【技术实现步骤摘要】
一种异质结双极晶体管缺陷检测方法
[0001]本专利技术涉及电子器件检测
，具体而言，涉及一种异质结双极晶体管缺陷检测方法。
技术介绍
[0002]与传统硅基双极型晶体管相比，磷化铟异质结双极晶体管(InP HBTs)具备诸多独特优势，包括基区具有更高的电子迁移率、集电区具有更高的电子漂移速率、衬底具有更高热导率以及更低的表面复合速率、功率密度高、较好的线性度和可重复性等特征，决定了其在高频高速器件领域的应用优势，在射频和微波等领域展现出较强的竞争力，有望在卫星、雷达等领域中实现大规模应用。InP HBTs在严重的空间环境下会承受各种宇宙射线和高能粒子的辐射影响，不同类型的辐射粒子损伤特征和机制不同，会在器件内部引入或激活缺陷，导致性能退化、失效率增加。这些缺陷状态与入射粒子能量、类型、辐照注量等属性有关外，还与材料属性密切相关。
[0003]目前，大多数InP HBTs辐照相关分析只停留在性能分析层面上，少有深入分析器件辐照之后产生的缺陷种类、状态等，导致对InP HBTs中缺陷性质和缺陷行为的认识不够，辐射
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种异质结双极晶体管缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤：获取异质结双极晶体管在预设电压时的C
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V曲线和1/C2‑
V曲线；确定所述C
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V曲线和所述1/C2‑
V曲线在第一预设电压范围内的变化情况；根据所述变化情况控制深能级瞬态谱的C
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V测试模块或I
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V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测。2.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管缺陷检测方法，其特征在于，所述根据所述变化情况控制深能级瞬态谱的C
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V测试模块或I
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V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测包括：当所述C
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V曲线在所述第一预设电压范围内满足预设平滑情况，且所述1/C2‑
V曲线在所述第一预设电压范围满足预设平直情况时，控制所述C
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V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测；否则，控制所述I
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V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测。3.根据权利要求2所述的异质结双极晶体管缺陷检测方法，其特征在于，所述确定所述C
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V曲线和所述1/C2‑
V曲线在第一预设电压范围内的变化情况包括：当所述C
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V曲线在所述第一预设电压范围内的曲率小于第一预设值时，判定所述C
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V曲线在所述第一预设电压范围内满足所述预设平滑情况；当所述1/C2‑
V曲线在所述第一预设电压范围内的曲率大于第二预设值时，判定所述1/C2‑
V曲线在所述第一预设电压范围满足所述预设平直情况时。4.根据权利要求3所述的异质结双极晶体管缺陷检测方法，其特征在于，所述控制深能级瞬态谱的I
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V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测包括：获取所述异质结双极晶体管在所述预设电压时的电流参数；根据所述预设电压和所述电流参数生成I
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V曲线；当所述I
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V曲线满足预设变化情况时，控制深能级瞬态谱的I
‑
V测试模块进行...
【专利技术属性】
技术研发人员：李兴冀，杨剑群，宋扬，刘中利，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：
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