一种芯片式熔断器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种芯片式熔断器，包括壳体、位于壳体两端的电极部、位于壳体内的熔断体部；电极部、熔断体部为同一条金属带材一体弯折成型；电极部包括一个长电极部及一个短电极部，长电极部覆盖于壳体一端外侧的开口或开槽并进入收容腔内与电极部连接，短电极部覆盖于底壁外端并自开口进入收容腔内与电极部连接；所述收容腔的至少一端被密封胶密封，且该密封胶外表面与外部空气接触。密封胶不与熔断体部直接接触，大大降低了密封胶的老化风险。本发明专利技术同时提供了该芯片式熔断器的制备方法。明同时提供了该芯片式熔断器的制备方法。明同时提供了该芯片式熔断器的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片式熔断器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种芯片式熔断器，特别涉及一种具有低温升性能的大额定电流熔断器的结构，以及该熔断器的制备方法。

技术介绍

[0002]随着动力电池、小型储能工具等行业的发展，对于大电流表面贴装式熔断器产品的需求越来越多，且对其温升特性尤为看重。从产品本身结构设计方面考虑，传统管壳状结构的熔断器产品，以有铅焊料等通过高温熔化焊接及类似方式来使其内部金属熔体和外部端帽形成电连接，而随着产品自身额定电流的越来越高，这种以焊接工艺得到的产品的结构及主要性能指标，如温升等的局限性逐渐突出，需要一种新的产品设计来满足这一需求。
[0003]中国专利201380010087.4中提出了一种金属熔体和端子一体成形的结构设计方案，金属片通过冲压形成特定的图形及结构，采用将其两侧作为焊接用的端部电极和中间起保护作用的熔断体在同一金属片上一体成形的工艺模式，两侧的外部电极搭接到一端开口的方形绝缘外壳底部，熔断体置于绝缘外壳内部，绝缘外壳的开口端通过硅酮树脂或环氧树脂等密封。这种结构的优点主要是降低了金属熔体与端部电极间的接触电阻，但缺点也很明显，因硅酮树脂等处于产品底端，散热困难，且与熔断体金属片直接接触，易造成热积累，其密封树脂会随着产品使用时间及温度的增加而老化，从而导致端部电极及熔断体等脱落。
[0004]故需要一种新的技术方案以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0005]针对以上问题，本专利技术提供了一种芯片式熔断器以解决电极部与熔断体部通过金属片一体成型的情况下，位于外壳端部密封胶老化而造成电极部容易脱落的问题。
[0006]本专利技术同时提供芯片式熔断器的制备方法。
[0007]为实现上述目标功能，本专利技术芯片式熔断器采用如下技术方案：
[0008]一种芯片式熔断器，包括壳体、位于壳体两端的电极部、位于壳体内的熔断体部；电极部、熔断体部为同一条金属带材一体弯折成型；所述壳体包括顶壁、底壁、两侧壁，顶壁、底壁、两侧壁围成收容腔，壳体的两端设有开口和/或开槽；两端的电极部包括一个长电极部及一个短电极部，长电极部覆盖于壳体一端外侧的开口或开槽并进入收容腔内与电极部连接，短电极部覆盖于底壁外端并自开口进入收容腔内与电极部连接；所述收容腔的至少一端被密封胶密封，且该密封胶外表面与外部空气接触。
[0009]进一步的，壳体的一端设有端壁而另一端为开口，端壁上设有与收容腔连通的开槽，长电极部覆盖于端壁及开槽外侧并自开槽向收容腔内延伸与电极部连接；所述电极部自与长电极部连接所在位置在收容腔内倾斜向下延伸并与短电极部连接；所述开口和开槽处设置密封胶对开口和开槽密封。
[0010]进一步的，所述开口面积与收容腔横截面积一样；短电极部覆盖于底壁外端并弯
折延伸至底壁的底部；开槽的横截面积小于收容腔横截面积，所述长电极部覆盖于端壁并自端壁外侧并弯折延伸至底壁的底部。
[0011]进一步的，所述收容腔内填充有包裹熔断体部的灭弧材料。
[0012]进一步的，所述壳体的两端均设有开口，所述底壁的一端设有向内倾斜形成倒角的凹面部，所述长电极部设有向内折弯的有弹性的凸起部，该凸起部抵靠于凹面部；长电极部将开口完全覆盖封闭并紧贴自顶壁内表面向收容腔内延伸与熔断体部连接。
[0013]进一步的，壳体在底壁设置凹面部一端的开口面积大于收容腔横截面积；壳体另一端的开口面积与收容腔横截面积一样。
[0014]进一步的，所述长电极部所在一端的开口不设置密封胶，短电极部所在一端覆盖密封胶密封。
[0015]有益效果：
[0016]本专利技术由于采取以上技术方案，其具有如下优点：本专利技术所述芯片式熔断器的结构中，金属带材通过对角折弯牢固的固定在壳体的两端，避免了业内同类产品潜在的绝缘壳体脱落风险；另外，本专利技术所述芯片熔断器的结构中，其密封胶至少有一个表面与空气接触，且不与熔断体部直接接触，大大降低了密封胶的老化风险，提高了产品的使用寿命。
[0017]本专利技术还提供了上述芯片型熔断器的一种制备方法，包括以下步骤：
[0018]步骤(1)：将金属带材冲压形成熔断体部；
[0019]步骤(2)：将冲压形成熔断体部的金属带材从绝缘壳体的开槽穿入收容腔内部，并从另一端开口侧穿出；
[0020]步骤(3)：将穿入收容腔的金属带材先沿下侧壁的端面向下折弯，形成短电极部，再沿底壁底面向内折弯，形成焊接面，使金属带材完全固定到壳体上；
[0021]步骤(4)：将壳体带有焊接面的一端向下摆放，用点胶机在壳体的开槽点胶密封，并使密封胶固化；
[0022]步骤(5)：将壳体的开口面向上，已密封面向下，向收容腔内部填充灭弧材料并振实；
[0023]步骤(6)：在灭弧材料表面再通过填充密封胶将开口封闭，并固化。
[0024]本专利技术还提供了上述芯片型熔断器的另一种制备方法，包括以下步骤：
[0025]步骤(1)：将金属带材冲压形成熔断体部；在设计要求位置冲压折弯形成凸起部；
[0026]步骤(2)：将冲压形成熔断体部的金属带材从绝缘壳体的开槽穿入收容腔内部，并从另一端开口侧穿出；
[0027]步骤(3)：先将金属带材拉紧，使金属带材上的凸起部紧密贴合到壳体的凹面部上，通过凸起部的弹性力使金属带材上端紧贴自顶壁内表面，再将金属带材的两端部同时向底壁底部折弯形成焊接面，同时以金属带材的宽度来密闭壳体的一端；
[0028]步骤(4)：将壳体的开口面向上，已密封面向下，向收容腔内部填充灭弧材料并振实；
[0029]步骤(5)：在灭弧材料表面再通过填充密封胶将开口封闭，并固化。
附图说明
[0030]图1是本专利技术实施例一所述芯片式熔断器的纵向剖面图；
[0031]图2是本专利技术实施例一所述熔断器用绝缘壳体的立体结构图；
[0032]图3是本专利技术实施例一所述熔断器的制备方法流程图；
[0033]图4是本专利技术实施例二所述芯片式熔断器的纵向剖面图；
[0034]图5是本专利技术实施例二中将弯折形成电极部与熔断体部的金属带材与壳体装配后的示意图；
[0035]图6是本专利技术实施例二所述熔断器用绝缘壳体的纵向剖面图；
[0036]图7是本专利技术实施例二所述熔断器中熔体穿入结构剖面图；
[0037]图8是本专利技术实施例二所述熔断器生产工艺中带材冲压示意图。
具体实施方式
[0038]下面对本专利技术的实施例作详细说明：
[0039]下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细的描述。
[0040]实施例一：
[0041]如图1至图3所示，本实施例提供一种芯片式熔断器，包括：绝缘壳体1、金属带材2、灭弧材料3和密封胶4。其中：
[0042]所述绝缘壳体1为包括顶壁、底壁、两侧壁，顶壁、底壁、两侧壁围成收容腔。收容腔一端为全开口，另一端为端壁，端壁上开有一套横向延伸的开槽11，该开槽11与收容腔连通。绝缘壳体1为管状结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片式熔断器，包括壳体、位于壳体两端的电极部、位于壳体内的熔断体部；电极部、熔断体部为同一条金属带材一体弯折成型；其特征在于，所述壳体包括顶壁、底壁、两侧壁，顶壁、底壁、两侧壁围成收容腔，壳体的两端设有开口和/或开槽；两端的电极部包括一个长电极部及一个短电极部，长电极部覆盖于壳体一端外侧的开口或开槽并进入收容腔内与电极部连接，短电极部覆盖于底壁外端并自开口进入收容腔内与电极部连接；所述收容腔的至少一端被密封胶密封，且该密封胶外表面与外部空气接触。2.根据权利要求1所述的芯片式熔断器，其特征在于：壳体的一端设有端壁而另一端为开口，端壁上设有与收容腔连通的开槽，长电极部覆盖于端壁及开槽外侧并自开槽向收容腔内延伸与电极部连接；所述电极部自与长电极部连接所在位置在收容腔内倾斜向下延伸并与短电极部连接；所述开口和开槽处设置密封胶对开口和开槽密封。3.根据权利要求2所述的芯片式熔断器，其特征在于：所述开口面积与收容腔横截面积一样；短电极部覆盖于底壁外端并弯折延伸至底壁的底部；开槽的横截面积小于收容腔横截面积，所述长电极部覆盖于端壁并自端壁外侧并弯折延伸至底壁的底部。4.根据权利要求2或3所述的芯片式熔断器，其特征在于：所述收容腔内填充有包裹熔断体部的灭弧材料。5.根据权利要求1所述的芯片式熔断器，其特征在于：所述壳体的两端均设有开口，所述底壁的一端设有向内倾斜形成倒角的凹面部，所述长电极部设有向内折弯的有弹性的凸起部，该凸起部抵靠于凹面部；长电极部将开口完全覆盖封闭并紧贴顶壁内表面，长电极部自顶壁内表面向收容腔内延伸与熔断体部连接。6.根据权利要求5所述的芯片式熔断器，其特征在于：壳体在底壁设置凹面部一端的开口面积大于收容腔横截面积；壳体另一端的开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨漫雪，刘明龙，
申请(专利权)人：南京萨特科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：