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基于晶界弱连接特性的电子器件结构及制备方法，属于电子信息材料与元器件领域。包括与高阻区一端连接的第一电极区以及与高阻区另一端连接的第二电极区；第一电极区和第二电极区中，至少有一个电极区通过低阻区连接到高阻区；所述低阻区、高阻区、第一电极区和...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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