三甲基铋的制备方法技术

本申请公开一种三甲基铋的制备方法，包括以下步骤：步骤一，以金属镁、卤代甲烷、醚为反应原料，合成甲基卤代镁，放入惰性气氛中保存备用；步骤二，合成三甲基铋：以高沸点溶剂溶解稀释三卤化铋，然后边搅拌边滴加步骤一的甲基卤代镁；步骤三，将步骤二合成的三甲基铋进行减压蒸馏，舍弃前5％～10％的馏分后，收集三甲基铋的粗产品；步骤四，将步骤三收集的三甲基铋粗产品进行精馏，收集前馏分，前馏分为三甲基铋粗产品体积的25％～35％，收集中馏分，中馏分的体积为三甲基铋粗产品体积的50％～65％，所述中馏分为高纯三甲基铋。本申请公开的三甲基铋的制备方法过程简单，容易实现工业化生产，并且制备的三甲基铋纯度高。并且制备的三甲基铋纯度高。

【技术实现步骤摘要】
三甲基铋的制备方法


[0001]本专利技术涉及MO源(高纯金属有机化合物)的制备领域，具体涉及一种三甲基铋的制备方法。

技术介绍

[0002]半导体制造技术是半导体行业发展的基石，直接决定了半导体产品的品质与性能。其中，沉积技术是半导体制造技术中比较常用的手段之一。沉积技术主要由金属有机化合物化学气相沉淀法(MOCVD)、物理气相沉积法(PVD)、液相去向生长法(LPE)、分子束取向生长法(MBE)、化学束取向生长法(CBE)等。其中，MOCVD法具有通用性，选择合适的MO源化合物即可在较高温度、大气压或减压条件下，通过分解有机金属前驱体化合物来层级金属层，通过控制温度和载气气流的均匀分布，即可获得较大面积的均匀薄膜，从而实现工业化生产。MO源(高纯金属有机化合物)是MOCVD技术的支撑材料，伴随MOCVD发展而来，它是元素周期表III
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V或II
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VI族的高纯技术有机化合物。高纯度的MO源是制造半导体薄膜的主要金属源原料，由MO源制备的半导体光电材料可以管饭应用于机关器、红外探测器、太阳能电池电子科技等行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三甲基铋的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，以金属镁、卤代甲烷、醚为反应原料，合成甲基卤代镁，放入惰性气氛中保存备用；步骤二，合成三甲基铋：以高沸点溶剂溶解稀释三卤化铋，然后边搅拌边滴加步骤一的甲基卤代镁；步骤三，将步骤二合成的三甲基铋进行减压蒸馏，舍弃前5％～10％的馏分后，收集三甲基铋的粗产品；步骤四，将步骤三收集的三甲基铋粗产品进行精馏，收集前馏分，前馏分为三甲基铋粗产品体积的25％～35％，收集中馏分，中馏分的体积为三甲基铋粗产品体积的50％～65％，所述中馏分为高纯三甲基铋。2.根据权利要求1所述的三甲基铋的制备方法，其特征在于，在步骤一中，醚选自乙醚、二乙二醇二甲醚和二乙二醇二丁醚中的一种。3.根据权利要求1所述的三甲基铋的制备方法，其特征在于，在步骤一中，所述醚选自二乙二醇二甲醚或二乙二醇二丁醚时，需要加入引发剂。4.根据权利要求3所述的三甲基铋的制备方法，其特征在于，所述引发剂选自三氯化铝、红铝、三甲基铝乙醚络合物、叔丁醇铝或者氯化铝四氢呋喃络合物中的一种。5.根据权利要求3所述的三甲基铋的制备方法，其特征在于，所述引发剂和所述金属镁的用量重量比...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾翼俊，黄邹松，徐成，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：