一种无铅零维有机-无机杂化金属卤化物单晶材料、制备方法及其应用技术

本发明专利技术涉及一种无铅零维有机

【技术实现步骤摘要】
一种无铅零维有机
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无机杂化金属卤化物单晶材料、制备方法及其应用


[0001]本专利技术涉及一种无铅零维有机
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无机杂化金属卤化物单晶材料、制备方法及其应用，属于发光材料


技术介绍

[0002]压力诱导发光(Pressure
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Induced Emission，PIE)是指通过压力调控材料的发光现象，使在常压下无明显发光现象的材料实现荧光从无到有的过程，并能够在高压极端条件下获得高品质发光的特性。低维有机
‑
无机杂化金属卤化物因其降低的电子和结构维度，使其具有强的量子限域效应，激子更易于束缚，再加上其低维度扭曲结构导致强的电声耦合作用，使得束缚激子转变为自陷态激子，其独特的自陷态的宽带发射为制造单组分白光发光二极管提供了可能性。然而，常压条件有些结构扭曲度较小，电声耦合作用较弱，具有较低的激子结合能，自陷激子很容易回到束缚态，从而很难实现高效的自陷发光。高压作为一种重要的基本热力学参量，可以有效地调节这些功能材料的晶体结构和电子结构，从而改变它们的物理化学性质，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无铅零维有机
‑
无机杂化金属卤化物单晶材料，其特征在于：所述材料的化学式为(C4H
12
N2O)(C4H
11
N2O)BiCl6或(C4H
12
N2O)(C4H
11
N2O)BiBr6；BiCl
63
‑
或BiBr
63
‑
无机八面体被N
‑
乙酰基乙二胺有机阳离子(C4H
12
N2O)
2+
与(C4H
11
N2O)
+
分隔成独立的岛状结构；所述单晶材料的晶胞参数如下表1所示：表12.一种如权利要求1所述无铅零维有机
‑
无机杂化金属卤化物单晶材料的制备方法，其特征在于：方法步骤包括：将N
‑
乙酰基乙二胺与B位金属氧化物或B位金属卤化物加入卤酸溶液中，采用反溶剂法制备得到一种零维有机
‑
无机杂化金属卤化物单晶材料；其中，所述B位金属氧化物为Bi2O3；所述B位金属卤化物位BiCl3或BiBr3；所述卤酸为盐酸或溴氢酸。3.如权利要求2所述一种无铅零维有机
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无机杂化金属卤化物单晶材料的制备方法，其特征在于：所述N
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乙酰基乙二胺与B位金属氧化物的摩尔比为1:2～1:3；所述N
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乙酰基乙二胺与B位金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔彬彬，程晓华，韩颖，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：