【技术实现步骤摘要】
电路板结构、半导体结构及半导体结构的制作方法
[0001]本申请实施例涉及半导体制造
,尤其涉及一种电路板结构、半导体结构及半导体结构的制作方法。
技术介绍
[0002]芯片在制作完成后,一般需要进行封装制程,以对芯片进行封装。相关技术中,封装结构包括基底以及设置在基底上的焊接部,基底表面还覆盖有阻焊层,阻焊层设置有用于容置多个焊接部的凹槽,焊接部通过焊料与芯片的引脚连接。
[0003]然而,基底与芯片之间填充有非导电胶,非导电胶在注入阻焊层的凹槽时,容易产生空隙,导致产品可靠性降低。
技术实现思路
[0004]本申请实施例提供一种电路板结构、半导体结构及半导体结构的制作方法,用以解决相关技术中基底与芯片间易产生空隙的问题。
[0005]一方面,本申请实施例提供一种电路板结构,包括:
[0006]基底,所述基底的接合面上设置有用于与元器件的接触部连接的第一焊接部,所述接合面上还覆盖有第一阻焊层,所述第一阻焊层上具有第一凹槽,所述第一焊接部位于所述第一凹槽内,且所述第一焊接部填充满
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电路板结构,其特征在于,包括:基底,所述基底的接合面上设置有用于与元器件的接触部连接的第一焊接部,所述接合面上还覆盖有第一阻焊层,所述第一阻焊层上具有第一凹槽,所述第一焊接部位于所述第一凹槽内,且所述第一焊接部填充满所述第一凹槽。2.根据权利要求1所述的电路板结构,其特征在于,所述第一焊接部远离所述基底的一端与所述第一阻焊层远离所述基底的侧面平齐。3.根据权利要求1所述的电路板结构,其特征在于,所述第一焊接部远离所述基底的一端伸出至所述第一凹槽外,且所述第一焊接部远离所述基底的一端与所述第一阻焊层远离所述基底的侧面之间具有预设距离。4.根据权利要求1所述的电路板结构,其特征在于,所述第一焊接部为多个,多个所述第一焊接部间隔的设置;所述第一阻焊层具有多个所述第一凹槽,每一所述第一焊接部位于一个所述第一凹槽内。5.根据权利要求4所述的电路板结构,其特征在于,所述第一焊接部包括第一焊接层和第二焊接层,所述第二焊接层覆盖在所述第一焊接层上,所述第一焊接层位于所述第二焊接层与所述接合面之间;所述第二焊接层的热膨胀系数小于所述第一焊接部的热膨胀系数。6.根据权利要求1
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5任一项所述的电路板结构,其特征在于,所述第一焊接部包括第一焊接层和第二焊接层,所述第二焊接层覆盖在所述第一焊接层上,所述第一焊接层位于所述第二焊接层与所述接合面之间;所述第二焊接层的材质与所述接触部的材质相同。7.根据权利要求1
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5任一项所述的电路板结构,其特征在于,所述基底背离所述接合面的一侧还覆盖有第二阻焊层,所述第二阻焊层具有第二凹槽,所述基底上还设置有第二焊接部,所述第二焊接部填充在所述第二凹槽内。8.一种半导体结构,其特征在于,包括芯片结构以及权利要求1
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7任一项所述的电路板结构,所述芯片结构与所述电路板结构层叠设置,所述芯片结构具有用于与所述电路板结构的第一焊接部连接的接触部。9.根据权利要求8所述的半导体结构,其特征在于,所述芯片结构和所述基底之间填充有填充层。10...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕开敏,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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