【技术实现步骤摘要】
一种IGBT短接检测电路
[0001]本技术涉及IGBT应用
,具体涉及一种IGBT短接检测电路。
技术介绍
[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的IGBT功率模块,是电力电子装备的核心器件。
[0003]功能正常的IGBT通常在导通状态下电流流通的方向具有极低电阻而在另一个方向具有极高电阻;在关断状态下,两个方向都具有极高电阻。而IGBT模块由于有并联的FWD,在导通状态下电流可以双向流通;在关断状态下,电流仅能流经FWD的方向,在IGBT方向呈高阻态。但是无论是IGBT还是IGBT模块,过压击穿短路,过热短路以及外部金属短路都会导致其发生短接故障,无论在其开通状态还是关断状态下,两个方向都均具有极低电阻,即可双向导通,
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种IGBT短接检测电路,其特征在于,包括:驱动控制模块、电压检测模块、电压比较模块及短接判定模块,其中,所述驱动控制模块的第一输出端与目标IGBT模块的门极连接,所述驱动控制模块的第二输出端与所述短接判定模块的第一输入端连接,所述驱动控制模块用于给目标IGBT模块下发控制信号,令IGBT处于开通或者关断状态,同时将控制信号发送至所述短接判定模块;所述电压检测模块的输入端分别与目标IGBT模块的集电极及发射极连接,所述电压检测模块的输出端与所述电压比较模块的输入端连接,所述电压检测模块用于检测目标IGBT模块的集电极
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发射极电压,并将所述集电极
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发射极电压发送至所述电压比较模块;所述电压比较模块的输出端与所述短接判定模块的第二输入端连接,所述电压比较模块用于将所述集电极
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发射极电压与预设电压阈值进行比较,并将比较结果发送至所述短接判定模块;所述短接判定模块用于在所述驱动控制模块向目标IGBT模块下发关断指令后,对所述电压比较模块输出的比较结果进行检测,根据检测结果判定目标IGBT模块是否为短接。2.根据权利要求1所述的IGBT短接检测电路,其特征在于,当所述电压比较模块输出的比较结果达到判定值且维持预设时间时,判定目标IGBT模块短接。3.根据权利要求1所述的IGBT短接检测电路,其特征在于,所述电压检测模块,包括:第一电阻及第一二极管,其中,所述第一电阻的一端外接电源,所述第一电阻的另一端分别与所述电压比较模块的输入端及所述第一二极管的阳极连接,所述第一二极管的阴极与目标IGBT模块的集电极连接,目标IGBT模块的发射极接地。4.根据权利要求1所述的IGBT短接检测电路,其特征在于,所述电压检测模块,包括:阻容分压网络,所述阻容分压网络的两端分别与目标IG...
【专利技术属性】
技术研发人员:贺之渊,许航宇,客金坤,白建成,王新颖,
申请(专利权)人:国网智能电网研究院有限公司,
类型:新型
国别省市:
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