一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件制造技术

本实用新型专利技术涉及MOSFET器件技术领域，且公开了一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，包括器件本体，所述器件本体表面的两侧均固定连接有固定板，且两个固定板之间固定连接有若干散热鳍片，所述器件本体的表面设置有防护壳，所述防护壳的表面开设有若干散热槽，所述防护壳的左右两侧均开设有限位孔，所述防护壳的底部设置有连接板，所述连接板的底部固定连接有若干引脚防护套，所述连接板顶部的左右两侧均开设有限位槽；本实用新型专利技术可以对MOSFET器件和引脚进行保护，避免受到外界因素而发生破损，同时还可以对其进行散热处理，并提高其的使用寿命，解决了目前的MOSFET器件不方便进行散热，且无法对MOSFET器件和其的引脚进行保护的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件


[0001]本技术涉及MOSFET器件
，具体为一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件。

技术介绍

[0002]金属－氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型。
[0003]现有的屏蔽槽栅功率MOSFET器件焊接在电路板上时，由于屏蔽槽栅功率MOSFET器件和电路板紧密接触，导致其散热效率低下，容易造成电路板的损坏，同时MOSFET器件在不使用时，其若受外界碰撞后，引脚容易受到损坏，无法对其器件和引脚进行有效保护。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，可以对MOSFET器件和引脚进行保护，避免受到外界因素而发生破损，同时还可以对其进行散热处理，并提高其的使用寿命，解决了目前的MOSFET器件不方便进行散热，且无法对MOSFET器件和其的引脚进行保护的问题。
[0005]为实现上述目的，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，包括器件本体(1)，其特征在于：所述器件本体(1)表面的两侧均固定连接有固定板(3)，且两个固定板(3)之间固定连接有若干散热鳍片(4)，所述器件本体(1)的表面设置有防护壳(5)，所述防护壳(5)的表面开设有若干散热槽(7)，所述防护壳(5)的左右两侧均开设有限位孔(17)，所述防护壳(5)的底部设置有连接板(8)，所述连接板(8)的底部固定连接有若干引脚防护套(9)，所述连接板(8)顶部的左右两侧均开设有限位槽(19)，且限位槽(19)的内部设置有弹簧(11)，所述弹簧(11)的另一端固定连接有限位板(12)，所述限位板(12)的另一侧固定连接有限位杆(13)，所述限位杆(13)的另一端固定连接有限位球(14)，所述限位球(14)与限位孔(17)的内部配合使用。2.根据权利要求1所述的一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于：所述限位槽(19)内腔的前后方均开设有滑槽(15)，所述限位板(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：谈益民，
申请(专利权)人：江苏东海半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：