一种存储装置及其控制方法制造方法及图纸

技术编号:36438388 阅读:12 留言:0更新日期:2023-01-20 22:53
本发明专利技术公开了一种存储装置及其控制方法,存储装置至少包括:闪存芯片,闪存芯片包括数据存储块、风险存储块和空白存储块,其中,数据存储块中存储有常规数据,风险存储块中存储有风险数据;以及控制模块,连接于闪存芯片,当闪存芯片的存储余量不足,控制模块将部分常规数据转移至空白存储块中,且常规数据被转移后存储在空白存储块的多层存储单元中;其中,当风险存储块的数量超过闪存芯片的风险占用阈值,控制模块将风险数据转移至多个空白存储块中,且风险数据被转移后存储在空白存储块的单层存储单元中。本发明专利技术提供了一种存储装置及其控制方法,提升了存储装置数据存储的效率和稳定性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种存储装置及其控制方法


[0001]本专利技术涉及存储
,特别涉及一种存储装置及其控制方法。

技术介绍

[0002]闪存的数据读写进程中,当闪存的空余存储块(block)不足时,需要对闪重新整理闪存中各个存储块的数据分布,从而整理出新的空余存储块,以保证闪存正常进行数据存储。
[0003]当闪存在重新整理存储块的数据分布时,若出现异常掉电,整理出来的存储块不仅不稳定,在连续断上电的情况下,空余存储块还会被一直耗用,反而导致闪存的存储空间不足,并且还可能导致数据丢失。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种存储装置及其控制方法,提升存储装置数据存储的效率和稳定性。
[0005]为解决上述技术问题,本专利技术是通过以下技术方案实现的:本专利技术提供了一种存储装置,至少包括:闪存芯片,所述闪存芯片包括数据存储块、风险存储块和空白存储块,其中,所述数据存储块中存储有常规数据,所述风险存储块中存储有风险数据;以及控制模块,连接于所述闪存芯片,当所述闪存芯片的存储余量不足,所述控制模块将部分所述常规数据转移至所述空白存储块中,且所述常规数据被转移后存储在所述空白存储块的多层存储单元中;其中,当所述风险存储块的数量超过所述闪存芯片的风险占用阈值,所述控制模块将所述风险数据转移至多个所述空白存储块中,且所述风险数据被转移后存储在所述空白存储块的单层存储单元中。
[0006]在本专利技术一实施例中,部分所述数据存储块被所述控制模块标记为源存储块,所述源存储块中存储有回收数据,且所述源存储块的有效数据个数小于所述数据存储块的有效数据个数。
[0007]在本专利技术一实施例中,部分所述空白存储块所述控制模块标记为目标存储块,所述目标存储块连接于所述源存储块,且所述目标存储块中存储有被转移回收数据。
[0008]在本专利技术一实施例中,部分所述目标存储块被所述控制模块标记为所述风险存储块,且所述风险数据包括在所述存储装置发生异常状态时的所述被转移回收数据。
[0009]在本专利技术一实施例中,所述被转移回收数据存储在所述目标存储块的多层存储单元中。
[0010]在本专利技术一实施例中,部分所述空白存储块被所述控制模块标记为回收存储块,所述回收存储块的单层存储单元中存储有转移后的所述风险数据。
[0011]在本专利技术一实施例中,部分所述空白存储块被所述控制模块标记为集合存储块,
所述集合存储块中存储有集合风险数据,所述集合风险数据包括多个所述回收存储块的数据。
[0012]在本专利技术一实施例中,所述集合风险数据存储在所述集合存储块的多层存储单元中。
[0013]本专利技术提供了一种存储装置的控制方法,包括以下步骤:提供一存储装置,所述存储装置包括闪存芯片和控制模块,所述控制模块连接于所述闪存芯片;在所述闪存芯片中划分出多个存储区,且多个所述存储区分别放置有数据存储块、风险存储块和空白存储块,其中,所述数据存储块中存储有常规数据,所述风险存储块中存储有风险数据;当所述闪存芯片的存储余量不足,所述控制模块将所述常规数据转移至所述空白存储块中,且所述常规数据被转移后存储在所述空白存储块的多层存储单元中;以及当所述风险存储块的数量超过所述闪存芯片的风险占用阈值,所述控制模块将所述风险数据转移至多个所述空白存储块中,并将数据转移后的所述风险存储块更新为所述空白存储块,且所述风险数据被转移后存储在所述空白存储块的单层存储单元中。
[0014]在本专利技术一实施例中,转移所述常规数据的步骤包括:当所述空白存储块的数量小于所述闪存芯片的空白块阈值,所述控制模块将部分数据存储块标记为源存储块,并将部分所述空白存储块标记为目标存储块;所述控制模块将所述源存储块的数据转移至所述目标存储块中;以及所述控制模块将数据转移后的所述源存储块更新为所述空白存储块。
[0015]在本专利技术一实施例中,在将所述常规数据从所述源存储块转移至所述目标存储块中时,当所述存储装置发生异常状态,所述控制模块将所述目标存储块标记为风险存储块。
[0016]在本专利技术一实施例中,转移所述风险数据的步骤包括:在所述存储装置重新上电时,所述控制模块将部分空白存储块标记为回收存储块;将所述风险数据转移至所述回收存储块中,并将数据转移后的所述风险存储块更新为所述空白存储块,直到所述风险存储块的数量小于等于所述闪存芯片的风险占用阈值;所述控制模块将部分所述空白存储块标记为集合存储块,且所述控制模块将多个所述回收存储块的数据集中转移至所述集合存储块中,直到清空所述回收存储块中的数据;以及将被清空数据的所述回收存储块更新为所述空白存储块。
[0017]如上所述,本专利技术提供了一种存储装置及其控制方法,能够在存储装置的存储余量不足时,快速且安全地处理存储装置中的无效数据,整理出空白存储块,以提升存储装置的存储余量,存储效率高。并且,当存储装置遇到连续断上电的情况时,能够避免空白存储块被不断占用而导致存储装置的存储余量不足。并且,即便是在存储装置连续断上电的情况下,仍能保持低风险地进行数据转移,快速且稳定地处理具有电子逃逸风险的存储块,提升了存储装置的存储可靠性。
[0018]当然,实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案,下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本专利技术一实施例中存储装置的结构示意图。
[0021]图2为本专利技术一实施例中存储块的分布结构示意图。
[0022]图3为本专利技术一实施例中多种存储单元的数据类型示意图。
[0023]图4为本专利技术一实施例中风险存储单元的示意图。
[0024]图5为本专利技术一实施例中数据转移固件的运行示意图。
[0025]图6为本专利技术一实施例中风险存储块的示意图。
[0026]图7为本专利技术一实施例中控制模块的结构示意图。
[0027]图8为本专利技术一实施例中块调度单元的结构示意图。
[0028]图9为本专利技术一实施例中第一次上电后数据转移固件的运行示意图。
[0029]图10为本专利技术一实施例中第二次上电时存储块的分布示意图。
[0030]图11为本专利技术一实施例中第二次上电后数据转移固件的运行示意图。
[0031]图12为本专利技术一实施例中第二上电后存储块的分布示意图。
[0032]图13为本专利技术一实施例中风险第二转移固件的运行示意图。
[0033]图14为本专利技术一实施例中再次上电后风险第二转移固件的运行示意图。
[0034]图15为本专利技术一实施例中再次上电后存储块的分布示意图。
[0035]图16为本专利技术另一实施例中回收存储块的数据整合过程示意图。
[0036]图17为本专利技术另一实施例中形成集合存储块后本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储装置,其特征在于,至少包括:闪存芯片,所述闪存芯片包括数据存储块、风险存储块和空白存储块,其中,所述数据存储块中存储有常规数据,所述风险存储块中存储有风险数据;以及控制模块,连接于所述闪存芯片,当所述闪存芯片的存储余量不足,所述控制模块将部分所述常规数据转移至所述空白存储块中,且所述常规数据被转移后存储在所述空白存储块的多层存储单元中;其中,当所述风险存储块的数量超过所述闪存芯片的风险占用阈值,所述控制模块将所述风险数据转移至多个所述空白存储块中,且所述风险数据被转移后存储在所述空白存储块的单层存储单元中。2.根据权利要求1所述的一种存储装置,其特征在于,部分所述数据存储块被所述控制模块标记为源存储块,所述源存储块中存储有回收数据,且所述源存储块的有效数据个数小于所述数据存储块的有效数据个数。3.根据权利要求2所述的一种存储装置,其特征在于,部分所述空白存储块所述控制模块标记为目标存储块,所述目标存储块连接于所述源存储块,且所述目标存储块中存储有被转移回收数据。4.根据权利要求3所述的一种存储装置,其特征在于,部分所述目标存储块被所述控制模块标记为所述风险存储块,且所述风险数据包括在所述存储装置发生异常状态时的所述被转移回收数据。5.根据权利要求4所述的一种存储装置,其特征在于,所述被转移回收数据存储在所述目标存储块的多层存储单元中。6.根据权利要求1所述的一种存储装置,其特征在于,部分所述空白存储块被所述控制模块标记为回收存储块,所述回收存储块的单层存储单元中存储有转移后的所述风险数据。7.根据权利要求6所述的一种存储装置,其特征在于,部分所述空白存储块被所述控制模块标记为集合存储块,所述集合存储块中存储有集合风险数据,所述集合风险数据包括多个所述回收存储块的数据。8.根据权利要求7所述的一种存储装置,其特征在于,所述集合风险数据存储在所述集合存储块的多层存储单元中。9.一种存储装置的控制方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一存储装置,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:付应辉
申请(专利权)人:合肥康芯威存储技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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