双面接触电池及其导电区制备方法、电池组件、光伏系统技术方案

本申请适用于双面接触电池技术领域，提供了一种双面接触电池及其导电区制备方法、电池组件、光伏系统。双面接触电池的导电区制备方法包括：提供硅衬底，硅衬底包括第一区域和第二区域；在第一区域制备部分阻挡层；对硅衬底进行硼扩散，在第一区域形成第一掺杂层，在第二区域形成第二掺杂层，第一掺杂层的掺杂浓度小于第二掺杂层的掺杂浓度。如此，利用设于第一区域的部分阻挡层，通过一次硼扩散，在第一区域和第二区域分别形成轻掺杂和重掺杂，耗时较短，耗能较低，且使得轻掺杂和重掺杂的形成区域更加准确。区域更加准确。区域更加准确。

【技术实现步骤摘要】
双面接触电池及其导电区制备方法、电池组件、光伏系统


[0001]本申请属于太阳能电池
，尤其涉及一种双面接触电池及其导电区制备方法、电池组件、光伏系统。

技术介绍

[0002]太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源，其利用半导体p
‑
n结的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能。
[0003]相关技术通常通过扩散来制作太阳能电池的导电区。具体地，通常通过一次硼扩散形成轻掺杂，再对轻掺杂区域进行激光开膜，再对开膜后的硅片进行二次硼扩散，从而形成重掺区。这样，可以形成重掺杂和轻掺杂，从而形成导电区。
[0004]然而，二次硼扩散对应的工艺时间更长，也会消耗更多的能量。并且，一次硼扩散后形成的硼硅玻璃作为掩膜，阻挡硼原子的效果较差，导致重掺杂区不仅覆盖开膜区域，还覆盖部分的轻掺杂区，使得轻掺杂和重掺杂的形成区域较不准确。
[0005]基于此，如何制备导电区以降低耗时和耗能并使得轻掺杂和重掺杂的形成区域更加准确，成为了亟待解决的问题。

技术实现思路

[0006]本申请提供一种双面接触电池及其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面接触电池的导电区制备方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，所述硅衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域制备部分阻挡层；对所述硅衬底进行硼扩散，在所述第一区域形成第一掺杂层，在所述第二区域形成第二掺杂层，所述第一掺杂层的掺杂浓度小于所述第二掺杂层的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的双面接触电池的导电区制备方法，其特征在于，所述部分阻挡层为二氧化硅层，在所述第一区域制备部分阻挡层，包括：在所述第一区域制备所述二氧化硅层。3.根据权利要求2所述的双面接触电池的导电区制备方法，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为50nm
‑
300nm。4.根据权利要求3所述的双面接触电池的导电区制备方法，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为50nm
‑
90nm。5.根据权利要求1所述的双面接触电池的导电区制...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱开富，林文杰，王永谦，陈刚，
申请(专利权)人：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司天津爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司，
类型：发明
国别省市：