一种过压保护电路制造技术

本实用新型专利技术涉及过压保护领域，具体而言，涉及一种过压保护电路，所述过压保护电路包括二极管和三极管，所述二极管的负极和三极管的基极、发射极连接所述电源输入端，所述三极管的集电极和发射极连接所述MCU系统电路，当输入电压小于额定电压时，三极管的基极和发射极电压保持相等，三极管处于截止状态，电源导通；当输入电压远大于额定的输入电压时，就会触发三极管导通，使电源的使能脚被拉高，电源就停止工作，从而保护了电路。整体保护电路结构简单，对原电路的改变较小，同时能够达到较好的过压保护效果。过压保护效果。过压保护效果。

【技术实现步骤摘要】
一种过压保护电路


[0001]本技术涉及过压保护领域，具体而言，涉及一种过压保护电路。

技术介绍

[0002]目前，日常生活中常见的电源的输入的种类比较多样，常见的为 5
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9V,12V,24V,当额定电压为9V的电路板不小心插入24V的电压时候，会烧掉电路板的很多元器件，造成资源浪费和浪费研发时间。同时现有的过压保护电路结构复杂，对原电路的改变较大。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术的不足，本技术提供一种过压保护电路，能解决误接高电压导致元器件损坏，同时现有过压保护电路结构复杂等技术问题。
[0004]为解决上述技术问题，本技术提供如下技术方案：所述过压保护电路的输入端连接电源，所述过压保护电路的输出端连接MCU系统电路，其特征在于，所述过压保护电路包括二极管和三极管，所述二极管的负极和三极管的基极、发射极连接所述电源输入端，所述三极管的集电极和发射极连接所述MCU系统电路，所述过压保护电路包括第一偏置电路和第二偏置电路，所述第一偏置电路和第二偏置电路的输入端连接所述三极管的集电极，所述第一偏置电路和第二偏置电路的输出端连接所述MCU系统电路。
[0005]进一步的，所述过压保护电路包括分压电路，所述分压电路包括电阻 R58、R59，所述电阻R58的一端连接所述电源输入端，所述电阻R58的另一端连接所述电阻R59和二极管的负极，所述电阻R59的另一端连接所述三极管的基极。
[0006]进一步的，所述三极管采用PNP型三极管。
[0007]进一步的，所述第一偏置电路包括第一偏置晶体管和电阻R50、R60，所述电阻R60的一端连接所述三极管的集电极，所述电阻R60的另一端连接所述第一偏置晶体管的集电极，所述第一偏置晶体管的基极连接所述电阻R50的一端，所述电阻R50的另一端连接所述电源电路，所述第一偏置晶体管的发射极接地。
[0008]进一步的，所述第二偏置电路包括第二偏置晶体管和电容C42，所述第二偏置晶体管的集电极和电容C42的一端连接所述三极管的集电极，所述第二偏置晶体管的基极连接所述MCU系统电路，所述第二偏置晶体管的发射极和电容C42的另一端均接地。
[0009]本专利技术的有益效果是：
[0010]当输入电压小于额定电压时，三极管的基极和发射极电压保持相等，三极管处于截止状态，电源导通；当输入电压远大于额定的输入电压时，就会触发三极管导通，使电源的使能脚被拉高，电源就停止工作，从而保护了电路。整体保护电路结构简单，对原电路的改变较小，同时能够达到较好的过压保护效果。
附图说明
[0011]为了更清楚地说明本专利技术实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用
的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0012]图1本技术所述的过压保护电路框图示意图；
[0013]图2本技术所述的过压保护电路电路图；
[0014]图3本技术所述的MCU系统电路部分电路图；
[0015]图4本技术所述的电源电路图。
具体实施方式
[0016]为使本专利技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施方式中的附图，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本专利技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。
[0017]请参照图1
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4，本技术提供一种过压保护电路，过压保护电路的输入端连接电源，过压保护电路的输出端连接MCU系统电路。过压保护电路包括二极管D7，和三极管U12。二极管D7的负极和三极管U12的基极、发射极与电源输入端连接，三极管U12的集电极和发射极连接MCU系统电路，二极管D7的正极接地。MCU系统电路包括场效应管Q2，场效应管Q2的源极连接三极管U12的发射极。本实施例中，三极管采用PNP型三极管，三极管的型号为MMBT3906LT。
[0018]当VBAT输入9V时，三极管基极和发射极的电压维持相等，PNP三级管处于截止状态，场效应管Q2栅极维持低电平，电源导通。当VBAT的电压持续增大，三极管U12的基极电压维持在9.1V左右，当发射极的电压在10V 左右就可以使三极管U12导通，使场效应管Q2栅极拉高，从而使电源停止工作。
[0019]请参照图2，过压保护电路包括分压电路，分压电路包括电阻R58、R59，电阻R58的一端连接电源输入端，电阻R58的另一端连接电阻R59和二极管的负极，电阻R59的另一端连接三极管的基极。本事实例中，二极管为稳压二极管，二极管的型号为D7BZT52C9V1。
[0020]请参照图2
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4，过压保护电路包括第一偏置电路和第二偏置电路，第一偏置电路和第二偏置电路的输入端连接三极管的集电极，第一偏置电路和第二偏置电路的输出端连接MCU系统电路。
[0021]请参照图2
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4，第一偏置电路包括第一偏置晶体管和电阻R50、R60，电阻R60的一端连接三极管的集电极，电阻R60的另一端连接第一偏置晶体管的集电极，第一偏置晶体管的基极连接电阻R50的一端，第一偏置晶体管的发射极接地。MCU系统电路包括MCU芯片，本实施例中，MCU芯片的型号为D32F103RBT6，电阻R50的另一端连接电源。
[0022]请参照图2
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4，第二偏置电路包括第二偏置晶体管和电容C42，第二偏置晶体管的集电极和电容C42的一端连接三极管的集电极，第二偏置晶体管的基极连接MCU芯片的引脚
2，第二偏置晶体管的发射极和电容C42的另一端均接地。本实施例中，第一偏置晶体管和第二偏置晶体管的型号均为 DDTC144ECA
[0023]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0024]以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种过压保护电路，所述过压保护电路的输入端连接电源，所述过压保护电路的输出端连接MCU系统电路，其特征在于，所述过压保护电路包括二极管和三极管，所述二极管的负极和三极管的基极、发射极连接所述电源输入端，所述三极管的集电极和发射极连接所述MCU系统电路，所述过压保护电路包括第一偏置电路和第二偏置电路，所述第一偏置电路和第二偏置电路的输入端连接所述三极管的集电极，所述第一偏置电路和第二偏置电路的输出端连接所述MCU系统电路。2.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于：所述过压保护电路包括分压电路，所述分压电路包括电阻R58、R59，所述电阻R58的一端连接所述电源输入端，所述电阻R58的另一端连接所述电阻R59和二极管的负极，所述电阻R59的另一端连接所述三极管的基极。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：王焕永，林桂东，
申请(专利权)人：厦门凯胜诺科技有限公司，
类型：新型
国别省市：