用于增强开关电源中的过电压保护的电路路径配置制造技术

本文提出了一种用于增强开关电源中的过电压保护的电路路径配置，所述开关电源包括桥式整流器、初级侧开关以及控制器。所述电路路径配置通过利用指示所述初级侧开关的漏

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于增强开关电源中的过电压保护的电路路径配置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求享有于2020年3月24日提交的第62/993,803号美国临时申请的权益，该申请通过引用全部并入本文。


[0003]本技术涉及开关电源，并且更具体地涉及配置电路路径以增强初级侧开关的过电压保护。

技术介绍

[0004]许多电子设备(诸如移动电话、膝上型计算机等)由源自电源的直流(dc)电力供电。常规的壁式插座通常递送高压交流(ac)电力，该高压交流电力需要被转换为经调节的直流电力，以便被用作消费电子设备的电源。开关(开关模式)电源由于其高效率、小体积和轻重量而通常被用于将高压交流电力转换为经调节的直流电力。
[0005]开关电源可以被配置为开关模式转换器，也被称为开关转换器，并且可以包括诸如变压器的耦合元件。开关模式转换器可以进一步被配置为反激式转换器以将整流的交流(AC)电力转换成经调节的直流(DC)输出电力。
[0006]在一些应用中，交流(AC)电力可以由桥式整流器整流并且由大容量电容器滤波以向开关模式转换器(例如，反激式转换器)提供未经调节的整流的交流电力。
附图说明
[0007]参考以下附图描述了用于增强开关电源中的过电压保护的电路路径配置的非限制性和非穷举性实施方案，其中除非另有说明，否则相同的参考数字在所有各个视图中指代相同的部分。
[0008]图1A例示了根据本文的教导的包括电路路径的开关电源。
[0009]图1B例示了根据一个实施方案的包括电路路径的开关电源。
[0010]图1C例示了根据一个实施方案的包括电路路径的开关电源。
[0011]图2A例示了根据一个实施方案的包括电路路径的开关电源。
[0012]图2B例示了根据一个实施方案的包括电路路径的开关电源。
[0013]图3A例示了根据第一实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0014]图3B例示了根据第一实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0015]图4A例示了根据第二实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0016]图4B例示了根据第二实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0017]图5A例示了根据第三实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0018]图5B例示了根据第三实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0019]图6A例示了根据第四实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0020]图6B例示了根据第四实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0021]图7A例示了根据第五实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0022]图7B例示了根据第五实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0023]图8A例示了根据第六实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0024]图8B例示了根据第六实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0025]图9A例示了根据第七实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0026]图9B例示了根据第七实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0027]图10A例示了根据第八实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0028]图10B例示了根据第八实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0029]图11A例示了根据第九实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0030]图11B例示了根据第九实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0031]图12A例示了根据第十实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0032]图12B例示了根据第十实施方案的对应于箝位电压VC和初级侧开关漏
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源电压VDS的波形。
[0033]在附图的所有若干视图中，对应的参考字符指示对应的部件。技术人员将理解，附图中的元件是为了简化和清楚而例示的，并且不一定按比例绘制。例如，附图中的一些元件的尺寸可能相对于其他元件被夸大，以帮助改善对本文的教导的各实施方案的理解。此外，通常未描述在商业上可行的实施方案中有用的或必要的常见但容易理解的元件，以便于较不妨碍对用于增强开关电源中的过电压保护的电路路径配置的这些各实施方案的查看。
具体实施方式
[0034]在以下描述中，阐述了许多具体细节，以提供对用于增强开关电源中的过电压保护的电路路径配置的透彻理解。然而，对于本领域普通技术人员将明显的是，不需要采用具体细节来实践本文的教导。在其他情况下，未详细描述众所周知的材料或方法，以避免模糊本公开内容。
[0035]贯穿本说明书提及“一个实施方案(one embodiment)”、“一实施方案(an embodiment)”、“一个实施例(one example)”或“一实施例(an example)”意味着，结合该实施方案或实施例描述的具体特征、结构或特性被包括在用于增强开关电源中的过电压保护的电路路径配置的至少一个实施方案中。因此，贯穿本说明书在各个地方出现的短语“在一个实施方案中”、“在一实施方案中”、“一个实施例”或“一实施例”不一定全部指代相同的实施方案或实施例。此外，具体特征、结构或特性可以在一个或多个实施方案或实施例中以任何合适的组合和/或子组合进行组合。具体特征、结构或特性可以被包括在集成电路、电子电路、组合逻辑电路或提供所描述的功能的其他合适的部件中。另外，应理解，随此提供的附图用于向本领域普通技术人员进行解释的目的，并且附图不一定按比例绘制。
[0036]在本申请的上下文中，当晶体管处于“断开(off)状态”或“断开”时，晶体管阻挡电流和/或基本上不传导电流。相反，当晶体管处于“导通(on)状态”或“导通”时，晶体管能够显著地传导电流。举例来说，在一个实施方案中，高压晶体管包括N沟道金属氧化物半导体(NMOS)场效应晶体管(FET)，其中高压被支承在第一端子即漏极和第二端子即源极之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电源，其特征在于，包括：桥式整流器，所述桥式整流器被配置为向第一节点提供整流的交流(AC)电压；初级侧开关，所述初级侧开关包括漏极，所述漏极经由第一电路路径电耦合到所述第一节点，所述第一电路路径包括在所述第一节点和所述漏极之间的第一电路路径节点；二极管，所述二极管包括阴极和阳极，所述阴极电耦合到所述第一电路路径节点并且所述阳极电耦合到所述漏极；以及控制器，所述控制器包括经由第二电路路径电耦合到所述第一电路路径节点的电压监测器输入，所述第二电路路径被配置为向所述电压监测器输入提供监测器电压，所述控制器被配置为：响应于所述监测器电压超出过电压阈值而强制所述初级侧开关停止切换；以及在所述监测器电压小于欠电压阈值时强制所述初级侧开关连续地导通。2.根据权利要求1所述的电源，其特征在于，所述控制器还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢厚林，
申请(专利权)人：电力集成公司，
类型：新型
国别省市：