显示设备及制造显示设备的方法技术

公开了显示设备及制造显示设备的方法，显示设备包括：衬底，包括显示区域和非显示区域，显示区域中定位有像素；第一电极和第二电极，在显示区域中并且彼此间隔开；发光元件，在第一电极和第二电极之间；连接电极，电连接到发光元件；扇出线，在非显示区域中电连接到像素；第一焊盘电极，在扇出线上；焊盘连接电极，在扇出线和第一焊盘电极上，并且将扇出线和第一焊盘电极电连接；以及第二焊盘电极，与连接电极中的至少一个在相同的层处，并且接触第一焊盘电极。电极。电极。

【技术实现步骤摘要】
显示设备及制造显示设备的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年7月8日提交的第10
‑
2021
‑
0089851号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文中。


[0003]本公开的各种实施方式涉及显示设备及制造显示设备的方法。

技术介绍

[0004]随着对信息显示的兴趣的增加，显示设备的研究和开发不断地进行。

技术实现思路

[0005]本公开的各种实施方式涉及显示设备及制造显示设备的方法，其能够减小或最小化焊盘组件的接触电阻。
[0006]本公开的实施方式的效果、方面和特征不限于上述效果、方面和特征，并且本领域技术人员将从所附的说明书、附图和权利要求书清楚地理解本公开的实施方式的其它未提及的效果、方面和特征。
[0007]本公开的一个或更多个实施方式可以提供显示设备，显示设备包括：衬底，包括显示区域和非显示区域，显示区域中定位有像素；第一电极和第二电极，在显示区域中并且彼此间隔开；发光元件，在第一电极和第二电极之间；连接电极，电连接到发光元件；扇出线，在非显示区域中电连接到像素；第一焊盘电极，在扇出线上；焊盘连接电极，在扇出线和第一焊盘电极上，并且将扇出线和第一焊盘电极电连接；以及第二焊盘电极，与连接电极中的至少一个在相同的层处，并且接触第一焊盘电极。
[0008]显示设备还可以包括：下导电层，在衬底上；栅电极，在下导电层上；半导体图案，在下导电层和栅电极之间；以及源电极和漏电极，在半导体图案上，其中，第一焊盘电极可以与栅电极在相同的层处。
[0009]焊盘连接电极可以与源电极或漏电极在相同的层处。
[0010]显示设备还可以包括覆盖焊盘连接电极的子连接电极。
[0011]子连接电极可以与第一电极和第二电极在相同的层处。
[0012]扇出线可以与下导电层在相同的层处。
[0013]显示设备还可以包括在源电极或漏电极上的钝化层，并且钝化层可以包括暴露第二焊盘电极的开口。
[0014]钝化层可以覆盖焊盘连接电极。
[0015]第一焊盘电极可以包括：第一电极层，包括钛(Ti)；第二电极层，在第一电极层上并且包括铜(Cu)；第三电极层，在第二电极层上并且包括钛(Ti)；以及第四电极层，在第三电极层上并且包括氧化铟锡(ITO)。
[0016]连接电极可以包括第一连接电极和第二连接电极，第一连接电极电连接到发光元
件的第一端，第二连接电极电连接到发光元件的第二端。
[0017]显示设备还可以包括在第一连接电极和第二连接电极之间的绝缘层。
[0018]显示设备还可以包括在第二焊盘电极上的第三焊盘电极，并且第二焊盘电极可以与第一连接电极在相同的层处，并且第三焊盘电极可以与第二连接电极在相同的层处。
[0019]绝缘层可以包括暴露第二焊盘电极的开口。
[0020]第二焊盘电极可以与第二连接电极在相同的层处。
[0021]第一连接电极和第二连接电极可以在相同的层处。
[0022]本公开的一个或更多个实施方式可以提供制造显示设备的方法，该方法包括：在衬底的显示区域中形成下导电层，并且在衬底的非显示区域中形成扇出线；在下导电层上形成栅电极，并且在扇出线上形成第一焊盘电极；在栅电极上形成源电极和漏电极，并且在第一焊盘电极上形成焊盘连接电极；在源电极或漏电极上形成第一电极和第二电极；在第一电极和第二电极之间设置发光元件；以及在发光元件上形成连接电极，并且在第一焊盘电极上形成第二焊盘电极，其中，焊盘连接电极可以将扇出线和第一焊盘电极电连接，并且第二焊盘电极可以接触第一焊盘电极。
[0023]该方法还可以包括：在栅电极和第一焊盘电极上形成层间绝缘层；在层间绝缘层上形成钝化层；通过蚀刻钝化层形成开口；以及初次蚀刻被钝化层的开口暴露的层间绝缘层。
[0024]被钝化层的开口暴露的层间绝缘层的厚度可以小于被钝化层覆盖的层间绝缘层的厚度。
[0025]该方法还可以包括在钝化层上形成过孔层。在形成开口时，可以并行地蚀刻钝化层和过孔层，并且钝化层和过孔层的蚀刻表面可以形成相同的平面。
[0026]该方法还可以包括：在第一电极和第二电极上形成第一绝缘层；通过蚀刻第一绝缘层形成接触部；以及第二次蚀刻被第一绝缘层的接触部暴露的层间绝缘层。
[0027]该方法还可以包括：在发光元件上形成第二绝缘层；通过蚀刻第二绝缘层形成开口；以及通过第三次蚀刻被第二绝缘层的开口暴露的层间绝缘层来形成接触部。
[0028]第二焊盘电极可以通过层间绝缘层的接触部和第一绝缘层的接触部接触第一焊盘电极。
[0029]各种实施方式的细节被包括在详细的说明书和附图中。
附图说明
[0030]图1和图2是示出根据本公开的一个或更多个实施方式的发光元件的立体图和剖视图。
[0031]图3是示出根据本公开的一个或更多个实施方式的显示设备的平面图。
[0032]图4是示出根据本公开的一个或更多个实施方式的像素的电路图。
[0033]图5是示出根据本公开的一个或更多个实施方式的像素的剖视图。
[0034]图6是示出根据本公开的一个或更多个实施方式的像素的剖视图。
[0035]图7和图8是示出根据本公开的一个或更多个实施方式的焊盘区域的剖视图。
[0036]图9和图10是示出根据本公开的一个或更多个实施方式的图7的第一焊盘电极的放大剖视图。
[0037]图11是示出根据本公开的一个或更多个实施方式的焊盘区域的剖视图。
[0038]图12是示出根据本公开的一个或更多个实施方式的焊盘区域的剖视图。
[0039]图13是示出根据本公开的一个或更多个实施方式的焊盘区域的剖视图。
[0040]图14是示出根据本公开的一个或更多个实施方式的焊盘区域的剖视图。
[0041]图15至图30是描述制造根据本公开的一个或更多个实施方式的显示设备的方法的各个工艺步骤的剖视图。
[0042]图31至图33是描述制造根据本公开的一个或更多个实施方式的显示设备的方法的各个工艺步骤的剖视图。
[0043]图34至图36是描述制造根据本公开的一个或更多个实施方式的显示设备的方法的各个工艺步骤的剖视图。
[0044]图37至图41是描述制造根据本公开的一个或更多个实施方式的显示设备的方法的各个工艺步骤的剖视图。
[0045]图42至图44是描述制造根据本公开的一个或更多个实施方式的显示设备的方法的各个工艺步骤的剖视图。
具体实施方式
[0046]参考稍后结合附图详细描述的实施方式，将清楚本公开的实施方式的方面和特征以及用于实现本公开的实施方式的方法。本公开不限于以下实施方式，并且各种修改是可能的。提供本实施方式以使本公开完整并且使本领域中技术人员完全理解本公开的范围，并且本公开仅由权利要求书的范本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.显示设备，包括：衬底，包括显示区域和非显示区域，所述显示区域中定位有像素；第一电极和第二电极，在所述显示区域中并且彼此间隔开；发光元件，在所述第一电极和所述第二电极之间；连接电极，电连接到所述发光元件；扇出线，在所述非显示区域中电连接到所述像素；第一焊盘电极，在所述扇出线上；焊盘连接电极，在所述扇出线和所述第一焊盘电极上，并且将所述扇出线和所述第一焊盘电极电连接；以及第二焊盘电极，与所述连接电极中的至少一个在相同的层处，并且接触所述第一焊盘电极。2.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：下导电层，在所述衬底上；栅电极，在所述下导电层上；半导体图案，在所述下导电层和所述栅电极之间；以及源电极和漏电极，在所述半导体图案上，其中，所述第一焊盘电极与所述栅电极在相同的层处。3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述焊盘连接电极与所述源电极或所述漏电极在相同的层处。4.根据权利要求3所述的显示设备，还包括覆盖所述焊盘连接电极的子连接电极。5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述子连接电极与所述第一电极和所述第二电极在相同的层处。6.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述扇出线与所述下导电层在相同的层处。7.根据权利要求2所述的显示设备，还包括在所述源电极或所述漏电极上的钝化层，其中，所述钝化层包括暴露所述第二焊盘电极的开口。8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述钝化层覆盖所述焊盘连接电极。9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一焊盘电极包括：第一电极层，包括钛；第二电极层，在所述第一电极层上并且包括铜；第三电极层，在所述第二电极层上并且包括钛；以及第四电极层，在所述第三电极层上并且包括氧化铟锡。10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述连接电极包括第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极电连接到所述发光元件的第一端，所述第二连接电极电连接到所述发光元件的第二端。11.根据权利要求10所述的显示设备，还包括在所述第一连接电极和所述第二连接电极之间的绝缘层。12.根据权利要求11所述的显示设备，还包括在所述第二焊盘电极上的第三焊盘电极，其中，所述第二焊盘电极与所述第一连接电极在相同的层处，以及其中，所述第三焊盘电极与...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴度昤，蔡锺哲，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：