由光致抗蚀剂层包围的导电结构元件的厚度测量制造技术

本发明专利技术公开了由光致抗蚀剂层包围的导电结构元件的厚度测量。一种用于估计与物体的多个导电结构元件相关的厚度的方法，该方法包括估计在导电结构元件的上表面和围绕导电结构元件的光致抗蚀剂层部分的上表面之间的高度差，以提供多个高度差；至少基于发射辐射的第二部分来估计多个光致抗蚀剂层部分的厚度；以及计算与多个导电结构元件相关的厚度值，其中该计算至少基于多个高度差并且基于多个光致抗蚀剂层部分的所估计的厚度。抗蚀剂层部分的所估计的厚度。抗蚀剂层部分的所估计的厚度。

【技术实现步骤摘要】
由光致抗蚀剂层包围的导电结构元件的厚度测量
[0001]本申请是申请日为2019年5月13日，申请号为2019103938755，专利技术名称为“由光致抗蚀剂层包围的导电结构元件的厚度测量”的申请的分案申请。
[0002]交叉引用
[0003]本申请要求提交日期为2018年5月15日的序列号为62/671,496的美国临时专利的优先权，该美国临时专利通过引用被并入本文。
[0004]背景
[0005]导电结构元件(诸如凸块和/或柱)可以被光致抗蚀剂层包围。
[0006]存在对准确和有效地测量导电结构元件的厚度的持续增长的需要。

技术实现思路

[0007]本申请提供了以下内容：
[0008]1)一种用于估计与物体的多个导电结构元件相关的厚度的方法，所述方法包括：
[0009](a)用第一照射辐射照射所述多个导电结构元件和属于所述物体的光致抗蚀剂层的多个光致抗蚀剂层部分；其中所述多个光致抗蚀剂层部分围绕所述多个导电结构元件；
[0010](b)检测第一发射辐射，其中所述第一发射辐射从所述多个光致抗蚀剂层部分的上表面发射，以及从所述多个导电结构元件的上表面发射；
[0011](c)对于每个导电结构元件并基于所述第一发射辐射来估计在所述导电结构元件的上表面和围绕所述导电结构元件的光致抗蚀剂层部分的上表面之间的高度差以提供多个高度差；
[0012](d)用第二照射辐射照射所述光致抗蚀剂层部分的第一多个点；其中所述第二照射辐射与所述第一照射辐射至少在波长上不同；/>[0013](e)检测从所述多个光致抗蚀剂层部分的至少底部发射的第二发射辐射；
[0014](f)至少基于所述第二发射辐射来估计所述多个光致抗蚀剂层部分的厚度；以及
[0015](g)计算与所述多个导电结构元件相关的厚度值，其中所述计算至少基于所述多个高度差并且基于所述多个光致抗蚀剂层部分的所估计的厚度。
[0016]2)根据1)所述的方法，其中所述第一照射辐射是紫外辐射。
[0017]3)根据1)所述的方法，其中所述第一照射辐射不穿过所述光致抗蚀剂层传播，并且所述第二照射辐射穿过所述光致抗蚀剂层传播。
[0018]4)根据1)所述的方法，其中步骤(d)、(e)和(f)由反射计执行，并且其中步骤(a)、(b)和(c)由不同于所述反射计的设备执行。
[0019]5)根据1)所述的方法，其中步骤(a)、(b)和(c)由第一过程执行，并且步骤(d)、(e)和(f)由第二过程执行，其中，每次测量，所述第一过程都比所述第二过程快。
[0020]6)根据1)所述的方法，其中所述多个导电结构元件是第二多个导电结构元件，并且其中所述第二多个导电结构元件的数目超过所述第一多个点的数目。
[0021]7)根据1)所述的方法，其中所述多个光致抗蚀剂层部分中的至少一个不包括所述第一多个点中的任何一个。
[0022]8)根据1)所述的方法，其中所述多个光致抗蚀剂层部分的底部、所述多个导电结构元件的底部位于同一平面处，并且其中与所述多个导电结构元件相关的厚度值表示全体多个导电结构元件的厚度。
[0023]9)根据1)所述的方法，其中所述多个光致抗蚀剂层部分的底部位于第一平面处，所述多个导电结构元件的底部位于不同于所述第一平面的第二平面处，并且其中与所述多个导电结构元件相关的厚度值表示所述多个导电结构元件的部分的厚度。
[0024]10)一种用于估计与物体的多个导电结构元件相关的厚度的非暂态计算机可读介质，所述非暂态计算机可读介质存储指令，所述指令用于：
[0025](a)用第一照射辐射照射所述多个导电结构元件和属于所述物体的光致抗蚀剂层的多个光致抗蚀剂层部分；其中所述多个光致抗蚀剂层部分围绕所述多个导电结构元件；
[0026](b)检测第一发射辐射，其中所述第一发射辐射从所述多个光致抗蚀剂层部分的上表面发射，以及从所述多个导电结构元件的上表面发射；
[0027](c)对于每个导电结构元件并基于所述第一发射辐射来估计在所述导电结构元件的上表面和围绕所述导电结构元件的光致抗蚀剂层部分的上表面之间的高度差以提供多个高度差；
[0028](d)用第二照射辐射照射所述光致抗蚀剂层部分的第一多个点；其中所述第二照射辐射与所述第一照射辐射至少在波长上不同；
[0029](e)检测从所述多个光致抗蚀剂层部分的至少底部发射的第二发射辐射；
[0030](f)至少基于所述第二发射辐射来估计所述多个光致抗蚀剂层部分的厚度；以及
[0031](g)计算与所述多个导电结构元件相关的厚度值，其中所述计算至少基于所述多个高度差并且基于所述多个光致抗蚀剂层部分的所估计的厚度。
[0032]11)根据10)所述的非暂态计算机可读介质，其中所述第一照射辐射是紫外辐射。
[0033]12)根据10)所述的非暂态计算机可读介质，其中所述第一照射辐射不穿过所述光致抗蚀剂层传播，并且所述第二照射辐射穿过所述光致抗蚀剂层传播。
[0034]13)根据10)所述的非暂态计算机可读介质，其中步骤(d)、(e)和(f)由反射计执行，并且其中步骤(a)、(b)和(c)由不同于所述反射计的设备执行。
[0035]14)根据10)所述的非暂态计算机可读介质，其中步骤(a)、(b)和(c)由第一过程执行，并且步骤(d)、(e)和(f)由第二过程执行，其中，每次测量，所述第一过程都比所述第二过程快。
[0036]15)根据10)所述的非暂态计算机可读介质，其中所述多个导电结构元件是第二多个导电结构元件，并且其中所述第二多个导电结构元件的数目超过所述第一多个点的数目。
[0037]16)根据10)所述的非暂态计算机可读介质，其中所述多个光致抗蚀剂层部分中的至少一个不包括所述第一多个点中的任何一个。
[0038]17)根据10)所述的非暂态计算机可读介质，其中所述多个光致抗蚀剂层部分的底部、所述多个导电结构元件的底部位于同一平面处，并且其中与所述多个导电结构元件相关的厚度值表示全体多个导电结构元件的厚度。
[0039]18)根据10)所述的非暂态计算机可读介质，其中所述多个光致抗蚀剂层部分的底部位于第一平面处，所述多个导电结构元件的底部位于不同于所述第一平面的第二平面
处，并且其中与所述多个导电结构元件相关的厚度值表示所述多个导电结构元件的部分的厚度。
[0040]19)一种测量系统，包括：
[0041]第一测量单元，其被配置为：
[0042]用第一照射辐射照射多个导电结构元件和属于物体的光致抗蚀剂层的多个光致抗蚀剂层部分；其中所述多个光致抗蚀剂层部分围绕所述多个导电结构元件；
[0043]检测第一发射辐射，其中所述第一发射辐射从所述多个光致抗蚀剂层部分的上表面发射，以及从所述多个导电结构元件的上表面发射；
[0044]对于每个导电结构元件并基于所述第一发射辐射来估计在所述导电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于估计与物体的多个导电结构元件相关的厚度的方法，所述方法包括：(a)用第一照射辐射照射所述多个导电结构元件和属于所述物体的光致抗蚀剂层的多个光致抗蚀剂层部分；其中所述多个光致抗蚀剂层部分围绕所述多个导电结构元件；(b)检测第一发射辐射，其中所述第一发射辐射从所述多个光致抗蚀剂层部分的上表面发射，以及从所述多个导电结构元件的上表面发射；(c)对于每个导电结构元件并基于所述第一发射辐射来估计在所述导电结构元件的上表面和围绕所述导电结构元件的光致抗蚀剂层部分的上表面之间的高度差以提供多个高度差；(d)用第二照射辐射照射所述光致抗蚀剂层部分的第一多个点；其中所述第二照射辐射与所述第一照射辐射至少在波长上不同；(e)检测从所述多个光致抗蚀剂层部分的底部的至少一个采样发射的第二发射辐射；(f)至少基于所述第二发射辐射的一个采样来估计所述多个光致抗蚀剂层部分的厚度；以及(g)产生所述光致抗蚀剂层的估计的高度图；(h)计算与所述多个导电结构元件相关的厚度值，其中所述计算至少基于所述多个高度差并且基于所述光致抗蚀剂层的所估计的高度图。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一照射辐射是紫外辐射。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一照射辐射不穿过所述光致抗蚀剂层传播，并且所述第二照射辐射穿过所述光致抗蚀剂层传播。4.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(d)、(e)和(f)由反射计执行，并且其中步骤(a)、(b)和(c)由不同于所述反射计的设备执行。5.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(a)、(b)和(c)由第一过程执行，并且步骤(d)、(e)和(f)由第二过程执行，其中，每次测量，所述第一过程都比所述第二过程快。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个导电结构元件是第二多个导电结构元件，并且其中所述第二多个导电结构元件的数目超过所述第一多个点的数目。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个光致抗蚀剂层部分中的至少一个不包括所述第一多个点中的任何一个。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个光致抗蚀剂层部分的底部、所述多个导电结构元件的底部位于同一平面处，并且其中与所述多个导电结构元件相关的厚度值表示全体多个导电结构元件的厚度。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个光致抗蚀剂层部分的底部位于第一平面处，所述多个导电结构元件的底部位于不同于所述第一平面的第二平面处，并且其中与所述多个导电结构元件相关的厚度值表示所述多个导电结构元件的部分的厚度。10.一种用于估计与物体的多个导电结构元件相关的厚度的非暂态计算机可读介质，所述非暂态计算机可读介质存储指令，所述指令用于：(a)用第一照射辐射照射所述多个导电结构元件和属于所述物体的光致抗蚀剂层的多个光致抗蚀剂层部分；其中所述多个光致抗蚀剂层部分围绕所述多个导电结构元件；(b)检测第一发射辐射，其中所述第一发射辐射从所述多个光致抗蚀剂层部分的上表面发射，以及从所述多个导电结构元件的上表面发射；
(c)对于每个导电结构元件并基于所述第一发射辐射来估计在所述导电结构元件的上表面和围绕所述导电结构元件的光致抗蚀剂层部分的上表面之间的高度差以提供多个高度差；(d)用第二照射辐射照射所述光致抗蚀剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃亚勒，
申请(专利权)人：康代有限公司，
类型：发明
国别省市：