微通道芯片及其制造方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种微通道芯片及其制造方法，上述微通道芯片即使进行高温高压灭菌处理，通道也不会变形，可维持基板彼此的强有力的接合性。本发明专利技术的微通道芯片包含在至少一个表面形成有微细通道的通道基板、盖基板、以及将它们接合的接合层，通道基板、盖基板以及接合层由环状烯烃聚合物构成，构成通道基板的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tg

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】微通道芯片及其制造方法


[0001]本专利技术涉及微通道芯片及其制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，利用微细加工技术形成有微米级的微小通道、反应容器的芯片(微通道芯片)被用于DNA、RNA、蛋白质等生物体物质的分析和检查、药物研发和制药开发、有机合成、水质分析等各种各样的领域。
[0003]此外，作为微通道芯片，能够以低成本制造的树脂制的微通道芯片受到关注。
[0004]而且，树脂制的微通道芯片通过使接合层隔在至少一个表面形成有微细通道的树脂制的基板与作为盖材的树脂制的盖基板之间、通过加热使它们接合来进行制造(参照例如专利文献1～4)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本专利第5948248号；
[0008]专利文献2：日本特开2008
‑
304352号公报；
[0009]专利文献3：日本专利第5948248号；
[0010]专利文献4：国际公开第2014/178439号。

技术实现思路

[0011]专利技术要解决的问题
[0012]在对微通道芯片实施例如蒸汽灭菌处理这样的高温高压灭菌处理的情况下，当接合层厚时，在灭菌处理时会产生通道变形的问题。此外，在使用透明且低自身荧光性的环状烯烃聚合物作为基板的材料而制作的微通道芯片中，以往，为了使基板彼此的接合性增强而使用除了环状烯烃聚合物以外的粘接性材料，在这样的微通道芯片中，会产生粘接性材料的自身荧光所导致的光信号检测时的噪声的问题。全部构件都由环状烯烃聚合物构成、且在不使用自身荧光性材料那样的粘接性材料的情况下可维持基板彼此的强有力的接合性的微通道芯片至今为止不是已知的。
[0013]因此，本专利技术的目的在于提供一种微通道芯片及其制造方法，上述微通道芯片即使进行高温高压灭菌处理，通道也不会变形，即使使用环状烯烃聚合物作为微通道芯片整体的材料也可维持基板彼此的强有力的接合性。
[0014]用于解决问题的方案
[0015]本专利技术人为了解决上述问题而进行了深入研究，结果发现，通过将接合层制成薄膜，能够抑制高温高压灭菌处理引起的通道变形，通过分别使用具有规定的玻璃化转变温度的关系的环状烯烃聚合物作为基板及接合层的材料，能够维持基板彼此的强有力的接合性，以至完成了本专利技术。
[0016]由此，根据本专利技术，可提供如下所示的微通道芯片及其制造方法。
[0017][1]一种微通道芯片，包含在至少一个表面形成有微细通道的通道基板、盖基板、以及将它们接合的接合层，
[0018]通道基板、盖基板以及接合层由环状烯烃聚合物构成，
[0019]构成通道基板的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tg
s1
、构成盖基板的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tg
s2
、构成接合层的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tg2的关系为：
[0020]Tg
s1
＞Tg2，且
[0021]Tg
s2
＞Tg2，
[0022]接合层的厚度小于50μm。
[0023][2]根据上述[1]所述的微通道芯片，其中，Tg
s1
和Tg
s2
为125℃以上，且
[0024]Tg
s1
≥Tg2+10℃，
[0025]Tg
s2
≥Tg2+10℃。
[0026][3]一种微通道芯片的制造方法，其为上述[1]或[2]所述的微通道芯片的制造方法，
[0027]包括通过热熔接将通道基板与盖基板经由接合层进行接合的步骤。
[0028][4]根据上述[3]所述的制造方法，其中：包括：
[0029]在通道形成用基板和盖基板的至少一者上形成接合层的工序，
[0030]在形成有接合层的通道形成用基板或未形成有接合层的通道形成用基板上形成通道，形成形成有接合层的通道基板或未形成有接合层的通道基板的工序，
[0031]通过热熔接将形成有接合层的通道基板与未形成有接合层的盖基板的组合、未形成有接合层的通道基板与形成有接合层的盖基板的组合、以及形成有接合层的通道基板与形成有接合层的盖基板的组合中的至少一个组合经由接合层进行接合的工序。
[0032][5]根据上述[3]所述的制造方法，其中，包括：
[0033]形成在至少一个面形成有通道的通道基板的工序，
[0034]在通道基板和盖基板的至少一者的至少一个面中的除了相当于通道的部分以外的部分上形成接合层的工序，
[0035]通过热熔接将形成有接合层的通道基板与未形成有接合层的盖基板的组合、未形成有接合层的通道基板与形成有接合层的盖基板的组合、以及形成有接合层的通道基板与形成有接合层的盖基板的组合中的至少一个组合经由接合层进行接合的工序。
[0036]专利技术效果
[0037]根据本专利技术，能够提供一种微通道芯片及其制造方法，上述微通道芯片即使进行高温高压灭菌处理，通道也不变形，可维持基板彼此的强有力的接合性。
附图说明
[0038]图1是在形成接合层后形成通道的本专利技术的微通道芯片的制造方法的示意图。
[0039]图2是在形成有通道的通道基板形成后、形成接合层的本专利技术的微通道芯片的制造方法的示意图。
[0040]图3的(a)为示出微通道芯片的通道基板的一个例子的俯视图，图3的(b)为示出微通道芯片的盖基板的一个例子的俯视图。
具体实施方式
[0041]以下，对本专利技术的实施方式进行详细说明。
[0042](微通道芯片)
[0043]本专利技术的微通道芯片包含在至少一个表面形成有微细通道的通道基板s1、盖基板s2、以及将它们接合的接合层。此外，在本专利技术的微通道芯片中，
[0044]通道基板s1、盖基板s2以及接合层由环状烯烃聚合物构成，
[0045]构成通道基板的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tg
s1
、构成盖基板的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tg
s2
、构成接合层的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tg2的关系为：
[0046]Tg
s1
＞Tg2，且
[0047]Tg
s2
＞Tg2，
[0048]接合层的厚度小于50μm。
[0049]<通道基板>
[0050]作为通道基板，能够使用在至少一个表面形成有微细通道的环状烯烃聚合物制的基板。而且，通道基板将形成有微细通道的面作为接合面与盖基板接合。
[0051]在此，微细通道的宽度、深度以及形状能够根据微通道芯片的用途适当进行变更，通常为毫米级以下，也可以为纳米级，优选为微米级。具体而言，微细通道的宽度没有特别限定，能够为例如10μm以上且800μm以下。
[0052]而且，在环状烯烃聚合物制的基板上形成微细通道能够使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种微通道芯片，包含在至少一个表面形成有微细通道的通道基板、盖基板、以及将它们接合的接合层，通道基板、盖基板以及接合层由环状烯烃聚合物构成，构成通道基板的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tg
s1
、构成盖基板的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tg
s2
、构成接合层的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tg2的关系为：Tg
s1
＞Tg2，且Tg
s2
>Tg2，接合层的厚度小于50μm。2.根据权利要求1所述的微通道芯片，其中，Tg
s1
和Tg
s2
为125℃以上，且Tg
s1
≥Tg2+10℃，Tg
s2
≥Tg2+10℃。3.一种微通道芯片的制造方法，其为权利要求1或2所述的微通道芯片的制造方法，包括通过热熔接将通道基板与盖基板经由接合层进行接合的...

【专利技术属性】
技术研发人员：西冈宽哉，
申请(专利权)人：日本瑞翁株式会社，
类型：发明
国别省市：