一种基带放大器及接收机制造技术

本文公开一种基带放大器及接收机，基带放大器包括：包括有源晶体管，还包括：与有源晶体管匹配的负载网络，负载网络包括：包含预设电感的无源LC谐振的负载。本发明专利技术实施例以无源LC谐振的负载作为基带放大器的输出级负载，由于输出级负载寄生电阻和压降可以忽略不计，因此增大了基带放大器的输出信号的摆幅，实现了基带放大器的高线性功率输出。带放大器的高线性功率输出。带放大器的高线性功率输出。

【技术实现步骤摘要】
一种基带放大器及接收机


[0001]本文涉及但不限于射频通信技术，尤指一种基带放大器及接收机。

技术介绍

[0002]随着通信技术快速发展，人们对无线传输数据率的需求越来越高，带宽成为了通信技术发展的主要瓶颈。因载波频率较高，毫米波频段在宽带系统中有着广泛的应用。
[0003]在接收机架构中，通信系统包含射频接收机(接收)和模拟基带(放大)；其中，射频接收机通过天线接收微弱的无线信号，对无线信号进行放大，放大后的无线信号由本振的高频载波下变频到中频以获得中频信号，再由基带放大器进行预放大；模拟基带对中频信号进一步放大，通过模数转换器(ADC)对放大的中频信号进行采样，获得数字信号；解调和输出对数字信号进行解调等操作后获得通信数据。相关技术中，射频接收机采用低阶调制，低阶调制数据率低，调制信号的峰均功率比(PAPR，Peak to Average Power Ratio)小，ADC动态范围不大，因此对射频接收机中的基带放大器线性度要求不高；在高速应用中，信号调制阶数升高，PAPR和ADC动态范围增大，因此需要线性度更高的基带放大器；有源或电阻负载的放大器受限于负载压降，难以实现高线性功率输出。
[0004]综上，如何实现射频接收机的基带放大器的高线性功率输出，成为一个有待解决的问题。

技术实现思路

[0005]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0006]本专利技术实施例提供一种基带放大器及接收机，能够实现基带放大器的高线性输出。
>[0007]本专利技术实施例提供了一种基带放大器，包括：包括有源晶体管，还包括：与有源晶体管匹配的负载网络；其中，
[0008]负载网络包括：包含预设电感的无源LC谐振的负载。
[0009]在一种示例性实例中，所述无源LC谐振的负载由所述预设电感和第一电容C1构成的谐振电路组成。
[0010]在一种示例性实例中，所述预设电感由耦合连接的第一电感L
p
和第二电感L
s
组成。
[0011]其中，所述第一电感L
p
和所述第二电感L
s
的耦合系数为0。
[0012]在一种示例性实例中，所述负载网络还包括：
[0013]串联的第一电阻R1和第二电阻R2；所述第一电感L
p
与、串联的所述第一电阻R1和所述第二电阻R2串联，形成并联峰化结构。
[0014]在一种示例性实例中，所述第二电感L
s
包括线圈在中心扭曲180
°
的电感。
[0015]在一种示例性实例中，所述第一电感L
P
包括差分螺旋电感。
[0016]在一种示例性实例中，所述有源晶体管包括：驱动级的第一晶体管M1、驱动级的第
二晶体管M2，输出级的第三晶体管M3和输出级的第四晶体管M4；其中，
[0017]第一晶体管M1的栅极连接基带放大器的第一隔直电容C2的正极和第一中和电容C3的第一端口，第一晶体管M1的漏极连接第二中和电容C4的第一端口，第一晶体管M1的源极接地；
[0018]第二晶体管M2的栅极连接基带放大器的第二隔直电容C5的负极和第二中和电容C4的第二端口，第二晶体管M2的漏极连接第一中和电容C3的第二端口，第二晶体管M2的源极接地；
[0019]第一晶体管M1的漏极连接第二电容C6的第一端口，第四晶体管M4的栅极连接第二电容C6的第二端口；
[0020]第二晶体管M2的漏极连接第三电容C7的第一端口，第三晶体管M3的栅极连接第三电容C7的第二端口。
[0021]还一方面，本专利技术实施例还提供一种接收机，包括上述基带放大器。
[0022]本申请技术方案，基带放大器包括：包括有源晶体管，还包括：与有源晶体管匹配的负载网络，负载网络包括：包含预设电感的无源LC谐振的负载。本专利技术实施例以无源LC谐振的负载作为基带放大器的输出级负载，由于输出级负载寄生电阻和压降可以忽略不计，因此增大了基带放大器的输出信号的摆幅，实现了基带放大器的高线性功率输出。
[0023]本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0024]附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。
[0025]图1为本专利技术实施例基带放大器的结构框图；
[0026]图2为本专利技术实施例基带放大器的印制电路板的示意图；
[0027]图3为本专利技术实施例基带放大器的电路组成示意图。
具体实施方式
[0028]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
[0029]在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
[0030]图1为本专利技术实施例基带放大器的结构框图，如图1所示，包括有源晶体管，还包括：与有源晶体管匹配的负载网络；其中，
[0031]负载网络包括：包含预设电感的无源LC谐振的负载。
[0032]本专利技术实施例以无源LC谐振的负载作为基带放大器的输出级负载，由于无源LC谐振的负载寄生电阻和压降可以忽略不计，因此，提升了基带放大器的输出信号的摆幅，实现
了基带放大器的高线性功率输出。
[0033]在一种示例性实例中，本专利技术实施例中的无源LC谐振的负载由预设电感和第一电容C1构成的谐振电路组成。
[0034]在一种示例性实例中，本专利技术实施例中的预设电感由第一电感L
p
和第二电感L
s
组成。
[0035]其中，第一电感L
p
和第二电感L
s
耦合系数为0。
[0036]本专利技术实施例第一电感L
p
和第二电感L
s
磁场自消，两个电感的之间没有相互影响，提高了基带放大器印刷电路板的面积利用率和电路集成度。
[0037]在一种示例性实例中，本专利技术实施例第一电感L
p
和第二电感L
s
可以在一个电感的面积内实现，耦合系数为0；本专利技术实施例用压降可以忽略的LC谐振的负载，避免了负载上的直流压降对晶体管摆幅的限制，以增大晶体管的输出摆幅，使用负载牵引进一步提高输出1分贝(dB)的压缩点。
[0038]在一种示例性实例中，本专利技术实施例中的预设电感可以是由本领域技术人员根据基带放大器的电路组成确本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基带放大器，包括有源晶体管，其特征在于，还包括：与有源晶体管匹配的负载网络；其中，负载网络包括：包含预设电感的无源LC谐振的负载。2.根据权利要求1所述的基带放大器，其特征在于，所述无源LC谐振的负载由所述预设电感和第一电容C1构成的谐振电路组成。3.根据权利要求1或2所述的基带放大器，其特征在于，所述预设电感由耦合连接的第一电感L
p
和第二电感L
s
组成；其中，所述第一电感L
p
和所述第二电感L
s
的耦合系数为0。4.根据权利要求3所述的基带放大器，其特征在于，所述负载网络还包括：串联的第一电阻R1和第二电阻R2；所述第一电感L
p
与、串联的所述第一电阻R1和所述第二电阻R2串联，形成并联峰化结构。5.根据权利要求4所述的基带放大器，其特征在于，所述第二电感L
s
包括线圈在中心扭曲180
°
的电感。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓伟，吴奇修，贾海昆，池保勇，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：