集成组合件及形成集成组合件的方法技术

本公开的实施例涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有交替的第一层级与第二层级的竖直堆叠的集成组合件。面板延伸穿过所述堆叠。所述第一层级具有邻近所述面板的近端区，并且具有比所述近端区更远离所述面板的远端区。所述远端区包含导电结构。所述导电结构具有第一厚度。所述近端区包含绝缘结构。所述绝缘结构具有与所述第一厚度至少约一样大的第二厚度。一些实施例包含形成集成组合件的方法。成集成组合件的方法。成集成组合件的方法。

【技术实现步骤摘要】
集成组合件及形成集成组合件的方法


[0001]集成组合件(例如，集成NAND存储器)。形成集成组合件的方法。

技术介绍

[0002]存储器提供用于电子系统的数据存储。快闪存储器是一种类型的存储器，并且在现代计算机及装置中具有众多用途。例如，现代个人计算机可具有存储在快闪存储器芯片上的BIOS。作为另一实例，计算机及其它装置越来越普遍地在固态驱动器中利用快闪存储器来代替常规硬盘驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中很流行，因为其使制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持新的通信协议，并且提供远程升级装置以增强特征的能力。
[0003]NAND可为快闪存储器的基本体系结构，并且可经配置以包括竖直堆叠的存储器单元。
[0004]在具体描述NAND之前，更一般地描述集成布置内的存储器阵列的关系可能是有帮助的。图1展示现有技术装置1000的框图，现有技术装置1000包含具有布置成行及列的多个存储器单元1003以及存取线1004(例如，用以传导信号WL0到WLm的字线)及第一数据线1006(例如，用以传导信号BL0到BLn的位线)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成组合件，其包括：交替的第一层级与第二层级的堆叠；面板，其延伸穿过所述堆叠；及所述第一层级具有邻近所述面板的近端区，并且具有比所述近端区更远离所述面板的远端区；所述远端区包括导电结构，其中所述导电结构具有第一厚度；所述近端区包括绝缘结构，其中所述绝缘结构具有与所述第一厚度至少约一样大的第二厚度。2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述面板将第一存储器块区与第二存储器块区分离。3.根据权利要求1所述的集成组合件，其包括延伸穿过所述堆叠的沟道材料支柱。4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第二层级包括所述第一层级的所述远端区之间的空隙区。5.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第二厚度大于所述第一厚度。6.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第二厚度比所述第一厚度大至少约10％。7.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第二厚度比所述第一厚度大至少约20％。8.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述绝缘结构沿横截面为大体上矩形形状。9.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述绝缘结构包括硅及氮。10.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述绝缘结构包含氮化硅。11.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述导电结构中的每一者包含含钨芯及沿所述含钨芯的外部外围的含金属氮化物衬垫。12.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述第一层级中的每一者的所述远端区包含沿所述含金属氮化物衬垫的外部外围的电介质材料。13.根据权利要求12所述的集成组合件，其中所述第一层级的所述远端区具有总厚度，所述总厚度涵盖所述导电结构及所述电介质材料。14.根据权利要求13所述的集成组合件，其中所述绝缘结构的第二竖直宽度与所述远端区的所述总厚度至少约一样大。15.根据权利要求13所述的集成组合件，其中所述电介质材料为高k材料。16.一种集成组合件，其包括：交替的空隙层级与无空隙层级的竖直堆叠；沟道材料支柱，其竖直延伸穿过所述堆叠；面板，其竖直延伸穿过所述堆叠并且将第一存储器块区与第二存储器块区分离；及所述无空隙层级具有邻近所述面板的近端区，并且具有比所述近端区更远离所述面板的远端区；所述远端区包括导电结构，其中所述导电结构具有第一竖直宽度；所述近端区包括绝缘结构，其中所述绝缘结构具有与所述第一竖直宽度至少约一样大的第二竖直宽度。17.根据权利要求16所述的集成组合件，其中所述第二竖直宽度大于所述第一竖直宽度。18.根据权利要求16所述的集成组合件，其中所述绝缘结构包括氮化硅。19.根据权利要求16所述的集成组合件，其中所述导电结构中的每一者包含含钨芯及
沿所述含钨芯的外部外围的含金属氮化物衬垫。20.根据权利要求19所述的集成组合件，其中所述无空隙层级中的每一...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：