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本发明涉及一种金属性过渡金属硫属化合物薄膜的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。通过在二维半导体性过渡金属硫属化合物二元合金薄膜CVD生长过程中引入VB族过渡金属元素(如V，Nb或Ta)掺杂，调控VB族与VIB族过渡金属元素之间的比例，生成...
该专利属于江南大学所有，仅供学习研究参考，未经过江南大学授权不得商用。

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