一种多晶半导体晶棒生产热熔装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及多晶半导体晶棒热熔技术领域，具体为一种多晶半导体晶棒生产热熔装置，包括连接架梁，所述连接架梁的中间通过摆动组件固定连接有热熔炉，且热熔炉的内部设有熔融腔，所述热熔炉的顶部通过螺杆螺纹连接有盖板，且盖板的顶部固定有第一电机，所述第一电机输出端固定有搅拌杆，且搅拌杆的侧壁通过卡扣卡接有毛刷。该多晶半导体晶棒生产热熔装置，通过第二电机驱动传动杆带动套柄转动，使得套柄带动凸块在曲柄内滑动，使得曲柄受力带动连接轴转动，使得扇形齿轮随之转动从而带动转动齿轮转动，使得转动齿轮带动安装板转动，使得安装板端部通过连接杆连接的热熔炉来回匀速摆动，使得多晶半导体受热均匀，从而提高多晶半导体的融化效率。多晶半导体的融化效率。多晶半导体的融化效率。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶半导体晶棒生产热熔装置


[0001]本技术涉及多晶半导体晶棒热熔
，具体为一种多晶半导体晶棒生产热熔装置。

技术介绍

[0002]多晶半导体，是指由大量取向不同的小的半导体晶棒材料构成的薄膜或半导体材料，主要是碲、锑、铋等，我们常称为热电半导体。大多数半导体器件都是用单晶半导体材料制作。多晶半导体可用于制作太阳能电池、液晶显示器的薄膜晶体管开关矩阵及MOS晶体管的栅极材料等，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。
[0003]现有专利（公开号：CN215864605U）公开了一种多晶半导体熔融设备，侧板有两个，任意一个侧板外侧设置有伺服减速电机，另一个侧板穿设有支撑轴，熔炉主体两侧分别与伺服减速电机的输出轴及支撑轴相连，熔炉主体内部开设有熔融腔，熔炉主体内部且位于熔融腔外围设置有加热线圈，熔炉主体底部设置有出料口，熔炉主体上表面设置有若干导杆，导杆顶端设置有支撑板，支撑板上表面设置有液压缸，液压缸的活塞与盖板相连，盖板与导杆滑动连接，盖板与熔炉主体上表面相配合，该技术结构合理，熔炉主体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶半导体晶棒生产热熔装置，包括连接架梁（1），其特征在于：所述连接架梁（1）的中间通过摆动组件固定连接有热熔炉（2），且热熔炉（2）的内部设有熔融腔（3），所述热熔炉（2）的顶部通过螺杆螺纹连接有盖板（4），且盖板（4）的顶部固定有第一电机（5），所述第一电机（5）输出端固定有搅拌杆（6），且搅拌杆（6）的侧壁通过卡扣卡接有毛刷（7）。2.根据权利要求1所述的一种多晶半导体晶棒生产热熔装置，其特征在于：所述摆动组件包括、安装座（101）、连接轴（102）、曲柄（103）、凸块（104）、套柄（105）、第一支撑座（1051）、第二电机（106）、扇形齿轮（107）、转动齿轮（108）、转杆（109）、第二支撑座（1010）、安装板（1011）和连接杆（1012），所述安装座（101）与曲柄（103）之间通过连接轴（102）转动连接，且曲柄（103）与套柄（105）之间通过凸块（104）滑动连接，所述连接轴（102）与扇形齿轮（107）固定连接，且扇形齿轮（107）与转动齿轮（108）啮合连接，所述转动齿轮（108）与转杆（109）固定连接，且转杆（109）与第二支撑座（1010）转动连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文涛，陈建民，陈奕曈，赵丽萍，钱俊有，李永校，蔡水占，冯玉杰，张建中，
申请(专利权)人：河南鸿昌电子有限公司，
类型：新型
国别省市：