一种RCZ法拉制单晶硅的方法技术

技术编号:36083792 阅读:80 留言:0更新日期:2022-12-24 10:58
本发明专利技术提供一种RCZ法拉制单晶硅的方法,包括:S1、在拉制第一棒至第n

【技术实现步骤摘要】
一种RCZ法拉制单晶硅的方法


[0001]本专利技术涉及光伏材料生产
,具体涉及一种RCZ法拉制单晶硅的方法。

技术介绍

[0002]目前利用RCZ法拉制单晶硅的过程中,从拉制第一棒至最后一棒,单晶硅棒拉制直径保持相同。但由于向坩埚内加入的合金的分凝效应影响,合金逐渐分凝到坩埚底部,导致越靠近拉制末尾,坩锅底部合金沉积越多的合金,导致尾棒中合金浓度增加,使得尾棒的电阻率增加,甚至大于该单晶硅棒的直径对应的需求的电阻率,影响尾棒的产能;同时,在尾棒拉制时,为了提高硅料利用率,需要保证埚底料尽可能的少,即在拉制尾棒时,需要增加尾棒拉制长度,从而增加了尾棒的取出难度,如果控制尾棒的长度,则坩埚底料剩余过多,降低硅料的利用率。

技术实现思路

[0003]有鉴于此,本专利技术提供一种RCZ法拉制单晶硅的方法,以解决以上技术问题。
[0004]为解决上述技术问题,本专利技术采用以下技术方案:
[0005]根据本专利技术实施例的RCZ法拉制单晶硅的方法,从第一棒拉制至第n棒,包括:
[0006]S1、在拉制第一棒本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种RCZ法拉制单晶硅的方法,其特征在于,从第一棒拉制至第n棒,包括以下步骤:S1、在拉制第一棒至第n

3棒时,控制每棒的单晶硅棒具有相同的第一直径和第一长度,在每次拉制完成之后,向坩埚内复投第一投料量的硅料,并向所述坩埚内添加等量的合金;S2、在拉制第n

2棒时,控制所述第n

2棒的单晶硅棒具有所述第一直径和所述第一长度,在拉制完成后,向坩埚内复投所述第一投料量的硅料,并停止添加合金;S3、拉制第n

1棒时,控制所述第n

1棒的单晶硅棒具有所述第一直径和第二长度,在拉制完成后,向坩埚内复投第二投料量的硅料,并继续停止添加合金;S4、在拉制第n棒时,控制所述第n棒的单晶硅棒具有大于所述第一直径的第二直径和第三长度,拉制直至所述坩埚内剩余硅料量小于或等于预定量,完成制备。2.根据权利要求1所述的RCZ法拉制单晶硅的方法,其特征在于,控制拉制第一棒至第n棒时向单晶炉内通入的氩气流量彼此相同。3.根据权利要求2所述的RCZ法拉制单晶硅的方法,其特征在于,控制拉制第n棒时单晶炉的等径功率小于拉制第一棒至第n

【专利技术属性】
技术研发人员:王建立颜超路鹏
申请(专利权)人:晶澳邢台太阳能有限公司
类型:发明
国别省市:

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