小尺寸高密度铜柱的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种小尺寸高密度铜柱的制备方法。其包括：提供一基底，并对所述基底刻蚀，以在基底内形成所需的铜柱沟槽；在铜柱沟槽内制备种子层，并对制备种子层后的铜柱沟槽内进行电镀填充，以形成若干填满铜柱沟槽内的槽内铜柱体；将一临时键合载片与上述制备有槽内铜柱体的基底临时键合，其中，在键合后，铜柱沟槽的槽口与临时键合载片对应且邻近；将上述的基底去除，支撑于临时键合载片上的槽内铜柱体形成所需的铜柱。本发明专利技术能有效制备得到小尺寸高密度铜柱，避免铜柱存在较明显的侧蚀，提高铜柱结合力，与现有工艺兼容，安全可靠。安全可靠。安全可靠。

【技术实现步骤摘要】
小尺寸高密度铜柱的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种制备方法，尤其是一种小尺寸高密度铜柱的制备方法。

技术介绍

[0002]目前，SiP(System In a Package)、POP(package
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on
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package)等芯片封装方式，往往使用铜柱实现top die(上层裸片)和bottom die(下层裸片)垂直方向的互连。
[0003]现有技术中，铜柱加工主要使用光刻的方式，流程为溅射
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光刻
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电镀
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去胶
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湿法腐蚀，光刻胶一般选择干膜光刻胶。但对所述光刻方式，由于目前厚膜光刻胶的分辨率的问题，一般光刻的开口CD>＝50μm，这就导致最终的铜柱尺寸无法进一步缩小，进而无法提升铜柱的密度。
[0004]此外，由于光刻过程中光散射的问题，最终的光刻开口CD侧壁垂直度较差，会增加后续电镀的难度。不仅如此，由于电镀后，需要腐蚀种子层，铜柱会有较明显的undercut(侧蚀)，影响后续铜柱与基底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种小尺寸高密度铜柱的制备方法，其特征是，所述制备方法包括：提供一基底，并对所述基底刻蚀，以在基底内形成所需的铜柱沟槽；在铜柱沟槽内制备种子层，并对制备种子层后的铜柱沟槽内进行电镀填充，以形成若干填满铜柱沟槽内的槽内铜柱体；将一临时键合载片与上述制备有槽内铜柱体的基底临时键合，其中，在键合后，铜柱沟槽的槽口与临时键合载片对应且邻近；将上述的基底去除，支撑于临时键合载片上的槽内铜柱体形成所需的铜柱。2.根据权利要求1所述小尺寸高密度铜柱的制备方法，其特征是，对基底刻蚀形成铜柱沟槽时，制备铜柱沟槽的过程包括：在基底的正面涂覆一光刻胶层，并对所涂覆的光刻胶层进行光刻，以形成若干贯通光刻胶层的光刻胶层窗口，通过所述光刻胶层窗口使得与所述光刻胶层窗口正对应基底的正面露出；对上述基底采用Bosch工艺进行沟槽刻蚀，以在基底内形成所需的铜柱沟槽，铜柱沟槽从基底的正面垂直向下延伸；在制备得到铜柱沟槽后，对上述基底的正面进行清洗，以去除光刻胶层。3.根据权利要求1所述小尺寸高密度铜柱的制备方法，其特征是，制备种子层的工艺包括PVD，所述种子层为Cu或Ti/Cu。4.根据权利要求1所述小尺寸高密度铜柱的制备方法，其特征是，制备槽内铜柱体内时，所述制备过程包括：进行铜...

【专利技术属性】
技术研发人员：王华，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：