一种维持大功率MOS管衬底电位均匀的芯片版图制造技术

一种维持大功率MOS管衬底电位均匀的芯片版图，其特征在于：所述芯片版图中包括多排低压功率管、多排背栅管；其中，所述多排低压功率管与所述多排背栅管之间依次交替设置；所述多排背栅管中包括一排或多排第一背栅管和一排或多排第二背栅管，且第一背栅管和第二背栅管之间间隔的依次交替设置。本发明专利技术中的芯片版图，实现方式简单、代价小、效果好。效果好。效果好。

【技术实现步骤摘要】
一种维持大功率MOS管衬底电位均匀的芯片版图


[0001]本专利技术涉及集成电路领域，更具体地，涉及一种维持大功率MOS管衬底电位均匀的芯片版图。

技术介绍

[0002]目前，为了保障芯片中功率管的安全，确保当功率管的源漏极出现反向电压时，功率管仍然能够保持正常的工作状态，不会发生雪崩等问题，且为了保证功率管接收正向和反向电压时都能关断，会在功率管的源极和漏极之间增加衬底选择模块。该衬底选择模块中包括两个尺寸较小的MOS管，能够分别连接在功率管的源极和背栅之间、漏极和背栅之间，本文中将上述两个小尺寸MOS管称为背栅管，以基于功率管的源极和漏极电压控制功率管的背栅电压。
[0003]然而，通常来说，为了保证功率管中流经的电流足够大，以实现功率管的工作效果，会将功率管设置成多组MOS管结构并联的形式。另外，现有技术中，在功率管的源极和背栅之间、漏极和背栅之间增加的尺寸较小的背栅管通常会作为衬底选择模块中的一部分被摆放在功率管的一侧，并且背栅管的衬底与功率管的衬底通过金属线进行连接。这就导致了每组功率管与背栅管之间的距离并不完全相同，因此金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种维持大功率MOS管衬底电位均匀的芯片版图，其特征在于：所述芯片版图中包括多排低压功率管、多排背栅管；其中，所述多排低压功率管与所述多排背栅管之间依次交替设置；所述多排背栅管中包括一排或多排第一背栅管和一排或多排第二背栅管，且第一背栅管和第二背栅管之间间隔的依次交替设置。2.根据权利要求1中所述的一种维持大功率MOS管衬底电位均匀的芯片版图，其特征在于：所述多排低压功率管与所述多排背栅管之间呈固定间隔设置，其间隔为MOS管衬底区域。3.根据权利要求1中所述的一种维持大功率MOS管衬底电位均匀的芯片版图，其特征在于：一排所述低压功率管中多晶硅条的数量与一排所述背栅管中多晶硅条的数量相等；所述多晶硅条的方向与所述多排低压功率管、多排背栅管的宽度方向垂直。4.根据权利要求1中所述的一种维持大功率MOS管衬底电位均匀的芯片版图，其特征在于：每一排所述低压功率管或背栅管中包括多个具有相同设定宽度的MOS管，每一MOS管之间呈固定间隔设置，其间隔为MOS管衬底区域；所述设定宽度基于所述多晶硅条的数量和掺杂有源区的数量确定。5.根据权利要求4中所述的一种维持大功率MOS管衬底电位均匀的芯片版图，其特征在于：每一设定宽度的MOS管中包括2或4个数量的多晶硅条。6.根据权利要求5中所述的一种维持大功率MOS管衬底电位均匀的...

【专利技术属性】
技术研发人员：初丹红，白玉芳，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：