一种发光模组制造技术

本发明专利技术提出一种发光模组，包括：基板，至少包括第一基板和第二基板，所述第一基板位于所述第二基板上；多个正极焊盘，间隔设置在所述第一基板上；至少一负极焊盘，设置在所述第一基板上，所述负极焊盘位于所述正极焊盘的一侧；多个正极连接焊盘，间隔设置在所述第一基板或者所述第二基板上，每一所述正极连接焊盘连接每一所述正极焊盘；负极连接焊盘，设置在所述正极连接焊盘的同一侧，所述负极连接焊盘连接所述负极焊盘；发光芯片，倒装设置在所述第一基板上，所述发光芯片包括多个发光单元和至少一负极柱。本发明专利技术提出的发光模组可以单独控制每个发光单元。控制每个发光单元。控制每个发光单元。

【技术实现步骤摘要】
一种发光模组


[0001]本专利技术涉及激光器
，特别涉及一种发光模组。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)是以化合物半导体材料为基础研制，有别于LED(发光二极管)和LD(Laser Diode，激光二极管)等其他光源，具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点，广泛应用于光通信、光互连、光存储等领域。
[0003]垂直腔面发射激光器阵列广泛应用三维感测技术中，但是也会受到一定的限制，例如常规的垂直腔面发射激光器受到有源区光子生成速率的影响，因此也就限制了垂直腔面发射激光器阵列的功率密度。又例如高功率密度的VCSEL广泛应用于红外照明，激光雷达等应用中，在这些应用场景下，VCSEL通常在短脉冲大电流的驱动条件下来产生更大的功率密度，在某些应用条件下，需要对感兴趣的不同区域分别用激光照射，以提高效率，减小干扰，但是目前的结构无法独立控制每个发光区域或单元。
专利技术内容
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光模组，其特征在于，包括：基板，至少包括第一基板和第二基板，所述第一基板位于所述第二基板上；多个正极焊盘，间隔设置在所述第一基板上；至少一负极焊盘，设置在所述第一基板上，所述负极焊盘位于所述正极焊盘的一侧；多个正极连接焊盘，间隔设置在所述第一基板或者所述第二基板上，每一所述正极连接焊盘连接每一所述正极焊盘；负极连接焊盘，设置在所述正极连接焊盘的同一侧，所述负极连接焊盘连接所述负极焊盘；发光芯片，倒装设置在所述第一基板上，所述发光芯片包括多个发光单元和至少一负极柱；驱动芯片，设置在所述第一基板或所述第二基板上，所述驱动芯片的正极引脚连接所述正极连接焊盘，所述驱动芯片的负极引脚连接所述负极连接焊盘；其中，每一所述发光单元设置在所述正极焊盘上，所述负极柱设置在所述负极焊盘上；其中，所述发光单元包括至少两个有源层，至少两个所述有源层之间设置隧道结。2.根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，当所述正极连接焊盘设置在所述第二基板上时，所述驱动芯片设置在所述第二基板上。3.根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述第一基板内设置有多个第一金属柱，所述第一金属柱贯穿所述第一基板，所述正极焊盘和所述负极焊盘分别位于所述第一金属柱上。4.根据权利要求3所述的发光模组，其特征在于，所述第二基板接触所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘嵩，梁栋，张成，翁玮呈，
申请(专利权)人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：