异质结电池的制备方法、异质结电池结构、及其加工系统技术方案

本发明专利技术涉及异质结HJT电池的制备方法、异质结HJT电池、异质结HJT电池加工系统，采用SiH4+H2+CO2混合气体制备微晶硅诱导层，引入的CO2借助于原子氢分解，以OH基团进入薄膜，对薄膜的晶化起到一定的抑制作用，在大面积生长工艺条件下使其非晶孵化层向微晶相的转变过程平缓可控，实现了相同工艺时长内成膜均匀性的极大改善，整板均匀性从20％以上改善到5％左右。由于引入的CO2比例极低，可控制微晶诱导层的电阻率保持在工艺目标范围内。的电阻率保持在工艺目标范围内。的电阻率保持在工艺目标范围内。

【技术实现步骤摘要】
异质结电池的制备方法、异质结电池结构、及其加工系统


[0001]本专利技术涉及硅基异质结太阳能电池(HJT)加工
，特别涉及一种异质结HJT电池的掺杂微晶硅诱导层的制备方法。

技术介绍

[0002]现有的微晶硅薄膜的制备，首先利用SiH4+H2混合气体生长一层微晶硅薄层种子层，再用传统的高压耗尽法实现微晶硅膜层的沉积。采用在高氢稀释的条件下制备微晶硅薄膜，随着氢稀释比例增大，其沉积速率通常较低。同时由于为了提升产能，现有平板式PECVD设备主要向大腔室、多腔室、大载板、快节奏方向改进，薄膜沉积初期的不稳定与不均匀在多种条件的叠加下将进一步体现，最终影响微晶硅膜层甚至电池产品的整体均匀性。现有技术下首先生长的微晶基层均匀性差，在大面积工艺的沉积条件下更难实现良好的均匀性。
[0003]因此，有必要研发一种异质结HJT电池及工艺等来解决此问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种异质结HJT电池的制备方法、异质结HJT电池、异质结HJT电池加工系统来解决上述技术问题。
[0005]本专利技术的一个技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括步骤：(1)选择N型单晶硅片，采用清洗机对所述N型单晶硅片进行制绒清洗，获得N型硅衬底；(2)采用第一镀膜设备在所述N型硅衬底的正面和背面制备双面本征非晶硅薄膜层，获得正面本征非晶硅薄膜层、背面本征非晶硅薄膜层；(3)采用第二镀膜设备通入SiH4、H2、CO2、PH3混合气体在所述正面本征层上镀N型微晶硅掺杂层，获得诱导层；(4)采用第二镀膜设备通入SiH4、H2、CO2、PH3混合气体继续制备N型微晶硅掺杂层，在所述诱导层上依次获得获得第二生长层和第一生长层；(5)采用第三镀膜设备在所述背面本征非晶硅薄膜层上制备P型掺杂层；(6)采用第四镀膜设备在所述第一生长层和所述P型掺杂层上制备TCO薄膜层；(7)采用印制设备将浆料印刷至所述TCO薄膜层上制备电极，获得电池片；(8)采用炉体设备对所述电池片表面干燥及固化；其中，所述N型微晶硅掺杂层包括：所述诱导层、所述第二生长层和所述第一生长层。2.根据权利要求1所述的一种异质结电池的制备方法，其特征在于，在步骤(3)和步骤(4)中，所述PH3的体积占混合气体体积的2％体积占混合气体体积的2％，所述氢气与硅烷的流量比值为100
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250，所述PH3与SiH4的流量比值为1
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4，所述二氧化碳与硅烷的流量比值为1％
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10％。3.根据权利要求3所述的一种异质结电池的制备方法，其特征在于，在步骤(3)和步骤(4)中，所述第二镀膜设备的工艺参数：电源功率2000
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5000W，压力250
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380Pa。4.如权利要求1所述的一种异质结HJT电池的制备方法，所述P型掺杂层可以为P型微晶硅掺杂层或P型非晶硅掺杂层。5.如权利要求1所述的一种异质结HJT电池的制备方法，其特征在于：所述N型单晶硅片可以替换为P型单晶硅片，所述N型微晶硅掺杂层可以替换为P型微晶硅掺杂层，所述P型掺杂层可以替换为N型掺杂层。6.根据权利要求1所述的一种异质结电池的制备方法，其特征在于，在步...

【专利技术属性】
技术研发人员：左国军，吴宇轩，舒欣，奚华，赖英慧，
申请(专利权)人：常州捷佳创精密机械有限公司，
类型：发明
国别省市：