一种沟槽功率半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及导体功率器件技术领域，尤其为一种沟槽功率半导体器件，包括半导体功率器件本体，所述半导体功率器件本体基面的前后两侧对称开设有拿取凹槽，所述半导体功率器件本体的底部开设有均匀分布的底部沟槽，所述半导体功率器件本体的左右两侧均对称安装有均匀分布的引脚，所述半导体功率器件本体的底部并且与底部沟槽对应的位置安装有底部散热组件；所述底部散热组件包括内部导热板，所述内部导热板的底部设置有均匀分布的上侧翅片，所述上侧翅片上开设有均匀分布的安装槽，所述内部导热板上并且与安装槽对应的位置安装有支撑弹簧，所述上侧翅片上安装有连接卡板，整体结构简单，便于使用，且稳定性和实用性较高。且稳定性和实用性较高。且稳定性和实用性较高。

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽功率半导体器件


[0001]本技术涉及导体功率器件
，具体为一种沟槽功率半导体器件。

技术介绍

[0002]电力电子器件又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件，现有的沟槽功率半导体器件在实际使用时通常会产生一定的热量，然而目前的沟槽功率半导体器件如公开号为CN208507662U的一种沟槽型半导体功率器件，其仅仅通过底部开设的水平凹槽进行散热，这就导致其散热效率较慢，且散热效果较差。
[0003]因此，需要一种沟槽功率半导体器件对上述问题做出改善。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种沟槽功率半导体器件，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种沟槽功率半导体器件，包括半导体功率器件本体，所述半导体功率器件本体基面的前后两侧对称开设有拿取凹槽，所述半导体功率器件本体的底部开设有均匀分布的底部沟槽，所述半导体功率器件本体的左右两侧均对称安装有均匀分布的引脚，所述半导体功率器件本体的底部并且与底部沟槽对应的位置安装有底部散热组件；
[0007]所述底部散热组件包括内部导热板，所述内部导热板的底部设置有均匀分布的上侧翅片，所述上侧翅片上开设有均匀分布的安装槽，所述内部导热板上并且与安装槽对应的位置安装有支撑弹簧，所述上侧翅片上安装有连接卡板，所述内部导热板通过连接卡板连接有下侧翅片，所述下侧翅片的底部安装有外部导热板。
[0008]作为本技术优选的方案，所述底部沟槽由前至后贯穿于半导体功率器件本体。
[0009]作为本技术优选的方案，所述内部导热板选用石墨片制作而成，并且所述内部导热板位于半导体功率器件本体内部的底部。
[0010]作为本技术优选的方案，所述上侧翅片贯穿于半导体功率器件本体的底部并且与内部导热板的底面接触，所述上侧翅片位于底部沟槽的内部。
[0011]作为本技术优选的方案，所述支撑弹簧的上端内嵌与底部沟槽的顶部，所述支撑弹簧的下端与外部导热板之间通过焊接的方式固定连接。
[0012]作为本技术优选的方案，所述下侧翅片上并且与连接卡板对应的位置开设有与其尺寸相适配的连接槽。
[0013]作为本技术优选的方案，所述上侧翅片与下侧翅片、外部导热板均选用铝片制作而成，并且所述下侧翅片通过焊接的方式与外部导热板固定连接，所述下侧翅片位于底部沟槽内。
[0014]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0015]本沟槽功率半导体器件中，通过设置的底部散热组件中的内部导热板，使得底部散热组件能够直接从半导体功率器件本体的内部直接将其运行过程中产生的热量向外传导，与此同时上侧翅片、下侧翅片和支撑弹簧配合使用，使得外部导热板能够保持与工作平面接触，从而使得半导体功率器件本体产生的热量能够直接向下传导至工作平面处，另外连接卡板与连接槽的设置，使得上侧翅片与下侧翅片之间能够保持接触状态，进而使得其导热性能更好，整体来说，底部散热组件的设置能够将半导体功率器件本体产生的热量直接向外导出，另外底部散热组件与底部沟槽配合使用，又使得底部散热组件导出的热量能够快速向空气中传导，从而使得本装置的散热效果更好。
附图说明
[0016]图1为本技术整体结构示意图；
[0017]图2为本技术底部散热组件结构示意图；
[0018]图3为本技术内部导热板结构示意图；
[0019]图4为本技术外部导热板结构示意图。
[0020]图中：1、半导体功率器件本体；2、拿取凹槽；3、底部沟槽；4、引脚；5、底部散热组件；501、内部导热板；502、上侧翅片；503、安装槽；504、支撑弹簧；505、连接卡板；506、下侧翅片；507、外部导热板；508、连接槽。
具体实施方式
[0021]下面将结合本技术实施例，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例,基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述,给出了本技术的若干实施例,但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例,相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。
[0023]需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件,当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件,本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0024]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同,本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术,本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0025]实施例，请参阅图1
‑
4，本技术提供一种技术方案：
[0026]一种沟槽功率半导体器件，包括半导体功率器件本体1，半导体功率器件本体1基面的前后两侧对称开设有拿取凹槽2，半导体功率器件本体1的底部开设有均匀分布的底部
沟槽3，半导体功率器件本体1的左右两侧均对称安装有均匀分布的引脚4，半导体功率器件本体1的底部并且与底部沟槽3对应的位置安装有底部散热组件5；
[0027]其中，底部沟槽3由前至后贯穿于半导体功率器件本体1。
[0028]在该实施例中，请参阅图2
‑
4，底部散热组件5包括内部导热板501，内部导热板501选用石墨片制作而成，并且内部导热板501位于半导体功率器件本体1内部的底部，内部导热板501的底部设置有均匀分布的上侧翅片502，上侧翅片502贯穿于半导体功率器件本体1的底部并且与内部导热板501的底面接触，上侧翅片502位于底部沟槽3的内部，上侧翅片502上开设有均匀分布的安装槽503，内部导热板501上并且与安装槽503对应的位置安装有支撑弹簧504，支撑弹簧504的上端内嵌与底部沟槽3的顶部，上侧翅片502上安装有连接卡板505，内部导热板501通过连接卡板505连接有下侧翅片506，下侧翅片506位于底部沟槽3内，下侧翅片506的底部安装有外部导热板507，上侧翅片502与下侧翅片506、外部导热板507均选用铝片制作而成，并且下侧翅片506通过焊接的方式与外部导热板507固定连接，支撑弹簧504的下端与外部导热板507之间通过焊接的方式固定连接，下侧翅片506上并且与连接卡板505对应的位置开设有与其尺寸相适配的连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽功率半导体器件，包括半导体功率器件本体(1)，其特征在于：所述半导体功率器件本体(1)基面的前后两侧对称开设有拿取凹槽(2)，所述半导体功率器件本体(1)的底部开设有均匀分布的底部沟槽(3)，所述半导体功率器件本体(1)的左右两侧均对称安装有均匀分布的引脚(4)，所述半导体功率器件本体(1)的底部并且与底部沟槽(3)对应的位置安装有底部散热组件(5)；所述底部散热组件(5)包括内部导热板(501)，所述内部导热板(501)的底部设置有均匀分布的上侧翅片(502)，所述上侧翅片(502)上开设有均匀分布的安装槽(503)，所述内部导热板(501)上并且与安装槽(503)对应的位置安装有支撑弹簧(504)，所述上侧翅片(502)上安装有连接卡板(505)，所述内部导热板(501)通过连接卡板(505)连接有下侧翅片(506)，所述下侧翅片(506)的底部安装有外部导热板(507)。2.根据权利要求1所述的一种沟槽功率半导体器件，其特征在于：所述底部沟槽(3)由前至后贯穿于半导体功率器件本体(1)。3.根据权利要求1所述的一种沟槽功率半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈良金，
申请(专利权)人：深圳市赛能思科技有限公司，
类型：新型
国别省市：