一种直拉单晶炉在线式热场再生系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种直拉单晶炉在线式热场再生系统，属于半导体技术领域；包括载气提供装置和工艺气体提供装置；载气提供装置和工艺气体提供装置通过进气管路与直拉单晶炉副室相连接，直拉单晶炉连接有抽气管路；抽气管路与直拉单晶炉的连接处位于保温筒底部以下；载气提供装置提供的载气为惰性气体，工艺气体提供装置提供的工艺气体为卤素气体；本实用新型专利技术通过载气和工艺气体的有序流动，在高温状态下与炉内杂质反应将其有效去除，延长了单晶炉内部炭素材料的寿命；提升了单晶棒的寿命。命。命。

【技术实现步骤摘要】
一种直拉单晶炉在线式热场再生系统


[0001]本技术属于半导体
，具体为一种直拉单晶炉在线式热场再生系统，应用于半导体和光伏行业中生长硅单晶的直拉单晶炉。

技术介绍

[0002]当前直拉单晶硅的生长温度在熔点温度1410℃完成，即固液界面处温度为1410℃。熔体温度高于1410℃，最高可超过1700℃；生成的晶体温度在氩气气流作用下低于1410℃，并随着远离固液界面温度大幅度下降。在晶体生长过程中，硅料以熔融状态存在，由于腔体内部为负压，部分熔融态的硅及硅液中的杂质元素从液体中挥发出来，沿腔体内气流方向在过冷区沉积。部分沉积的硅与接触到的石墨、碳碳及保温毡进行反应，生成碳化硅。
[0003]由于碳化硅与石墨、碳碳及炭纤维保温毡热膨胀系数不同，导致随着碳化硅的不断积累，出现碳化硅脱落的情况。另外碳化硅的生成降低了原始石墨、碳碳、炭纤维保温层的性能，对晶体生长造成影响。
[0004]同时部分存在与硅液中的杂质元素也存在挥发的情况，造成单晶硅生长过程中背景杂质出现不断累积的状况。并随着背景杂质元素的不断累积，杂质会反扩散到单晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直拉单晶炉在线式热场再生系统，所述直拉单晶炉包括主炉壳（14）；主炉壳（14）顶部连接有副室（4），所述主炉壳（14）内设置有保温筒（6），保温筒（6）内设置有坩埚（8），坩埚（8）的顶部设置有导流筒（5）；其特征在于，还包括载气提供装置（1）和工艺气体提供装置（2）；所述载气提供装置（1）和工艺气体提供装置（2）通过进气管路（3）与副室（4）相连接，直拉单晶炉连接有抽气管路（9），所述抽气管路（9）连接有真空泵组（11）；所述抽气管路（9）与直拉单晶炉的连接处位于保温筒（6）底部以下；载气提供装置（1）提供的载气为惰性气体，工艺气体提供装置（2）提供的工艺气体为卤素气体。2.根据权利要求1所述的一种直拉单晶炉在线式热场再生系统，其特征在于，所述的抽气管路（9）与尾气处理系统（10）相连接。3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：张军彦，冯文彪，王晓峰，白枭，李媛，
申请(专利权)人：山西中电科新能源技术有限公司，
类型：新型
国别省市：