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本实用新型涉及MOSFET器件技术领域，且公开了一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，包括器件本体，所述器件本体表面的两侧均固定连接有固定板，且两个固定板之间固定连接有若干散热鳍片，所述器件本体的表面设置有防护壳，所述防护壳的表面开设有若干...
该专利属于江苏东海半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏东海半导体股份有限公司授权不得商用。

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