基于应力调控的锡基钙钛矿薄膜及其制备方法、光电器件技术

本发明专利技术公开了一种基于应力调控的锡基钙钛矿薄膜及其制备方法、光电器件，其中，制备方法包括：将锡基钙钛矿液膜和配体溶液置于同一腔室内并通过抽气使腔室真空度低于1000Pa后停止抽气，其中，配体溶液为含胺基或巯基官能团的溶液；维持腔室密闭状态，锡基钙钛矿与溶剂络合形成具有抵抗热应力冲击能力的中间相固膜，且配体溶液持续挥发充满腔室形成配体氛围，配体与中间相固膜中未配位的锡结合以减少表面缺陷；将中间相固膜取出后退火。通过分两步调节应力冲击并把握缺陷处理的时机，在真空干燥时利用配体与中间相固膜中未配位的锡结合，弱化钙钛矿表面的悬挂键和缺陷。再进行退火处理，使退火期间导致的晶格畸变减小，最终提高锡基钙钛矿薄膜的质量。提高锡基钙钛矿薄膜的质量。提高锡基钙钛矿薄膜的质量。

【技术实现步骤摘要】
基于应力调控的锡基钙钛矿薄膜及其制备方法、光电器件


[0001]本专利技术属于光电
，更具体地，涉及一种基于应力调控的锡基钙钛矿薄膜及其制备方法、光电器件。

技术介绍

[0002]相较传统的铅基钙钛矿，锡基钙钛矿具有优异的光电性能如光学带隙较窄，光、热稳定性较好，是最有希望实现高效稳定低毒的钙钛矿材料。得到均匀、致密以及高质量的钙钛矿薄膜是制备高性能钙钛矿光电器件的关键。然而，由于钙钛矿较低的杨氏模量使其更易受到外界光、热影响产生晶格畸变，而钙钛矿薄膜的制备过程存在退火环节，退火过程会导致晶格拉伸应变而使晶格畸变，该畸变区域会成为缺陷中心，增强载流子非辐射复合，导致锡基钙钛矿光电器件性能下降。因此，需寻求一种工艺方法降低锡基钙钛矿缺陷，对提高器件的光电性能有着重要的意义。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本专利技术提供了一种基于应力调控的锡基钙钛矿薄膜及其制备方法、光电器件，其目的在于解决锡基钙钛矿缺陷较多的技术问题。
[0004]为实现上述目的，按照本专利技术的一个方面，提供了一种基于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于应力调控的锡基钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括：将锡基钙钛矿溶液涂敷在基体表面形成锡基钙钛矿液膜；将锡基钙钛矿液膜和配体溶液置于同一腔室内并通过抽气使腔室真空度低于1000Pa后停止抽气，其中，配体溶液为含胺基或巯基官能团的溶液；维持腔室密闭状态，使锡基钙钛矿液膜中的部分溶剂挥发、锡基钙钛矿与溶剂络合形成具有抵抗热应力冲击能力的中间相固膜，且配体溶液持续挥发充满腔室形成配体氛围，所挥发的配体与中间固相膜中未配位的锡结合以减少表面缺陷；将所述中间固相膜取出，于45℃～110℃的温度下进行退火。2.如权利要求1所述的基于应力调控的锡基钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述配体溶液的体积为10μL～50μL，真空度为100Pa～1000Pa，维持腔室密闭状态的时长为60s～180s。3.如权利要求1所述的基于应力调控的锡基钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，通过抽气使腔室真空度低于1000Pa的抽气时长不超过10s。4.如权利要求1所述的基于应力调控的锡基钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，低温退火的时长为3min～5min，高温退火的时长为5min～15min。5.如权利要求1所述的基于应力调控的锡基钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，退火...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鸣魁，于海譞，李雄杰，张治国，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：