一种低介电电子级玻璃纤维布的生产方法技术

技术编号:36421094 阅读:12 留言:0更新日期:2023-01-20 22:28
本发明专利技术涉及电子级电子纤维布技术领域,具体为一种低介电电子级玻璃纤维布的生产方法,方法包括以下步骤:1)将NE

【技术实现步骤摘要】
一种低介电电子级玻璃纤维布的生产方法


[0001]本专利技术涉及电子级电子纤维布
,具体为一种低介电电子级玻璃纤维布的生产方法。

技术介绍

[0002]玻璃纤维属于无机非金属材料,是一种人造无机纤维,玻璃纤维单丝的直径为几个微米到二十几个微米,玻璃纤维按其成分及性能可分为无碱玻璃纤维、中碱玻璃纤维、高碱玻璃纤维和特种玻璃纤维。玻璃纤维具有不燃、耐腐蚀、耐高温、吸湿性小、伸长小、抗拉强度高、化学稳定性好、良好的电绝缘和绝热性能等优点,应用到消费电子、工业、汽车、通信等领域。
[0003]电子级玻璃纤维布由电子级玻璃纤维纱织造而成,电子行业中电子级玻璃纤维布浸上由不同树脂组成的胶粘剂制成覆铜箔层压板,即覆铜板,覆铜板是印制电路板(PCB)的专用基本材料。印制电路板是重要的电子部件,是电子元器件的支撑体,也是电子元器件电气连接的载体,几乎所有的电子设备都需使用印制电路板。
[0004]电子级玻璃纤维布作为生产覆铜板不可缺少的材料,专利技术人发现现有技术中的电子级玻璃纤维布仍存在介电常数较高,生产成本昂贵等问题。为了进一步降低电子级玻璃纤维布的介电常数,亟需开发一种新的低介电电子级玻璃纤维布及其生产方法。

技术实现思路

[0005]为了解决现有技术中存在的问题,本专利技术提供一种低介电电子级玻璃纤维布的生产方法,本专利技术的生产方法中选用具有更低的介电常数和介质损耗的NE

玻璃纤维作为原料,并采用特定的处理剂对得到的NE

电子级玻璃纤维布进行处理,处理后NE

电子级玻璃纤维布的表面自由能和浸润活化能均降低,与树脂基体的相容性和反应活性得到改善,进而改善NE

电子级玻璃纤维布的界面介电性能,进一步降低介电常数和介质损耗。
[0006]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:
[0007]本专利技术的第一方面,提高一种低介电电子级玻璃纤维布的生产方法,所述方法包括以下步骤:
[0008]1)将NE

玻璃纤维进行上浆处理,将浆料均匀涂抹在每根玻璃纤维纱的纱线上,将玻璃纤维纱缠绕在经轴上,进行整浆,将整浆完成后将玻璃纤维纱用喷气织布机织成NE

玻璃纤维布;
[0009]2)将织好的NE

玻璃纤维布进行高温退浆;
[0010]3)将步骤2)得到的NE

玻璃纤维布在常温下浸入处理剂中,再在150~200℃温度下烘干;
[0011]其中,所述处理剂的组成按重量份数为:偶联剂0.5~2份、粘结剂0.05~1.5份、润滑剂0.05~1.5份、抗静电剂0.01~0.5份、酸性调节剂0.2~0.5份,水90~95份;所述偶联剂为:氨基类硅烷偶联剂和甲基丙烯酰氧基硅烷偶联剂的组合物,氨基类硅烷和甲基丙烯
酰氧基硅烷的质量份数比为2:0.5~1。
[0012]不同种类及同种不同结构的偶联剂,在外电场作用下,产生不同的界面极化作用,进而导致不同的界面介电性能。本专利技术通过调节偶联剂组合成分,不仅可提高玻璃纤维布和树脂基复合材料的界面粘结力,而且可以降低玻璃纤维布的表面自由能和浸润活化能,与树脂基体的相容性和反应活性得到改善。
[0013]在本专利技术的一种或多种实施方式中,高温退浆的步骤为将织好的NE

玻璃纤维布进行一次高温退浆,烧除85~95%的浆料;将一次高温退浆后的NE

玻璃纤维布进行二次高温退浆,浆料残留量退至0.05%以下;
[0014]优选地,一次高温退浆得退浆温度为350~400℃;
[0015]优选地,二次高温退浆得退浆温度为300~340℃,退浆时间为40~50小时。
[0016]在本专利技术的一种或多种实施方式中,所述氨基类硅烷偶联剂包括:N

β(氨乙基)

γ

氨丙基三乙氧基硅烷,N

β(氨乙基)

γ

氨丙基三甲氧基硅烷,N

β(氨乙基)

γ

氨丙基甲基二甲氧基硅烷中的一种或多种;
[0017]所述甲基丙烯酰氧基硅烷包括:3

(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷,甲基丙烯酰氧基甲基三乙氧基硅烷,甲基丙烯酰氧基甲基三(三甲基硅氧基)硅烷中的一种或多种。
[0018]在本专利技术的一种或多种实施方式中,所述粘结剂选自乙烯基酯树脂,环氧树脂和聚氨酯甲酸酯中的一种或多种。
[0019]在本专利技术的一种或多种实施方式中,所述润滑剂选自多元醇型非离子表面活性剂或阳离子表面活性剂中的一种或多种;
[0020]优选地,所述润滑剂选自吐温

80,司潘

40,多乙氨基脂肪酰胺,二烷基二甲胺氯化物中的一种或多种。
[0021]在本专利技术的一种或多种实施方式中,所述抗静电剂为季铵盐;优选为十二烷基二甲基苄基氯化铵或十六烷基二甲基苄基氯化铵。
[0022]在本专利技术的一种或多种实施方式中,所述酸性调节剂选自甲酸或乙酸。
[0023]本专利技术中选用的玻璃纤维布原纱为NE

玻璃纤维纱,其具有以下特点:NE

玻璃纤维是日本日东纺织株式会社为印制电路板研发的低介电常数和低介质损耗角正切的玻璃纤维,与E

玻纤相比,NE

玻纤布具有更低的介电常数和介质损耗,其介电常数可达到4.4(1MHz条件下),介质损耗可达0.0006(1MHz条件下)、更低的热膨胀系数、优异的尺寸稳定性和较高的硬度。同时,与E

玻纤布相比,NE

玻纤布也具有更加均匀的玻璃纤维分布。
[0024]本专利技术中选用的粘结剂、润滑剂、抗静电剂和酸性调节剂以及它们的组合,可以降低本专利技术的处理剂的静态表面张力,增强偶联剂在电子级玻璃纤维布表面的涂覆,并且可以提升本专利技术中偶联剂组合在水溶液中的均匀性与稳定性。这些助剂相互配合,缺一不可。
[0025]本专利技术的第二方面,提高一种第一方面所述低介电电子级玻璃纤维布的生产方法生产的低介电电子级玻璃纤维布。
[0026]本专利技术的低介电电子级玻璃纤维布的生产方法能够进一步降低现有的电子级玻璃纤维布的介电常数和介电损耗,得到的低介电电子级玻璃纤维布可以应用于电子器件的生产。
[0027]本专利技术的第三方面,提高一种第二方面所述低介电电子级玻璃纤维布在制备覆铜板中的应用。
[0028]覆铜板是印制电路板的基础材料,目前最常用的FR4覆铜板是以电子玻纤布为增强材料,浸以环氧树脂,单面或双面覆以一定厚度的铜箔,经热压处理而成的板状材料。目前,覆铜板中应用的电子玻璃纤维布主要有E

玻纤布(E

glass)、扁平E

玻纤布(MS<本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低介电电子级玻璃纤维布的生产方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:1)将NE

玻璃纤维进行上浆处理,将浆料均匀涂抹在每根玻璃纤维纱的纱线上,将玻璃纤维纱缠绕在经轴上,进行整浆,将整浆完成后将玻璃纤维纱用喷气织布机织成NE

玻璃纤维布;2)将织好的NE

玻璃纤维布进行高温退浆;3)将步骤2)得到的NE

玻璃纤维布在常温下浸入处理剂中,再在150~200℃温度下烘干;其中,所述处理剂的组成按重量份数为:偶联剂0.5~2份、粘结剂0.05~1.5份、润滑剂0.05~1.5份、抗静电剂0.01~0.5份、酸性调节剂0.2~0.5份,水90~95份;所述偶联剂为:氨基类硅烷偶联剂和甲基丙烯酰氧基硅烷偶联剂的组合物,氨基类硅烷和甲基丙烯酰氧基硅烷的质量份数比为2:0.5~1。2.根据权利要求1所述的低介电电子级玻璃纤维布的生产方法,其特征在于,所述氨基类硅烷偶联剂包括:N

β(氨乙基)

γ

氨丙基三乙氧基硅烷,N

β(氨乙基)

γ

氨丙基三甲氧基硅烷,N

β(氨乙基)

γ

...

【专利技术属性】
技术研发人员:林家宝
申请(专利权)人:建滔清远电子材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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