一种无逻辑器件的边沿检测电路制造技术

技术编号:36322683 阅读:13 留言:0更新日期:2023-01-13 11:07
本实用新型专利技术涉及检测技术领域,公开一种无逻辑器件的边沿检测电路。包括:边沿检测电路包括:电源输入模块、信号发生模块、信号负载模块和无逻辑器件控制模块,电源输入模块的电源输入端连接外部电源,电源输入模块的电源输出端连接无逻辑器件控制模块的电源输入端,信号发生模块的信号输出端连接无逻辑器件控制模块的信号输入端,无逻辑器件控制模块的信号输出端连接信号负载模块的信号输入端。采用电源输入模块、信号发生模块、信号负载模块和无逻辑器件控制模块,实现简单可靠、无需任何逻辑器件和无需集成芯片,以及低成本,可靠性高等。无逻辑器件控制模块,实现无逻辑器件的边沿检测电路的INPUT端有一个电平变化时,会在OUTPUT端输出一个短时脉冲。OUTPUT端输出一个短时脉冲。OUTPUT端输出一个短时脉冲。

【技术实现步骤摘要】
一种无逻辑器件的边沿检测电路


[0001]本技术涉及检测技术
,具体涉及一种无逻辑器件的边沿检测电路。

技术介绍

[0002]随着电子科技的发展,电子产品被广泛使用到各个领域中,开启电子智能的新时代,随着琳琅满目的电子产品的出现,有时需要感知一些电子信号的变化,来做出一些对应动作,目前市场上的诸多信号检测电路都采用集成芯片来进行逻辑换算,以将源头变化的电子信号转变为所需的电子变化信号,其使用逻辑电路较为复杂,成本高,可靠性弱,经常会出现信号的误差的影响,导致检测信息不准确等。
[0003]因此,针对以上问题,现有的检测电路有待进一步改进。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是为了克服现有的检测电路的复杂结构、成本高、可靠性差、不准确等问题,采用电源输入模块、信号发生模块、信号负载模块和无逻辑器件控制模块,可以实现简单可靠、无需任何逻辑器件和无需集成芯片,以及低成本,可靠性高等。尤其采用无逻辑器件控制模块,可以实现无逻辑器件的边沿检测电路由PMOS(Q1)和NMOS(Q2),若干电阻、电容构成,当INPUT端有一个电平变化时,会在OUTPUT端输出一个短时脉冲,以便负载端的信号捕捉,采用蓄电池或交流供电,可以为无逻辑器件控制模块提供稳定的所需电源。
[0005]本技术的技术方案具体如下:
[0006]一种无逻辑器件的边沿检测电路,所述边沿检测电路包括:电源输入模块、信号发生模块、信号负载模块和无逻辑器件控制模块,所述电源输入模块的电源输入端连接外部电源,所述电源输入模块的电源输出端连接所述无逻辑器件控制模块的电源输入端,所述信号发生模块的信号输出端连接所述无逻辑器件控制模块的信号输入端,所述无逻辑器件控制模块的信号输出端连接所述信号负载模块的信号输入端。
[0007]进一步地,所述无逻辑器件控制模块包括无逻辑器件控制电路,所述无逻辑器件控制电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C2、LED1、LED2、PMOS管Q1和NMOS管Q2,所述PMOS管Q1的源极并联连接所述电源输入模块的电源输出端、电阻R2一端和电阻R1一端,所述电阻R2另一端并联连接所述PMOS管Q1的栅极和电容C1一端,所述电容C1另一端并联连接所述电容C2一端、LED2正极和所述信号发生模块的信号输出端,所述LED2负极连接所述电阻R4一端,所述电阻R4另一端接地,所述电容C2另一端并联连接所述电阻R3一端、电阻R5一端和NMOS管Q2的栅极,所述电阻R5另一端与NMOS管Q2的源极共接地,所述电阻R3另一端连接PMOS管Q1的漏极,所述NMOS管Q2的漏极并联连接所述信号负载模块的信号输入端和LED1的负极,所述LED1的正极连接电阻R1另一端。
[0008]进一步地,所述电源输入模块包括电源输入电路,所述电源输入电路为蓄电池供电电路和/或交流电供电电路。
[0009]进一步地,所述交流电供电电路包括保险丝F1、压敏电阻R11、热敏电阻RT1、电容
C11、桥式整流DB1、电阻R12、电感L1、电容C12、电容C4、电容C15、电容C22、电容C23、电感L2、电感L3、变压器T1、二极管D5、二极管D6、电容C17、续流二极管D1、电感L4、电阻R13和电容C8,电源火线L连接所述保险丝F1的一端,所述保险丝F1的另一端并联连接所述压敏电阻R11一端、电容C11一端和桥式整流DB1的第一输入端,电源零线N连接所述热敏电阻RT1的一端,所述热敏电阻RT1的另一端并联连接所述压敏电阻R11另一端、电容C11另一端和桥式整流DB1的第二输入端,所述桥式整流DB1的第一输出端连接所述电阻R12一端,所述桥式整流DB1的第二输出端接地,所述电阻R12另一端并联连接所述电容C12一端和电感L1一端,所述电感L1另一端并联连接所述电容C4一端、电容C15一端和电感L2一端,所述电容C12另一端和电容C4另一端共接地,所述电容C15另一端连接二极管D6负极,所述二极管D6正极连接所述电容C22一端,所述电感L2另一端并联连接电感L3一端和变压器T1的第一输入端,所述电容C22另一端并联连接所述电感L3另一端、变压器T1的第二输入端和二极管D5负极,所述二极管D5正极连接所述电容C23一端,所述电容C23的另一端接地,所述变压器T1的第一输出端连接所述续流二极管D1正极,所述续流二极管D1负极并联连接所述电容C17一端和所述电感L4一端,所述电感L4另一端并联连接所述电阻R13一端、电容C8一端和VCC输出端,所述电阻R13另一端、电容C8另一端、变压器T1的第二输出端和电容C17另一端共接地。
[0010]进一步地,所述信号发生模块选取温度控制器。
[0011]进一步地,所述温度控制器的型号选取W1209或W3230或W1641。
[0012]进一步地,所述信号负载模块选取制冷设备压缩机。
[0013]有益效果
[0014]本技术通过采用电源输入模块、信号发生模块、信号负载模块和无逻辑器件控制模块,可以实现简单可靠、无需任何逻辑器件和无需集成芯片,以及低成本,可靠性高等。尤其采用无逻辑器件控制模块,可以实现无逻辑器件的边沿检测电路由PMOS(Q1)和NMOS(Q2),若干电阻、电容构成,当INPUT端有一个电平变化时,会在OUTPUT端输出一个短时脉冲,以便负载端的信号捕捉,采用蓄电池或交流供电,可以为无逻辑器件控制模块提供稳定的所需电源,该电路系统可以广泛应用于信号变化采集方面。
附图说明
[0015]图1为本技术一种无逻辑器件的边沿检测电路的示意图。
[0016]图2为本技术一种无逻辑器件的边沿检测电路的电源输入电路示意图。
[0017]附图标号:01、信号发生模块;02、电源输入模块;03、信号负载模块;04、无逻辑器件控制模块。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0019]参阅图1和图2所示,本技术提供的一种无逻辑器件的边沿检测电路,边沿检测电路包括:电源输入模块02、信号发生模块01、信号负载模块03和无逻辑器件控制模块
04,电源输入模块02的电源输入端连接外部电源,电源输入模块02的电源输出端连接无逻辑器件控制模块04的电源输入端,信号发生模块01的信号输出端连接无逻辑器件控制模块04的信号输入端,无逻辑器件控制模块04的信号输出端连接信号负载模块03的信号输入端。
[0020]其中,无逻辑器件控制模块04包括无逻辑器件控制电路,无逻辑器件控制电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C2、LED1、LED2、PMOS管Q1本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无逻辑器件的边沿检测电路,其特征在于,所述边沿检测电路包括:电源输入模块、信号发生模块、信号负载模块和无逻辑器件控制模块,所述电源输入模块的电源输入端连接外部电源,所述电源输入模块的电源输出端连接所述无逻辑器件控制模块的电源输入端,所述信号发生模块的信号输出端连接所述无逻辑器件控制模块的信号输入端,所述无逻辑器件控制模块的信号输出端连接所述信号负载模块的信号输入端。2.根据权利要求1所述的一种无逻辑器件的边沿检测电路,其特征在于,所述无逻辑器件控制模块包括无逻辑器件控制电路,所述无逻辑器件控制电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C2、LED1、LED2、PMOS管Q1和NMOS管Q2,所述PMOS管Q1的源极并联连接所述电源输入模块的电源输出端、电阻R2一端和电阻R1一端,所述电阻R2另一端并联连接所述PMOS管Q1的栅极和电容C1一端,所述电容C1另一端并联连接所述电容C2一端、LED2正极和所述信号发生模块的信号输出端,所述LED2负极连接所述电阻R4一端,所述电阻R4另一端接地,所述电容C2另一端并联连接所述电阻R3一端、电阻R5一端和NMOS管Q2的栅极,所述电阻R5另一端与NMOS管Q2的源极共接地,所述电阻R3另一端连接PMOS管Q1的漏极,所述NMOS管Q2的漏极并联连接所述信号负载模块的信号输入端和LED1的负极,所述LED1的正极连接电阻R1另一端。3.根据权利要求1所述的一种无逻辑器件的边沿检测电路,其特征在于,所述电源输入模块包括电源输入电路,所述电源输入电路为蓄电池供电电路和/或交流电供电电路。4.根据权利要求3所述的一种无逻辑器件的边沿检测电路,其特征在于,所述交流电供电电路包括保险丝F1、压敏电阻R11、热敏电阻RT1、电容C11、桥式整流DB1、电阻R12、电感L1、电容C12、电容C4、电容C15、电容C22、电...

【专利技术属性】
技术研发人员:王焕永黎炳平
申请(专利权)人:厦门凯胜诺科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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