一种金属性过渡金属硫属化合物薄膜的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种金属性过渡金属硫属化合物薄膜的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。通过在二维半导体性过渡金属硫属化合物二元合金薄膜CVD生长过程中引入VB族过渡金属元素(如V，Nb或Ta)掺杂，调控VB族与VIB族过渡金属元素之间的比例，生成一种在空气中更稳定的二维金属性过渡金属硫属化合物三元合金薄膜。这种制备方法能有效解决二维金属性二元合金薄膜制备过程中由于VB族过渡金属氧化物源粉饱和蒸气压低而导致的源粉蒸气不足问题，变二元薄膜生长为三元薄膜生长，利用VIB族过渡金属元素氧化物饱和蒸气压高的特点，保证金属性三元合金薄膜生长过程中源粉蒸气的充足，从而实现一种金属性过渡金属硫属化合物薄膜材料的轻松制备。的轻松制备。的轻松制备。

【技术实现步骤摘要】
一种金属性过渡金属硫属化合物薄膜的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种金属性过渡金属硫属化合物薄膜的制备方法，属于纳米材料制备


技术介绍

[0002]众所周知，以二硫化钼(MoS2)为代表的半导体性二维过渡金属硫属化合物(可以用MX2表示，其中M＝W，Mo，属于VIB族；X＝S，Se，Te)作为场效应晶体管的沟道材料，能有效避免“短沟道效应”，满足现代集成电路小体积、高集成的要求，在后摩尔时代有着广泛的应用前景。在制备基于二维过渡金属硫属化合物半导体材料的二维电子器件时，用传统热蒸发的方式蒸镀块材金属电极，通常会在界面处形成很高的接触电阻，降低器件性能，严重限制器件的应用。研究发现，用二维金属性过渡金属硫属化合物材料代替金属块材作电极可以有效降低接触电阻，提高器件性能。因此，实现二维金属性过渡金属硫属化合物材料的大面积、大尺寸、高效率、高质量可控制备对二维电子器件的应用具有非常重要的意义。
[0003]二维金属性过渡金属硫属化合物((MX2，其中M＝V，Nb，Ta，属于VB族；X＝S，Se，Te))材料主要有二硫化铌(Nb本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属性过渡金属硫属化合物薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤为：选用双温区管式炉作为生长设备，管式炉高温区放置第VIB族过渡金属元素源粉以及第VB族过渡金属元素源粉，管式炉低温区放置硫属元素源粉；生长衬底倒扣于装有较低熔点的过渡金属元素(VB族或VIB族)源粉的陶瓷舟上方，且随陶瓷舟放置于高温区的中心位置；所述第VIB族过渡金属元素与第VB族过渡金属元素的摩尔比小于1:2。2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述管式炉的载流气体从低温区流往高温区。3.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述第VIB族过渡金属源粉包括第VIB族过渡金属元素的氧化物、氯化物或者其它含有第VIB族过渡金属元素的化合物中的一种或多种。4.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述第VB族过渡金属源粉包括第VB族过渡金属元素的氧化物、氯...

【专利技术属性】
技术研发人员：张秀梅，杨国锋，霍新霞，陈国庆，谷燕，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：发明
国别省市：