提供一种显示装置及显示装置的制造方法。所述显示装置包括：基板；半导体层，布置于所述基板上，并且包括第一晶体管的沟道及第二晶体管的沟道；第一绝缘层，布置于所述半导体层上；以及第一导电层，布置于所述第一绝缘层上，并且包括所述第一晶体管的栅极电极及所述第二晶体管的栅极电极，其中，所述第一晶体管的所述沟道及所述第二晶体管的所述沟道包括第一杂质离子，所述第一晶体管的所述沟道还包括与所述第一杂质离子不同的第二杂质离子。所述第一杂质离子不同的第二杂质离子。所述第一杂质离子不同的第二杂质离子。
【技术实现步骤摘要】
显示装置及显示装置的制造方法
[0001]本专利技术涉及一种显示装置及显示装置的制造方法。
技术介绍
[0002]随着信息化社会的发展，对用于显示图像的显示装置的要求正以多样的形态增加。例如，显示装置应用于诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航仪以及智能电视之类的各种电子设备。
[0003]作为显示装置，可以使用诸如液晶显示装置(LCD：Liquid Crystal Display)、有机发光显示装置(OLED：Organic Light Emitting Display)等多种种类的显示装置。其中，有机发光显示装置利用通过电子与空穴的复合产生光的有机发光元件来显示图像。有机发光显示装置包括向有机发光元件提供驱动电流的多个晶体管。
[0004]多个晶体管中的每一个可以包括沟道区域，各个晶体管的沟道区域可以被掺杂(doping)。
技术实现思路
[0005]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种改善滞后(hysteresis)及瞬间残像并改善开关(switching)晶体管(transistor)的特性的显示装置。
[0006]本专利技术的所要解决的技术问题不限于上述技术问题，本领域技术人员通过以下记载将清楚地理解未提及的其他技术问题。
[0007]用于解决上述技术问题的根据一实施例的显示装置包括：基板；半导体层，布置于所述基板上，并且包括第一晶体管的沟道及第二晶体管的沟道；第一绝缘层，布置于所述半导体层上；以及第一导电层，布置于所述第一绝缘层上，并且包括所述第一晶体管的栅极电极及所述第二晶体管的栅极电极，其中，所述第一晶体管的所述沟道及所述第二晶体管的所述沟道包括第一杂质离子，所述第一晶体管的所述沟道还包括与所述第一杂质离子不同的第二杂质离子。
[0008]所述第一杂质离子可以包括III族元素，所述第二杂质离子可以包括V族元素。
[0009]所述第一杂质离子可以包括硼(B：boron)，所述第二杂质离子可以包括磷(P：phosphorus)。
[0010]所述第一杂质离子可以包括V族元素，所述第二杂质离子可以包括III族元素。
[0011]所述第一杂质离子可以包括磷(P：phosphorus)，所述第二杂质离子可以包括硼(B：boron)。
[0012]所述第二晶体管的所述沟道可以经过氢等离子体处理。
[0013]所述第二晶体管的所述沟道的氢含量可以大于所述第一晶体管的所述沟道的氢含量。
[0014]所述第一晶体管还可以包括第一电极及第二电极，所述第二晶体管布置于所述第一晶体管的所述第二电极与所述第一晶体管的所述栅极电极之间。
[0015]所述显示装置还可以包括：第一电源电压线，与所述第一晶体管的所述第一电极电连接；以及发光元件，与所述第一晶体管的所述第二电极电连接。
[0016]用于解决上述技术问题的根据一实施例的显示装置包括：第一电源电压线；发光元件；第一晶体管，包括与所述第一电源电压线电连接的第一电极、与所述发光元件电连接的第二电极、栅极电极及沟道；以及第二晶体管，布置于所述第一晶体管的所述第二电极与所述第一晶体管的所述栅极电极之间，并且包括沟道，其中，所述第一晶体管的所述沟道及所述第二晶体管的所述沟道包括第一杂质离子，所述第一晶体管的所述沟道还包括与所述第一杂质离子不同的第二杂质离子。
[0017]所述第一杂质离子可以包括III族元素，所述第二杂质离子可以包括V族元素。
[0018]所述第一杂质离子可以包括硼(B：boron)，所述第二杂质离子可以包括磷(P：phosphorus)。
[0019]所述第一杂质离子可以包括V族元素，所述第二杂质离子可以包括III族元素。
[0020]所述第一杂质离子可以包括磷(P：phosphorus)，所述第二杂质离子可以包括硼(B：boron)。
[0021]所述显示装置还可以包括数据线以及布置于所述数据线与所述第一晶体管的所述第一电极之间的第三晶体管，所述第三晶体管包括沟道，所述第三晶体管的所述沟道包括与所述第二晶体管的所述沟道相同的物质。
[0022]用于解决上述技术问题的根据一实施例的显示装置的制造方法，包括如下步骤：对包括第一掺杂区及第二掺杂区的半导体层进行掺杂，其中，所述第一掺杂区及所述第二掺杂区掺杂第一杂质离子，所述第一掺杂区还掺杂与所述第一杂质离子不同的第二杂质离子。
[0023]对所述半导体层进行掺杂的步骤可以包括如下步骤：利用所述第一杂质离子及所述第二杂质离子掺杂所述第一掺杂区；以及利用所述第一杂质离子掺杂所述第二掺杂区。
[0024]对所述半导体层进行掺杂的步骤可以包括如下步骤：利用所述第一杂质离子掺杂所述第一掺杂区及所述第二掺杂区；以及利用所述第二杂质离子掺杂所述第一掺杂区。
[0025]所述第一杂质离子可以包括硼(B：boron)，所述第二杂质离子可以包括磷(P：phosphorus)。
[0026]所述第一杂质离子可以包括磷(P：phosphorus)，所述第二杂质离子可以包括硼(B：boron)。
[0027]其他实施例的具体事项包括于详细的说明以及附图。
[0028]通过根据一实施例的显示装置，能够改善滞后(hysteresis)及瞬间残像并改善开关(switching)晶体管(transistor)的特性。
[0029]根据实施例的效果并不局限于以上举例示出的内容，更加多样的效果包括在本说明书内。
附图说明
[0030]图1是根据一实施例的显示装置的平面图。
[0031]图2是图1的显示装置的侧视图。
[0032]图3是详细示出根据一实施例的一像素的电路图。
[0033]图4是根据一实施例的显示装置的像素的布局图。
[0034]图5是根据一实施例的像素的半导体层及第一导电层的布局图。
[0035]图6是沿图4的VI
‑
VI'线截取的剖视图。
[0036]图7是示出根据掺杂到驱动晶体管的沟道的杂质离子的滞后的图表。
[0037]图8是示出根据掺杂到驱动晶体管的沟道的杂质离子的瞬间残像的图表。
[0038]图9是示出根据掺杂到开关晶体管的沟道的杂质离子的载流子迁移率(carrier mobility)的图表。
[0039]图10是示出根据掺杂到开关晶体管的沟道的杂质离子的驱动电压范围(DR range)的图表。
[0040]图11及图12是用于说明根据一实施例的显示装置的制造方法的剖视图。
[0041]图13是根据另一实施例的像素的半导体层及第一导电层的布局图。
[0042]图14至图16是用于说明根据另一实施例的显示装置的制造方法的剖视图。
[0043]附图标记说明
[0044]1：显示装置
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10：显示面板
[0045]SUB：基板
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：基板；半导体层，布置于所述基板上，并且包括第一晶体管的沟道及第二晶体管的沟道；第一绝缘层，布置于所述半导体层上；以及第一导电层，布置于所述第一绝缘层上，并且包括所述第一晶体管的栅极电极及所述第二晶体管的栅极电极，其中，所述第一晶体管的所述沟道及所述第二晶体管的所述沟道包括第一杂质离子，所述第一晶体管的所述沟道还包括与所述第一杂质离子不同的第二杂质离子。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一杂质离子包括III族元素，所述第二杂质离子包括V族元素。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一杂质离子包括硼，所述第二杂质离子包括磷。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一杂质离子包括V族元素，所述第二杂质离子包括III族元素。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一杂质离子包括磷，所述第二杂质离子包括硼。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二晶体管的所述沟道经过氢等离子体处理。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二晶体管的所述沟道的氢含量大于所述第一晶体管的所述沟道的氢含量。8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一晶体管还包括第一电极及第二电极，所述第二晶体管布置于所述第一晶体管的所述第二电极与所述第一晶体管的所述栅极电极之间。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，还包括：第一电源电压线，与所述第一晶体管的所述第一电极电连接；以及发光元件，与所述第一晶体管的所述第二电极电连接。10.一种显示装置，包括：第一电源电压线；发光元件；第一晶体管，包括与所述第一电源电压线电连接的第一电极、与所述发光元件电连接的第二电极、栅极电极及沟道；以及第二晶体管，布置于所述第一晶体管的所述第二电极与所述第一晶体管的所述栅极电极之间，并且包括沟道，其中，所述第一晶体管的所述沟道...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐宗吾，金长玄，郑在祐，崔锺勳，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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