半导体封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括：基板，具有突出于基板的侧壁的线路；管芯，具有主动面，管芯的主动面与基板的侧壁相对设置，通过互连结构将管芯的主动面与突出于基板的侧壁的线路电连接。的主动面与突出于基板的侧壁的线路电连接。的主动面与突出于基板的侧壁的线路电连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种半导体封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在线路层X
‑
Y维度上的尺寸有限的情况下，一般的封装结构是在Z方向上进行堆栈，例如PoP(叠层封装)/3D封装结构。其中，上下线路层之间一般都是利用TSV(硅通孔)、TMV(模制通孔)或高导电柱(tall pillar)做为Z(垂直)方向的导电路径，使得堆栈的管芯(die)可通过上下线路层电性连接。然而，制作这些结构不仅制程复杂，且成本较高(例如TSV)，制程良率(例如TMV/高导电柱)也待商榷。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中的上述问题，本专利技术提出一种半导体封装结构及其形成方法。
[0004]本专利技术的实施例提供了一种半导体封装结构，包括：基板，具有突出于基板的侧壁的线路；管芯，具有主动面，管芯的主动面与基板的侧壁相对设置，通过互连结构将管芯的主动面与突出于基板的侧壁的线路电连接。
[0005]在上述半导体封装结构中，管芯的数量为多个。
[0006]在上述半导体封装结构中，多个管芯设置于基板的至少三个侧壁处，并电连接至突出于至少三个侧壁的线路。
[0007]在上述半导体封装结构中，还包括密封剂，覆盖在基板的上表面以及管芯的与主动面相对的被动面上，密封剂还位于基板的侧壁与管芯的主动面之间。
[0008]在上述半导体封装结构中，密封剂的下表面与管芯的下表面齐平。
[0009]在上述半导体封装结构中，管芯具有与基板的下表面朝向相同方向的侧壁，密封剂暴露管芯的侧壁。
[0010]在上述半导体封装结构中，还包括另外的管芯，位于基板的上表面上，另外的管芯的主动面与基板的上表面相对设置并连接。
[0011]在上述半导体封装结构中，还包括密封剂，覆盖在基板的上表面以及管芯的与主动面相对的被动面上，密封剂还位于基板的侧壁与管芯的主动面之间，密封剂围绕另外的管芯的侧壁并且暴露另外的管芯的被动面。
[0012]在上述半导体封装结构中，互连结构包括管芯的输入输出引脚。
[0013]在上述半导体封装结构中，输入输出引脚与突出于基板的侧壁的线路之间具有化镀层。
[0014]本专利技术的实施例还提供了一种形成半导体封装结构的方法，包括：提供基板，基板中具有由介电层覆盖和围绕的线路；对基板的侧壁进行处理以从基板的侧壁暴露出线路；将管芯的主动面与基板的侧壁相对设置，并将管芯的主动面与暴露的线路电连接。
[0015]在上述方法中，对基板的侧壁进行处理包括：去除介电层的部分，以从基板的侧壁暴露出线路。
[0016]在上述方法中，将管芯的主动面与暴露的线路电连接包括：使用化学镀制程将管芯的输入输出引脚与线路电连接。
[0017]在上述方法中，还包括：在基板的上表面上附接另外的管芯。
[0018]在上述方法中，附接另外的管芯包括：将另外的管芯的主动面附接至基板的上表面。
[0019]在上述方法中，管芯的数量为多个，其中，将多个管芯设置于基板的至少三个侧壁处，并电连接至突出于至少三个侧壁的线路。
[0020]在上述方法中，还包括形成密封剂，密封剂覆盖在基板的上表面以及管芯的与主动面相对的被动面上，密封剂还位于基板的侧壁与管芯的主动面之间。
[0021]在上述方法中，密封剂的下表面与管芯的下表面齐平。
[0022]在上述方法中，管芯具有与基板的下表面朝向相同方向的侧壁，密封剂暴露管芯的侧壁。
[0023]在上述方法中，提供基板包括：执行切割制程以形成单个的基板，其中，基板的上表面和下表面上具有胶带，并且在将管芯的主动面与暴露的线路电连接之后，去除胶带。
附图说明
[0024]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应当注意，根据工业中的标准实践，各个部件并非按比例绘制。事实上，为了清楚讨论，各个部件的尺寸可以任意增大或减小。
[0025]图1是根据本专利技术实施例的半导体封装结构的示意图。
[0026]图2A是图1的半导体封装结构的俯视示意图。
[0027]图2B示出了根据本专利技术实施例的半导体封装结构的基板的暴露焊盘和侧壁处线路的立体图。
[0028]图2C是在图2B中的基板侧壁上附接了管芯和在基板上表面上附接了另外的管芯的立体图。
[0029]图2D是在图2C的结构中形成密封剂的立体图。
[0030]图3A是根据本专利技术实施例的半导体封装结构的立体图。
[0031]图3B是根据本专利技术另一实施例的半导体封装结构的立体图。
[0032]图4至图11是根据本专利技术实施例的形成半导体封装结构的方法的各个阶段的示意图。
具体实施方式
[0033]下列公开提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面将描述元件和布置的特定实例以简化本专利技术。当然这些仅仅是实例并不旨在限定本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括在第一部件和第二部件之间形成额外的部件使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。而且，本专利技术在各个实例中可重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0034]本专利技术的实施例提供了一种半导体封装结构。图1是根据本专利技术实施例的半导体封装结构的示意图。如图1所示，半导体封装结构包括基板110，基板110具有突出于基板110的侧壁1103的线路120。管芯130邻近基板110的侧壁1103设置，并且管芯130的主动面1301与基板110的侧壁1103相对设置。并且，通过互连结构1305将管芯130的主动面1301与突出于基板110的侧壁1103的线路120电连接。
[0035]本专利技术的技术方案利用管芯130的主动面1301与基板110的侧壁1103上的线路120并排且间隔开的设置，再利用互连结构1305将管芯130的主动面1301的线路与基板110的侧壁1103上的线路120进行连接，进而可在基板的X
‑
Y维度上提供管芯连接结构，同时也缩短了讯号传输路径。
[0036]在一些实施例中，连接基板110与管芯130的互连结构1305可以是管芯130的输入输出引脚。并且，在例如输入输出引脚的互连结构1305与突出于基板110的侧壁1103的线路120之间具有化镀层140。这是因为利用化学镀制程使管芯的主动面的线路与基板110的侧壁上的线路进行连接，从而形成化镀层140。在其他实施例中，也可以采用其他适当的结构来连接管芯130的主动面1301的线路与基板110的侧壁1103上的线路120，本专利技术对此不进行限定。
[0037]继续参考图1所示，半导体封装结构还包括位于基板110的上表面1101上的另外的管芯150。另外的管芯150的主动面与基板110的上表面1101相对设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基板，具有突出于所述基板的侧壁的线路；管芯，具有主动面，所述管芯的所述主动面与所述基板的所述侧壁相对设置，通过互连结构将所述管芯的所述主动面与突出于所述基板的所述侧壁的所述线路电连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述管芯的数量为多个。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，多个所述管芯设置于所述基板的至少三个侧壁处，并电连接至突出于所述至少三个侧壁的线路。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：密封剂，覆盖在所述基板的上表面以及所述管芯的与所述主动面相对的被动面上，所述密封剂还位于所述基板的所述侧壁与所述管芯的所述主动面之间。5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述密封剂的下表面与所述管芯的下表面齐平。6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述管芯具有与所述基板的所述下表面朝向相同方向的侧壁，所述密封剂暴露所述管芯的所述侧壁。7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：另外的管芯，位于所述基板的上表面上，所述另外的管芯的主动面与所述基板的所述上表面相对设置并连接。8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：密封剂，覆盖在所述基板的上表面以及所述管芯的与所述主动面相对的被动面上，所述密封剂还位于所述基板的所述侧壁与所述管芯的所述主动面之间，所述密封剂围绕所述另外的管芯的侧壁并且暴露所述另外的管芯的被动面。9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述互连结构包括所...

【专利技术属性】
技术研发人员：凃顺财，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：