一种复相ZnO/ZnS纳米阵列薄膜的制备方法及其应用技术

本发明专利技术公开了一种复相ZnO/ZnS纳米阵列薄膜的制备方法及其应用，涉及半导体技术领域。本发明专利技术具体过程如下：以结晶乙酸锌简单气相蒸镀法在叉指电极表面生长ZnO晶种层，以结晶硝酸锌、1,2

【技术实现步骤摘要】
一种复相ZnO/ZnS纳米阵列薄膜的制备方法及其应用


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体是指一种复相ZnO/ZnS纳米阵列薄膜的制备方法及其应用。

技术介绍

[0002]生态环境的日益恶化，催生出对气体进行高效、实时监测的迫切需求，气体传感器虽然已经广泛地应用于探测各种有毒、有害、易爆以及各种挥发性物质，但随着科学技术的日益发展，气体传感器也在不断向薄膜化、纳米化、阵列化方向发展，而室温探测是实现薄膜化及阵列化发展的前提条件。
[0003]目前ZnO薄膜的制备技术有很多，传统气相生长法如磁控溅射法，工艺复杂、设备昂贵、成本高，而液相生长法制备的阵列薄膜大多是先生长ZnO晶种层，然后再通过化学法制备薄膜；采用物理法制备ZnO晶种层，可以获得结晶度好且与基片表面附着稳定的晶种层，如通过磁控溅射法在硅基表面制备氧化锌纳米棒阵列；通过磁控溅射法在导电玻璃基体上制备ZnO晶种；相比磁控溅射法，考虑到工艺复杂性及成本，更多研究者采用溶胶
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凝胶法来制备ZnO晶种层，再采用水热法或液相沉积法生长薄膜，但溶胶
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复相ZnO/ZnS纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：以结晶乙酸锌用简单气相蒸镀法在叉指电极表面生长ZnO晶种层；S2：以结晶硝酸锌和1,2
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二甲基咪唑为反应原料，以乙醇和水为溶剂，通过液相法在ZnO晶种上生长ZnO纳米阵列薄膜；S3：ZnO纳米阵列薄膜片垂直生长于叉指电极基底，纳米阵列薄膜片的厚度为50
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100nm，与基底材料结合牢固；S4：采用硫化钠溶液对叉指电极进行原位硫化处理制得ZnO/ZnS纳米阵列薄膜。2.根据权利要求1所述的一种复相ZnO/ZnS纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于：所述S1中的叉指电极为硅基电极或陶瓷基电极，所述叉指电极的线宽和线距均为20
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30微米。3.根据权利要求1所述的一种复相ZnO/ZnS纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于：所述S1中的叉指电极使用前用丙酮和乙醇清洗干净，然后干燥备用。4.根据权利要求1所述的一种复相ZnO/ZnS纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于：所述S1中的简单气相蒸镀法是将一定量的结晶乙酸锌粉末放置于直径1cm，高5cm的石英管中，在粉体上方1
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2cm处悬挂放置叉指电极，保证叉指电极表面向下，平行于粉体面，用加热电炉控制石英管底温度为200
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220℃，加热使乙酸锌蒸发，并沉积于其上方的叉指电极表面，蒸发时间控制在3
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5分钟，将叉指电极置于马弗炉中，在300
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350℃下加热1小时，获得ZnO晶种层。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：吴新文，赵振，焦万丽，张磊，柴泽峰，张延海，谭志军，
申请(专利权)人：山东理工大学，
类型：发明
国别省市：