本发明专利技术涉及等离子体清洗技术领域，提供一种防尖端放电式单极性电极结构和等离子体清洗装置，防尖端放电式单极性电极结构包括无介质阻挡电极组件、绝缘槽体和高压导电组件，无介质阻挡电极组件包括两个去尖端电极，两个去尖端电极相对设置且形成电极空间，两个去尖端电极均内置在绝缘槽体的凹槽中，两个去尖端电极均与高压导电组件电性连接，两个去尖端电极均具备防尖端放电属性，防止在两个去尖端电极附近引发单极电晕，有助于抑制因尖端电极引起的电弧光，电极空间具备扩展放电空间属性，支持在增强电场强度的基础上扩展放电空间，突破了利用绝缘介质阻挡层抑制因尖端电极引起电弧光的束缚，有助于摆脱绝缘介质阻挡层对放电空间构成制约。空间构成制约。空间构成制约。
【技术实现步骤摘要】
一种防尖端放电式单极性电极结构和等离子体清洗装置
[0001]本专利技术涉及等离子体清洗
，具体涉及一种防尖端放电式单极性电极结构和等离子体清洗装置。
技术介绍
[0002]相关技术中，等离子体清洗装置通常包括交流高压电源和介质阻挡电极结构，介质阻挡电极结构包括高压电极、接地电极和绝缘介质阻挡层，在高压电极或接地电极上存在曲率半径很小的尖端，高压电极与接地电极相对设置且形成电极空间，绝缘介质阻挡层内置在电极空间中，绝缘介质阻挡层与高压电极或/和接地电极之间组成比电极空间小的放电空间，在高压电极和接地电极被交流高压电源施加交流高压的过程中，在尖端周围集中电场，形成尖端放电，容易在高压电极附近引发正极性电晕或者在接地电极附近引发负极性电晕，前述正极性电晕或者前述负极性电晕容易在放电空间发展成局部电弧光，利用绝缘介质阻挡层抑制局部电弧光，例如，高压电极可以采用针状电极或者细线状电极作为尖端电极。
[0003]在上述放电空间，电场强度随绝缘介质阻挡层与高压电极或接地电极之间的放电间距缩小而增强，放电间距需要受限在毫米级，以保证放电强度，导致放电空间较为狭小，因此，在现有等离子体清洗装置中，介质阻挡电极结构受限于利用绝缘介质阻挡层抑制因尖端电极引起的电弧光。
技术实现思路
[0004]本专利技术针对现有技术受限于利用绝缘介质阻挡层抑制因尖端电极引起的电弧光的问题，提供一种防尖端放电式单极性电极结构和等离子体清洗装置。
[0005]本专利技术一方面提供一种防尖端放电式单极性电极结构，所述防尖端放电式单极性电极结构包括无介质阻挡电极组件、绝缘槽体和高压导电组件；
[0006]所述无介质阻挡电极组件包括第一去尖端电极和第二去尖端电极，所述第一去尖端电极与所述第二去尖端电极相对设置且形成用以扩展放电空间的电极空间；
[0007]所述绝缘槽体上设置有凹槽，所述第一去尖端电极和所述第二去尖端电极均设置在所述凹槽中，所述第一去尖端电极和所述第二去尖端电极分别与所述高压导电组件电性连接。
[0008]上述技术方案的有益效果是：通过高压导电组件将高压传导至两个去尖端电极，使两个去尖端电极呈现相同的单极性，两个去尖端电极均无尖端，两个去尖端电极均具备防尖端放电属性，在高压导电组件将高压传导至两个去尖端电极的过程中，防止在两个去尖端电极附近引发正极性电晕或者负极性电晕，有助于抑制因尖端电极引起的电弧光，在两个去尖端电极之间形成具备扩展放电空间属性的电极空间，扩大了电极面积，扩宽了电极间距，支持在增强电场强度的基础上扩展放电空间，两个去尖端电极之间的电极空间内置在绝缘槽体的凹槽中，防止绝缘槽体在两个去尖端电极之间的电极空间构成绝缘介质阻
挡层，从而，突破了利用绝缘介质阻挡层抑制因尖端电极引起电弧光的束缚，有助于摆脱绝缘介质阻挡层对放电空间构成制约。
[0009]在上述技术方案的基础上，本专利技术还对防尖端放电式单极性电极结构做出如下改进。
[0010]可选地，所述第一去尖端电极为呈网状的光滑导电平板。
[0011]上述技术方案的有益效果是：第一去尖端电极开设有多个气孔，便于工作气体经过第一去尖端电极进入在绝缘槽体的凹槽中的电极空间，防止第一去尖端电极阻挡工作气体。
[0012]可选地，所述无介质阻挡电极组件还包括第一去尖端导电连接件，所述第一去尖端导电连接件通过所述第二去尖端电极与所述第一去尖端电极电性连接，所述第一去尖端导电连接件镶嵌在所述第二去尖端电极和所述凹槽中，以及，所述第一去尖端导电连接件与所述高压导电组件电性连接。
[0013]上述技术方案的有益效果是：一方面，通过第一去尖端导电连接件在绝缘槽体中固定连接第二去尖端电极，另一方面，第一去尖端导电连接件具备防尖端放电属性，通过第一去尖端导电连接件在绝缘槽体中电性连接两个去尖端电极和高压导电组件，既防止在第一去尖端导电连接件附近引起正极性电晕或者负极性电晕，也防止绝缘槽体阻碍无介质阻挡电极组件与高压导电组件电性连接，提高了第一去尖端导电连接件的多用性，降低了无介质阻挡电极组件与高压导电组件电性连接的难度。
[0014]可选地，所述无介质阻挡电极组件还包括第二去尖端导电连接件，所述第二去尖端导电连接件设置在所述电极空间中，所述第二去尖端导电连接件的一端与所述第一去尖端电极电性连接，所述第二去尖端导电连接件的另一端通过所述第二去尖端电极与所述高压导电组件电性连接。
[0015]上述技术方案的有益效果是：第二去尖端导电连接件在电极空间中具备防尖端放电属性，通过第二去尖端导电连接件在电极空间中电性连接两个去尖端电极和高压导电组件，防止在第二去尖端导电连接件附近引起正极性电晕或者负极性电晕，提高了无介质阻挡电极组件的空间利用率。
[0016]可选地，所述第二去尖端导电连接件为呈圆柱状的导电筒，所述导电筒的两端分别与所述第一去尖端电极和所述第二去尖端电极接触。
[0017]上述技术方案的有益效果是：通过导电筒在电极空间中电性连接两个去尖端电极，有助于减轻无介质阻挡电极组件的重量，有助于提升无介质阻挡电极组件在结构上的稳定性。
[0018]可选地，所述无介质阻挡电极组件还包括绝缘钉，所述绝缘钉依次穿插在所述第一去尖端电极、所述第二去尖端电极和所述导电筒中，所述绝缘钉的钉尾插入所述绝缘槽体的所述凹槽中。
[0019]上述技术方案的有益效果是：相比于绝缘钉暴露在两个去尖端电极之间的电极空间，通过两个去尖端电极和导电筒在电极空间中隐藏绝缘钉，提高了导电筒的利用率，降低了电极空间的电场损耗和电介质损耗，利用绝缘钉，使无介质阻挡电极组件以可拆卸方式固定在绝缘槽体中，简化了无介质阻挡电极组件在绝缘槽体中的固定方式，兼顾了无介质阻挡电极组件在绝缘槽体中的稳定性和可拆装性。
[0020]可选地，至少三个所述导电筒均匀排列在所述电极空间中，所述绝缘钉的个数与所述导电筒的个数相等，各个所述绝缘钉分别穿插在对应的所述导电筒中。
[0021]上述技术方案的有益效果是：通过在两个去尖端电极之间的电极空间均匀化排列多个导电筒，保证了无介质阻挡电极组件的导电均匀性，从而，有助于提升放电均匀性，各个绝缘钉分别对位各个导电筒，提高了无介质阻挡电极组件在绝缘槽体中的稳固性。
[0022]可选地，所述高压导电组件可拆卸式固定在所述绝缘槽体外，所述高压导电组件通过所述第二去尖端电极与所述第一去尖端电极电性连接。
[0023]上述技术方案的有益效果是：高压导电组件以可拆卸方式固定连接在绝缘槽体，兼顾了绝缘槽体与高压导电组件之间的可拆卸性和稳定性，提高了绝缘槽体的利用率，通过第二去尖端电极电性连接高压导电组件和第一去尖端电极，简化了防尖端放电式单极性电极结构的电连接方式。
[0024]可选地，所述高压导电组件包括第一绝缘套、真空密封圈、第二绝缘套、导电支柱和交流高压传导套件，所述第一绝缘套设置在所述第二绝缘套下层并与所述第二绝缘套之间留有容纳间隙，所述真空密封圈密封所述容纳间隙，所述导电支柱依次穿插在所本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种防尖端放电式单极性电极结构，其特征在于，所述防尖端放电式单极性电极结构包括无介质阻挡电极组件(1)、绝缘槽体(2)和高压导电组件(3)；所述无介质阻挡电极组件(1)包括第一去尖端电极(11)和第二去尖端电极(12)，所述第一去尖端电极(11)与所述第二去尖端电极(12)相对设置且形成用以扩展放电空间的电极空间；所述绝缘槽体(2)上设置有凹槽，所述第一去尖端电极(11)和所述第二去尖端电极(12)均设置在所述凹槽中，所述第一去尖端电极(11)和所述第二去尖端电极(12)均与所述高压导电组件(3)电性连接。2.如权利要求1所述的防尖端放电式单极性电极结构，其特征在于，所述第一去尖端电极(11)为呈网状的光滑导电平板。3.如权利要求1所述的防尖端放电式单极性电极结构，其特征在于，所述无介质阻挡电极组件(1)还包括第一去尖端导电连接件(13)，所述第一去尖端导电连接件(13)通过所述第二去尖端电极(12)与所述第一去尖端电极(11)电性连接，所述第一去尖端导电连接件(13)镶嵌在所述第二去尖端电极(12)和所述凹槽中，以及，所述第一去尖端导电连接件(13)与所述高压导电组件(3)电性连接。4.如权利要求1所述的防尖端放电式单极性电极结构，其特征在于，所述无介质阻挡电极组件(1)还包括第二去尖端导电连接件(14)，所述第二去尖端导电连接件(14)设置在所述电极空间中，所述第二去尖端导电连接件(14)的一端与所述第一去尖端电极(11)电性连接，所述第二去尖端导电连接件(14)的另一端通过所述第二去尖端电极(12)与所述高压导电组件(3)电性连接。5.如权利要求4所述的防尖端放电式单极性电极结构，其特征在于，所述第二去尖端导电连接件(14)为呈圆柱状的导电筒，所述导电筒的两端分别与所述第一去尖端电极(11)和所述第二去尖端电极(12)接触。6.如权利要求5所述的防尖端放电式单极性电极结构，其特征在于，所述无介质阻挡电极组件(1)还包括绝缘钉(15)，所述绝缘钉(15)依次穿插在所述第一去尖端电极(11)、所述第二去尖端电极(12)和所述导电筒中，所述绝缘钉(15)的钉尾插入所述凹槽中。7.如权利要求6所述的防尖端放电式单极性电极结构，其特征在于，至少三个所述导电筒均匀排列在所述电极空间中，所述绝缘钉(15)的个数与所述导电筒的个数相等，各个所述绝缘钉(15)分别穿插在对应的所述导...
【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，卢礼华，高强，关宇珩，赵航，曹永智，陈家轩，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：
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