太阳能电池片的接触电阻率的测试方式制造技术

本申请适用于太阳能电池片检测技术领域，提供了一种太阳能电池片的接触电阻率的测试方法，其包括步骤：提供成品太阳能电池片；沿平行于成品太阳能电池片的主栅线的方向对成品太阳能电池片进行切割以得到测试样品；对测试样品进行持续光注入；测试测试样品上具有不同间距的第一副栅线之间的电阻值并绘制散点图后进行线性拟合，得到第一线性函数；根据第一线性函数的斜率和截距以及线性传输模型的计算公式，计算第一接触区的接触电阻率。如此，无需进行单独的制样，工艺较为简单，增加电注入工艺可降低测试样品的硅片的电阻率，提高接触电阻率的测试准确性，样品的所经过的工艺和实际生产的电池的工艺相同，同样也可以提高接触电阻率的测试准确度。电阻率的测试准确度。电阻率的测试准确度。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池片的接触电阻率的测试方式


[0001]本申请涉及太阳能电池片检测
，尤其涉及一种太阳能电池片的接触电阻率的测试方式。

技术介绍

[0002]目前，在太阳能电池片
中，通常通过TLM接触电阻测试方法来对太阳能电池片的钝化接触结构的接触电阻进行测试，其通常需要再硅片表面沉积整面同一掺杂类型的掺杂层，再设置金属栅线，通过测试不同间距栅线间的电阻，在暗态下，通过测量不同间隔距离的金属栅线间I
‑
V曲线，利用欧姆定律求得两个电极间的总电阻，进而通过总电阻与间隔距离之间的关系图，从而得到接触电阻率。
[0003]然而，对于接触区为局域接触或者电池片为背接触太阳能电池片时，在测试过程中，其采用体区作为横向传输，如果横向传输的方阻太大，会导致接触电阻测试不准，TLM接触电阻测试无法兼容高电阻的硅片，因为高电阻的硅片会导致测量结果不准。
[0004]因此，为了解决这样的技术问题，局域接触电池样品和背接触太阳电池样品，需要采用低阻p型和n型硅片单独制备，工艺较为复杂，而专门制备的TLM测试样品和实际生产的背接触电池由于经过的工艺不同，导致接触电阻测试有误差，导致接触电阻率的准确度降低。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种太阳能电池片的接触电阻率的测试方式，旨在现有技术中对太阳能电池片的接触电阻率进行测试时工艺较为复杂以及接触电阻率准确度较低的技术问题。
[0006]本申请是这样实现的，本申请实施例的太阳能电池片的接触电阻率的测试方法包括：
[0007]提供成品太阳能电池片；
[0008]沿平行于所述成品太阳能电池片的主栅线的方向对所述成品太阳能电池片进行切割以得到测试样品；所述测试样品包括硅片和若干间隔设置在所述硅片上的第一接触区且所述测试样品未包含主栅线，每个所述第一接触区对应具有一根第一副栅线，若干所述第一副栅线相互平行；
[0009]对所述测试样品进行持续光注入以降低所述硅片的电阻率；
[0010]测试所述测试样品上具有不同间距的所述第一副栅线之间的电阻值；
[0011]以不同的所述第一副栅线之间的间距作为横坐标、不同的所述第一副栅线之间的间距对应的电阻值作为纵坐标绘制散点图并进行线性拟合，得到不同的所述第一副栅线之间的间距和电阻值之间的第一线性函数，并得到所述第一线性函数的斜率和截距；
[0012]根据所述第一线性函数的斜率和截距以及线性传输模型的计算公式，计算得到所述第一接触区的接触电阻率。
[0013]更进一步地，对所述测试样品进行光注入时的光源为激光、连续光谱或者混合光
源中的至少一种。
[0014]更进一步地，对所述测试样品进行光注入时的光强大小为0.01
‑
100个太阳强度。
[0015]更进一步地，在持续光注入下，所述测试样品的硅片的电阻率降低至0.1Ω
·
cm
‑
2Ω
·
cm。
[0016]更进一步地，在所述测试样品中，所述第一副栅线的长度为1mm
‑
50mm；和/或
[0017]在所述测试样品中，相邻所述第一副栅线之间距离为0.1mm
‑
5mm。
[0018]更进一步地，所述测试样品至少包含3根第一副栅线。
[0019]更进一步地，所述测试样品还包括若干第二接触区，每个所述第二接触区对应具有一根第二副栅线，若干所述第二副栅线相互平行，所述第二接触区与所述第一接触区的极性相反；若干所述第一接触区间隔设置在所述硅片的正面，若干第二接触区间隔设置在所述硅片的背面；或者，若干第一接触区和若干第二接触区依次交替间隔排列设置在所述硅片的背面，所述第二副栅线与所述第一副栅线也相互平行；
[0020]所述太阳能电池片的接触电阻率的测试方法还包括：
[0021]测试所述测试样品上具有不同间距的所述第二副栅线之间的电阻值；
[0022]以不同的所述第二副栅线之间的间距作为横坐标、不同的所述第二副栅线之间的间距对应的电阻值作为纵坐标绘制散点图并进行线性拟合，得到不同的所述第二副栅线之间的间距和电阻值之间的第二线性函数，并得到所述第二线性函数的斜率和截距；
[0023]根据所述第二线性函数的斜率和截距以及线性传输模型的计算公式，计算得到所述第二接触区的接触电阻率。
[0024]更进一步地，在所述测试样品中，所述第二副栅线的长度为1mm
‑
50mm。
[0025]更进一步地，在所述测试样品中，相邻第二副栅线之间距离为0.1mm
‑
5mm。
[0026]更进一步地，所述测试样品至少包含3根第二副栅线。
[0027]在本申请实施例中的太阳能电池片的接触电阻率的测试方法中，可直接对成品太阳能电池片进行切割得到测试样品，通过光注入可降低测试样品的电阻率，然后测试测试样品上不同的第一副栅线之间的电阻值，以不同的第一副栅线之间的间距作为横坐标、不同的第一副栅线之间间距对应的电阻值作为纵坐标绘制散点图并进行线性拟合，得到不同的第一副栅线之间的间距和电阻值之间的第一线性函数，并得到第一线性函数的斜率和截距；最后可根据第一线性函数的斜率和截距以及线性传输模型的计算公式，计算得到第一接触区的接触电阻率。如此，在制作样品时，可直接采用成品太阳能电池片进行切割制样，而无需进行单独的制样，工艺较为简单，通过在测试时增加电注入工艺，光注入时能够产生载流子(电子和空穴)，可提高硅片注入的载流子浓度，降低测试样品的硅片的电阻率，从而降低测试过程中的横向传输电阻，提高接触电阻率的测试准确性，可对实际生产的成品太阳能电池片进行分析。同时，由于测试样品是直接在成品太阳能电池片上进行切割得到，样品的所经过的工艺和实际生产的电池的工艺相同，同样也可以提高接触电阻率的测试准确度。
[0028]本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0029]图1是本申请实施例提供的成品太阳能电池片的结构示意图；
[0030]图2是本申请实施例提供的测试样品的结构示意图；
[0031]图3是本申请实施例提供的测试样品的另一结构示意图；
[0032]图4是本申请实施例提供的成品太阳能电池片的另一结构示意图；
[0033]图5是本申请实施例提供的测试样品的再一结构示意图；
[0034]图6是本申请实施例提供的太阳能电池片的接触电阻率的测试方法的流程示意图；
[0035]图7是本申请实施例提供的太阳能电池片的接触电阻率的测试方法的另一流程示意图。
具体实施方式
[0036]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片的接触电阻率的测试方法，其特征在于，包括：提供成品太阳能电池片；沿平行于所述成品太阳能电池片的主栅线的方向对所述成品太阳能电池片进行切割以得到测试样品；所述测试样品包括硅片和若干间隔设置在所述硅片上的第一接触区且所述测试样品未包含主栅线，每个所述第一接触区对应具有一根第一副栅线，若干所述第一副栅线相互平行；对所述测试样品进行持续光注入以降低所述硅片的电阻率；测试所述测试样品上具有不同间距的所述第一副栅线之间的电阻值；以不同的所述第一副栅线之间的间距作为横坐标、不同的所述第一副栅线之间的间距对应的电阻值作为纵坐标绘制散点图并进行线性拟合，得到不同的所述第一副栅线之间的间距和电阻值之间的第一线性函数，并得到所述第一线性函数的斜率和截距；根据所述第一线性函数的斜率和截距以及线性传输模型的计算公式，计算得到所述第一接触区的接触电阻率。2.根据权利要求1所述的太阳能电池片的接触电阻率的测试方法，其特征在于，对所述测试样品进行光注入时的光源为激光、连续光谱或者混合光源中的至少一种。3.根据权利要求1所述的太阳能电池片的接触电阻率的测试方法，其特征在于，对所述测试样品进行光注入时的光强大小为0.01
‑
100个太阳强度。4.根据权利要求1所述的太阳能电池片的接触电阻率的测试方法，其特征在于，在持续光注入下，所述测试样品的硅片的电阻率降低至0.1Ω
·
cm
‑
2Ω
·
cm。5.根据权利要求1所述的太阳能电池片的接触电阻率的测试方法，其特征在于，在所述测试样品中，所述第一副栅线的长度为1mm
‑
50mm；和/或在所述测试样品中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林文杰，陈军，邱开富，王永谦，陈刚，
申请(专利权)人：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司天津爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司，
类型：发明
国别省市：