半导体结构及其形成方法技术

本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一金属图案层；通过金属辅助化学刻蚀工艺刻蚀所述衬底，以定义有源区。以定义有源区。以定义有源区。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本公开涉及半导体
，涉及但不限于一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着制程节点不断的缩小，动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)中的有源区(Active Area，AA)的制造难度越来越大。采用传统蚀刻技术，在衬底中形成的AA会出现负载效应、形貌差等现象，这样会严重影响器件的电性并降低产品的良率。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法。
[0004]第一方面，本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一金属图案层；通过金属辅助化学刻蚀工艺刻蚀所述衬底，以定义有源区。
[0005]在一些实施例中，在所述衬底上形成第一金属图案层，包括：在所述衬底上依次形成初始金属层和第一掩膜层；基于所述第一掩膜层，通过刻蚀工艺刻蚀所述初始金属层，形成所述第一金属图案层。
[0006]在一些实施例中，在所述衬底上形成第一金属图案层，包括：在所述衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一金属图案层；通过金属辅助化学刻蚀工艺刻蚀所述衬底，以定义有源区。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底上形成第一金属图案层，包括：在所述衬底上依次形成初始金属层和第一掩膜层；基于所述第一掩膜层，通过刻蚀工艺刻蚀所述初始金属层，形成所述第一金属图案层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底上形成第一金属图案层，包括：在所述衬底上形成第二掩膜层；在所述第二掩膜层的空隙中沉积金属，形成所述第一金属图案层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底上形成第一金属图案层，包括：在所述衬底上形成第二掩膜层；在所述第二掩膜层的空隙中沉积种子层，通过电镀工艺形成所述第一金属图案层。5.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；对所述衬底进行刻蚀形成凹槽，在所述凹槽中形成第二金属图案层；通过金属辅助化学刻蚀工艺刻蚀所述衬底，以定义有源区。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对所述衬底进行刻蚀形成凹槽，包括：在所述衬底上依次形成初始第三掩膜层和第四掩膜层；其中，所述第四掩膜层具有与有源区目标图案相同的第一图案；基于所述第四掩膜层刻蚀所述初始第三掩膜层和所述衬底，形成第三掩膜层和位于所述衬底中的凹槽。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第四掩膜层通过以下步骤形成：在所述初始第三掩膜层上形成具有第二图案的初始第四掩膜层；其中，所述第二图案包括多个平行排列、且沿所述有源区延伸方向延伸的第一掩膜条；在所述初始第四掩膜层上形成具有第三图案的第一复合掩膜层；其中，所述第三图案包括多个阵列排布的第一开口，所述第一开口与所述第一掩膜条在所述衬底上的正投影部分重叠，且在所述第一掩膜条的排列方向上，每两个所述第一掩膜条与相邻两个所述第一掩膜条之间具有一所述第一开口；以所述第一复合掩膜层为掩膜，沿所述第一开口刻蚀所述初始第四掩膜层，形成所述第四掩膜层。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述初始第四掩膜层上形成具有第三图案的第一复合掩膜层，包括：在所述初始第四掩膜层的空隙中填充掩膜材料，形成第五掩膜层；其中，所述第五掩膜层的顶表面高于所述初始第四掩膜层的顶表面；在所述第五掩膜层上形成具有所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李森，夏军，占康澍，宛强，刘涛，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：