一种非易失性存储器制造技术

本申请提供了一种非易失性存储器，包括封装结构、第一存储单元和第二存储单元；其中所述第一存储单元和第二存储单元为类型不同的非易失性存储单元，且所述第一存储单元和第二存储单元都封装在所述封装结构内，用于相互独立地进行工作。所述非易失性存储器能够解决嵌入式系统中一方面需要同时使用多种不同类型的存储器，另一方面又需要顾及小型化设计的技术问题。术问题。术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种非易失性存储器


[0001]本申请涉及数据存储
，具体是涉及一种非易失性存储器。

技术介绍

[0002]在嵌入式系统中，由于其中各类设备需要的存储容量和类型各不相同，同一个系统中往往会需要同时使用多种不同类型的存储器，例如或非型闪存(又称NOR闪存、NOR flash)、与非型闪存(又称NAND闪存、NAND flash)、只读存储器(Read
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Only Memory,ROM)、电子程序控制只读存储器(Electronic Programmable Read
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Only Memory,EPROM)、可编程只读存储器(Programmable Read
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Only Memory,PROM)、电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read
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Only Memory,EEPROM)、电改写只读存储器(Electrically Alterable Read
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Only Memory,EAROM)、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器包括封装结构、第一存储单元和第二存储单元；其中所述第一存储单元和第二存储单元为类型不同的非易失性存储单元，且所述第一存储单元和第二存储单元都封装在所述封装结构内，用于相互独立地进行工作。2.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述第一存储单元和第二存储单元是从或非型闪存、与非型闪存、只读存储器、电子程序控制只读存储器、可编程只读存储器、电可擦可编程只读存储器、电改写只读存储器、磁性随机存储器、铁电随机存储器中选择的任意两种类型不同的存储器。3.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述第一存储单元的容量小于所述第二存储单元的容量。4.如权利要求1
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3中的任意一项所述的非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器还包括第一接口和第二接口，所述第一接口为总线协议接口或者串行外设接口，用于将所述第一存储单元与外界连接；所述第二接口为与非型接口或者串行外设接口，用于将所述第二存储单元与外界连接。5.如权利要求4所述的非易失性存储器，其特征在于，所述第一存储单元的位置相比于所述第二存储单元更加接近所述封装结构的内部。6.如权利要求1
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3中的任意一项所述的非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器还包括控制单元，所述控制单元与所述第一存储单元和第二存储单元连接，用于在所述第一存储单元和第二存储单元中读取或写入数据，或者仅与所述第二存储单元连接，用于在所述第二存储单元中读取或写入数据。7.如权利要求6所述的非易失性存储器，其特征在于，所述控制单元与所述第一存储单元和第二存储单元连接；所述封装结构包括内封装部和外封装部，所述第一存储单元、第二存储单元、内封装部和控制单元都封装在所述外封装部之内，并且所述第一存储单元和第二存储单元封装在所述内封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱细平，郭丹，柳耿，
申请(专利权)人：深圳市江波龙电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：