外延层的去除方法、返工方法及半导体工艺方法技术

本申请涉及一种外延层的去除方法、返工方法及半导体工艺方法。所述外延层的去除方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有金属结构及外延层，所述金属结构位于所述外延层内；采用湿法腐蚀溶液去除所述外延层；相同条件下，所述湿法腐蚀溶液对所述外延层的去除速率大于所述湿法腐蚀溶液对所述金属结构的去除速率，且大于所述湿法腐蚀溶液对氧化物的去除速率。衬底上形成有金属结构及外延层，金属结构位于外延层内，相同条件下湿法腐蚀溶液对外延层的去除速率大于湿法腐蚀溶液对金属结构的去除速率，采用湿法腐蚀溶液去除外延层时，不会对金属结构造成严重破坏，可以改善衬底正面的外延层出现异常时，没有较好的去除外延硅的方式的问题。的问题。的问题。

【技术实现步骤摘要】
外延层的去除方法、返工方法及半导体工艺方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种外延层的去除方法、返工方法及半导体工艺方法。

技术介绍

[0002]现有的半导体结构中，外延层用于对金属结构进行隔离防护，对保护金属结构不受破坏具有至关重要的作用。
[0003]在半导体产品处于后段工艺制程时，位于衬底正面的外延层出现异常时，一般采用氢氟酸或硝酸去除外延层，然而这样的去除方式会对金属结构造成严重腐蚀，破坏半导体产品的核心结构，常规选择中没有较好的去除外延硅的方式。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述去除外延层时对金属结构造成严重破坏的问题提供一种外延层的去除方法、返工方法及半导体工艺方法。
[0005]为了实现上述目的，一方面，本申请提供了一种外延层的去除方法，包括：
[0006]提供衬底，所述衬底上形成有金属结构及外延层，所述金属结构位于所述外延层内；
[0007]采用湿法腐蚀溶液去除所述外延层；相同条件下，所述湿法腐蚀溶液对所述外延层的去除速率大于所述湿法腐蚀溶液对所述金属结构的去除速率，且大于所述湿法腐蚀溶液对氧化物的去除速率。
[0008]在其中一个实施例中，所述外延层包括硅外延层，所述湿法腐蚀溶液包括蚀刻后残留物去除液。
[0009]在其中一个实施例中，所述蚀刻后残留物去除液包括：乙醇胺、异丙醇胺、羟胺、邻苯二酚及2
‑
(2
‑
胺基乙氧)乙醇。
[0010]在其中一个实施例中，所述蚀刻后残留物去除液还包括：硫酸、氢氟酸、硝酸及没食子酸。
[0011]在其中一个实施例中，所述蚀刻后残留物去除液中，硫酸：氢氟酸：硝酸的体积百分比为5:1:1～10:1:1。
[0012]在其中一个实施例中，所述湿法腐蚀溶液对所述外延层及所述金属结构的刻蚀选择比为30:1～50:1。
[0013]在其中一个实施例中，所述采用湿法腐蚀溶液去除所述外延层的过程中，去除温度为50℃～90℃。
[0014]在其中一个实施例中，所述金属结构及所述外延层均位于所述衬底的正面。
[0015]本申请还提供一种外延层的返工方法，包括：
[0016]采用上述任一项方案所述的外延层的去除方法去除所述外延层；
[0017]于所述衬底上重新外延生长外延层，所述金属结构位于重新外延生长的外延层
内。
[0018]本申请还提供一种半导体工艺方法，包括：如上述方案所述的外延层的返工方法。
[0019]本申请的外延层的去除方法中，衬底上形成有金属结构及外延层，金属结构位于外延层内，相同条件下，湿法腐蚀溶液对外延层的去除速率大于湿法腐蚀溶液对金属结构的去除速率，且大于湿法腐蚀溶液对氧化物的去除速率，在通过采用湿法腐蚀溶液去除外延层时，湿法腐蚀溶液不会对金属结构和氧化物造成严重破坏，以改善衬底正面的外延层出现异常时，没有较好的去除外延硅的方式的问题。
[0020]本申请的外延层的返工方法，采用本申请的外延层的去除方法去除外延层，因为相同条件下，湿法腐蚀溶液对外延层的去除速率大于湿法腐蚀溶液对金属结构的去除速率，且大于湿法腐蚀溶液对氧化物的去除速率，在通过采用湿法腐蚀溶液去除外延层时，湿法腐蚀溶液不会对金属结构和氧化物造成严重破坏，使得返工过程中金属结构不会受到严重损伤，然后在衬底上重新外延生长外延层，金属结构位于重新外延生长的外延层内，以帮助获得结构优良的半导体产品。
[0021]本申请的半导体工艺方法，包括本申请的外延层的返工方法，其有益效果可以参照本申请的外延层的返工方法的技术效果，此处不做赘述。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为一实施例中提供的外延层的去除方法的流程图；
[0024]图2为一实施例中提供的外延层的返工方法的流程图；
[0025]图3为另一实施例中提供的外延层的返工方法的流程图。
具体实施方式
[0026]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
[0027]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0028]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0029]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在
第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0030]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
[0031]应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。
[0032]空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延层的去除方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有金属结构及外延层，所述金属结构位于所述外延层内；采用湿法腐蚀溶液去除所述外延层；相同条件下，所述湿法腐蚀溶液对所述外延层的去除速率大于所述湿法腐蚀溶液对所述金属结构的去除速率，且大于所述湿法腐蚀溶液对氧化物的去除速率。2.根据权利要求1所述的外延层的去除方法，其特征在于，所述外延层包括硅外延层，所述湿法腐蚀溶液包括蚀刻后残留物去除液。3.根据权利要求2所述的外延层的去除方法，其特征在于，所述蚀刻后残留物去除液包括：乙醇胺、异丙醇胺、羟胺、邻苯二酚及2
‑
(2
‑
胺基乙氧)乙醇。4.根据权利要求3所述的外延层的去除方法，其特征在于，所述蚀刻后残留物去除液还包括：硫酸、氢氟酸、硝酸及没食子酸。5.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄望超，石强，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：