述陶瓷层相对两侧的第一金属层和第二金属层。所述陶瓷层设有用于冷却液流动的通道以及与所述通道连通的进液口和出液口，所述通道具有靠近所述第一金属层的顶壁和靠近所述第二金属层的底壁，所述通道内设有连接所述顶壁和所述底壁的陶瓷柱。本申请通过将陶瓷层内部设置中空的通道，可利用冷却液对陶瓷覆铜板自身进行冷却，提高陶瓷覆铜板自身的散热效果；且在陶瓷层上设置与芯片相对且连接通道的顶壁和底壁的陶瓷柱，增加了芯片所在区域的热传导并增加了冷却液与陶瓷覆铜板的接触面积，从而改善散热效果。热效果。热效果。

【技术实现步骤摘要】
Transistor，IGBT)或绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor，MOS)。
[0016]本申请通过将陶瓷层内部设置中空的通道，可利用冷却液对陶瓷覆铜板自身进行冷却，提高陶瓷覆铜板自身的散热效果；且在陶瓷层上设置与芯片相对且连接通道的顶壁和底壁的陶瓷柱，增加了芯片所在区域的热传导并增加了冷却液与陶瓷覆铜板的接触面积，从而改善散热效果。
附图说明
[0017]图1为本申请一实施方式的陶瓷覆铜板的结构示意图。
[0018]图2为本申请一实施方式的陶瓷覆铜板的剖面示意图。
[0019]图3为本申请一实施方式的陶瓷覆铜板的俯视图。
[0020]图4为本申请另一实施方式的陶瓷覆铜板的俯视图。
[0021]图5为本申请一实施方式的陶瓷覆铜板与树脂结合后的剖面示意图。
[0022]图6为本申请一实施方式的功率模块组件的结构示意图。
[0023]主要元件符号说明
[0024]陶瓷覆铜板
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100
[0025]陶瓷层
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10
[0026]第一金属层
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30
[0027]第二金属层
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50
[0028]通道
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11
[0029]陶瓷柱
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12
[0030]顶壁
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111
[0031]底壁
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112
[0032]进液口
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101
[0033]出液口
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102
[0034]第一部分
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103
[0035]第二部分
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104
[0036]延伸部
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105
[0037]树脂
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20
[0038]覆铜区
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301
[0039]功率模块组件
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1000
[0040]芯片
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200
[0041]如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本申请实施例。
具体实施方式
[0042]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请实施例的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请实施例。
[0043]需要说明，本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该
特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0044]这里参考剖面图描述本申请的实施例，这些剖面图是本申请理想化的实施例(和中间构造)的示意图。因而，由于制造工艺和/或公差而导致的图示的形状不同是可以预见的。因此，本申请的实施例不应解释为限于这里图示的区域的特定形状，而应包括例如由于制造而产生的形状的偏差。图中所示的区域本身仅是示意性的，它们的形状并非用于图示装置的实际形状，并且并非用于限制本申请的范围。
[0045]下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。
[0046]请参阅图1至图4，本申请一方面提供一种陶瓷覆铜板100，其包括陶瓷层10和设于所述陶瓷层10相对两侧的第一金属层30和第二金属层50。如图2所示，所述陶瓷层10为中空结构，其内设有用于冷却液(图未示)流动的通道11，所述通道11沿着所述陶瓷层10的延伸方向延伸。所述通道11具有靠近所述第一金属层30的顶壁111和靠近所述第二金属层50的底壁112。所述通道11内设有连接所述通道11的顶壁111和底壁112的陶瓷柱12。如图3和图4所示，所述陶瓷层10还设有与所述通道11连通的进液口101和出液口102。
[0047]如图3所示，所述进液口101和出液口102可设于所述陶瓷层10的左右两侧，例如，进液口101和出液口102位于所述陶瓷层10的长边上且呈不对称设置。如此，可使冷却液充分有效地流经需散热区域，提高散热效果。如图4所示，所述进液口101和出液口102还可设于所述陶瓷层10的上下两侧(即位于所述陶瓷层10的短边)，并且进液口101和出液口102可对称设置或不对称设置，以靠近发热源(例如，芯片等)为准。当所述陶瓷覆铜板100还配套外部的冷却装置(图未示)进行液冷时，进液口101和出液口102可根据冷却装置的散热介质的流动方向确定。当冷却装置中的散热介质的流动方向为水平流向时，所述进液口101和出液口102可设置在所述陶瓷层10的左右两侧；当冷却装置中的散热介质的流动方向为竖直流向时，所述进液口101和出液口102可设置在所述陶瓷层10的上下两侧。所述进液口101和出液口102的形状可设置为方形。方形的短边虽然会因陶瓷层10的厚度而受到限制，但方形长边的边长可灵活调整而起到调整进液口101和出液口102大小的作用。
[0048]一些实施例中，所述通道11的高度为2～4mm。若通道11的高度低于2mm，所述通道11中的冷却液的流动阻力将较大，将影响冷却液的流动，进而影响散热效果。若通道11的高度高于4mm，则陶瓷覆铜板100整体的厚度将较大，不利于产品的小型化和薄型化。
[0049]一些实施例中，如图2所示，所述陶瓷层10包括靠近所述第一金属层30的第一部分103和靠近所述第二金属层50的第二部分104，所述第一部分103具有突出于所述第二部分104的延伸部105。也即，所述第二部分104的正投影在所述第一部分103的正投影内，所述第一部分103比所述第二部分104多出来的部分即为延伸部105本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷覆铜板，包括陶瓷层和设于所述陶瓷层相对两侧的第一金属层和第二金属层，其特征在于，所述陶瓷层设有用于冷却液流动的通道以及与所述通道连通的进液口和出液口，所述通道具有靠近所述第一金属层的顶壁和靠近所述第二金属层的底壁，所述通道内设有连接所述顶壁和所述底壁的陶瓷柱。2.如权利要求1所述的陶瓷覆铜板，其特征在于，所述通道的高度为2～4mm。3.如权利要求1所述的陶瓷覆铜板，其特征在于，所述陶瓷层包括靠近所述第一金属层的第一部分和靠近所述第二金属层的第二部分，所述第一部分具有突出于所述第二部分的延伸部。4.如权利要求1所述的陶瓷覆铜板，其特征在于，所述冷却液包括水、乙醇或乙二...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄玲，和巍巍，汪之涵，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：