【技术实现步骤摘要】
基于晶界弱连接特性的电子器件结构及制备方法
[0001]本专利技术属于电子信息材料与元器件领域。
技术介绍
[0002]对于晶态固体材料而言，根据经典分类，可大致分为单晶体和多晶体，并且通常将多晶体中晶粒与晶粒之间的界面处理成缺陷，因此，无论是材料物性测量，还是功能器件研制，人们的第一选择都是单晶材料，但作为缺陷的晶界也是具有其价值的，其极端体现则为量子点纳米材料。在量子点纳米材料中，晶粒为纳米尺度，晶界占比很大，其许多性质主要由晶界界定，并利用特殊的晶界结构设计，在催化剂开发方面发挥着重要作用。
[0003]虽然，量子点纳米材料的晶界在催化领域发挥了重要作用，但在电子器件领域人们几乎尽量规避晶界这一缺陷，要么基于单晶及其外延材料研制晶体管及其电路，如：采用单晶硅及其外延薄膜研制集成电路，采用单晶砷化镓及其外延材料研制半导体激光器，采用单晶碳化硅及其外延材料研制功率器件及高频器件，要么基于非晶材料研制薄膜晶体管及其集成电路，如：采用非晶硅或非晶 InGaZnO薄膜研制薄膜场效应晶体管。
[0004]单晶材料固...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.基于晶界弱连接特性的电子器件结构，其特征在于，包括与高阻区一端连接的第一电极区以及与高阻区另一端连接的第二电极区；第一电极区和第二电极区中，至少有一个电极区通过低阻区连接到高阻区；所述低阻区、高阻区、第一电极区和第二电极区皆由晶粒倾斜取向的YBCO薄膜构成；高阻区中的YBCO薄膜的晶界线和低阻区中的YBCO薄膜的晶界线方向相同；高阻区的轴线垂直于YBCO薄膜的晶界线，低阻区的轴线平行于YBCO薄膜的晶界线；第一电极区和第二电极区皆设置有电极。2.如权利要求1所述的基于晶界弱连接特性的电子器件结构，其特征在于，第一电极区和第二电极区各自通过一个低阻区连接到高阻区。3.如权利要求1所述的基于晶界弱连接特性的电子器件结构，其特征在于，...
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