有源区光刻版的版图修正方法及半导体元器件的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种有源区光刻版的版图修正方法及半导体元器件的制造方法，所述修正方法包括：所述有源区光刻版用于制造采用硅局部氧化隔离工艺的半导体元器件，通过在有源区图形端头的与LOCOS区接触的三条边上添加OPC修正图形，使得使用所述有源区光刻版制造的半导体元器件中硅局部氧化隔离结构的鸟嘴形变在有源区端头位置趋无；其中有源区端头用于设置通孔或接触孔。本发明专利技术通过特殊的OPC来改善有源区端头与LOCOS区交界处的形貌，避免有源区被鸟嘴侵蚀，使得有源区端头可以用较小的面积实现与通孔/接触孔的良好电接触，最终达到LOCOS工艺在更小线宽产品上有效运用的目的。工艺在更小线宽产品上有效运用的目的。工艺在更小线宽产品上有效运用的目的。

【技术实现步骤摘要】
有源区光刻版的版图修正方法及半导体元器件的制造方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，特别是涉及一种有源区光刻版的版图修正方法，还涉及一种半导体元器件的制造方法，以及一种可读存储介质。

技术介绍

[0002]LOCOS(硅局部氧化隔离)工艺是半导体制造中一种典型的隔离工艺，常应用于线宽较大的产品中。对于LOCOS工艺做隔离的CMOS器件，器件的尺寸因为LOCOS鸟嘴的存在而难以缩减。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要提供一种能够缩减采用LOCOS工艺的半导体元器件的面积的有源区光刻版的版图修正方法。
[0004]一种有源区光刻版的版图修正方法，所述有源区光刻版用于制造采用硅局部氧化隔离工艺的半导体元器件，通过在有源区图形端头的与LOCOS区接触的三条边上添加OPC修正图形，使得使用所述有源区光刻版制造的半导体元器件中硅局部氧化隔离结构的鸟嘴形变在有源区端头位置趋无；其中有源区端头用于设置通孔或接触孔。
[0005]上述有源区光刻版的版图修正方法，通过特殊的OPC来改善有源区端头与LOCOS区交界处本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有源区光刻版的版图修正方法，所述有源区光刻版用于制造采用硅局部氧化隔离工艺的半导体元器件，其特征在于，通过在有源区图形端头的与LOCOS区接触的三条边上添加OPC修正图形，使得使用所述有源区光刻版制造的半导体元器件中硅局部氧化隔离结构的鸟嘴形变在有源区端头位置趋无；其中有源区端头用于设置通孔或接触孔。2.根据权利要求1所述的有源区光刻版的版图修正方法，其特征在于，所述半导体元器件是CMOS器件。3.根据权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，还包括步骤：对不同的有源区形貌进行OPC数据收集；根据收集的数据建立有源区图形端头的OPC模型；对有源区图形进行OPC修正，包括根据所述OPC模型，在有源区图形端头的与LOCOS区接触的三条边上添加OPC修正图形。4.根据权利要求1所述的有源区光刻版的版图修正方法，其特征在于，所述OPC修正图形包括两个L形结构，所述两个L形结构各与所述有源区图形端头的一个角部贴合。5.根据权利要求1所述的有源区光刻版的版图修正方法，其特征在于，所述OPC修正图形包括位于所述三条边上的各一条形结构，且这三条条形结构首尾相连。6.根据权利要求1所述的有源区光刻版的版图修正方法，其特征在于，所述OPC修正图形包括位于所述三条边上的各一条形结构，且这三条条形结构首尾相连；所述OPC修正图形还包括两个L形结构，其中一个L形结构与所述三条条形结构中的第一、第二条形结构的连接处外侧贴合设置，另一个L形结构与所述三条条形结构中的第二、第三条形结构的连接处外侧贴合设置。7.根据权利要求1所述的有源区光刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：李春旭，黄刚，马春霞，刘晨晨，杨斌，黄宇，林峰，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：