一种低压大电流沟槽型功率MOSFET器件制造技术

本实用新型专利技术涉及MOSFET器件技术领域，且公开了一种低压大电流沟槽型功率MOSFET器件，包括器件本体，所述器件本体的底部固定有安装底座，所述器件本体的左右两侧均固定有若干器件引脚本体，且器件引脚本体呈L型设置，所述器件本体顶部的左右两侧均设置有防护板，且防护板底部的一侧与器件本体铰接，所述防护板的顶部开设有容纳槽；本实用新型专利技术通过防护板、容纳槽、固定块和固定槽的设置，使得该器件能够在安装完成后，对其两侧暴露在外界的引脚进行遮挡防护，避免引脚受到冲击出现弯折或者断裂情况，延长了该器件的使用寿命，而且该器件具备良好的散热效果，能够将自身运行时产生的热量快速发散至外界，使自身保持在正常的工作温度。使自身保持在正常的工作温度。使自身保持在正常的工作温度。

【技术实现步骤摘要】
一种低压大电流沟槽型功率MOSFET器件


[0001]本技术涉及MOSFET器件
，具体为一种低压大电流沟槽型功率MOSFET器件。

技术介绍

[0002]MOSFET：金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。
[0003]目前MOSFET器件的种类多种多样，其中低压大电流沟槽型功率MOSFET器件通过引脚安装在电路板上之后，其两侧的器件引脚有部分会暴露在外界，但是现有的低压大电流沟槽型功率MOSFET器件不具备对暴露的引脚进行防护的功能，导致电路板受到冲击，且表面的低压大电流沟槽型功率MOSFET器件的引脚容易出现弯折情况，甚至会导致引脚出现断裂情况，使得该器件无法正常使用，给使用者带来了麻烦。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种低压大电流沟槽型功率MOSFET器件，其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压大电流沟槽型功率MOSFET器件，包括器件本体(1)，其特征在于：所述器件本体(1)的底部固定有安装底座(2)，所述器件本体(1)的左右两侧均固定有若干器件引脚本体(3)，且器件引脚本体(3)呈L型设置，所述器件本体(1)顶部的左右两侧均设置有防护板(4)，且防护板(4)底部的一侧与器件本体(1)铰接，所述防护板(4)的顶部开设有容纳槽(5)，所述器件本体(1)的表面设置有散热板(6)，所述散热板(6)的数量为两个，且它们呈对称设置在器件本体(1)顶部的前后两侧，所述器件本体(1)左右两侧表面的前后方均栓接有固定块(7)，所述防护板(4)顶部前后方的一侧均开设有固定槽(8)，且固定块(7)与固定槽(8)的内壁卡接。2.根据权利要求1所述的一种低压大电流沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于：所述散热板(6)相向一侧表面的左右两侧均开设有卡槽(9)，所述防护板(4)前后方的一侧均粘接...

【专利技术属性】
技术研发人员：谈益民，
申请(专利权)人：江苏东海半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：